Рабочий телефон: (495)237-21-29
E-mail: av_pan@mail.ru
 
Дата рождения: 17 января1958 года.
 
Занимаемая должность: доцент.
 
Образование: окончил Московский институт стали и сплавов, кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 1980 году.
 
Специальность и квалификация: «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы», инженер электронной техники.
 
Ученая степень, звание: кандидат технических наук, доцент.
 
Область научных интересов: радиационная и лучевая физика и технология изделий электронной техники.
 

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Физика импульсного отжига изделий микроэлектроники (Физические процессы, происходящие в полупроводниковых структурах и приборах при импульсном лучевом и корпускулярном воздействии. Использование импульсных процессов в технологии изготовления изделий электронной техники).
  2. Вакуумная и плазменная электроника (Основы использования вакуумных и плазменных приборов и устройств в электронной технике. Принципы действия и устройство ускорительных установок).

Публикации:

  1. Ладыгин Е.А, Крылов Д.Г., Паничкин А.В.. Кинетика накопления и отжига электрически активных центров в приграничной области транзисторных МОП структур. - Электронная техника, сер.6,вып.1 (246),1990 г.
  2. Ладыгин Е.А, Крылов Д.Г., Паничкин А.В., Шилин Б.А. Использование радиационно-технологических процессов для класса КМОП – микросхем. Электронная техника, сер.7 ТОПО, вып.6(163),1990 г.
  3. Паничкин А.В. Влияние радиационно-термической обработки на пороговое напряжение интегральных МДП-транзисторов. «Технология и конструирование в электронной аппаратуре» – Украина, Одесса, 1997г., вып. 2-97.

Основная учебная литература:

  1. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Радиационные процессы в полупроводниках., Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Булгаков С.С., Паничкин А.В., Курс лекций по дисциплине «Основы радиационной технологии в микроэлектронике» . – М.: МИСиС, 1994 г., 83 с.
  2. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах., Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Мурашов В.Н.., Паничкин А.В., Курс лекций по дисциплине «Основы радиационной технологии в микроэлектронике» . – М.: МИСиС, 1994 г., 89 с.
  3. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Радиационные эффекты в интегральных микросхемах, Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Галеев А.П., Паничкин А.В., Курс лекций по дисциплине «Основы радиационной технологии в микроэлектронике» (№1016) . – М.: МИСиС, 1996 г., 96 с.
  4. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Радиационные эффекты в МДП и КМДП структурах интегральных схем. Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Галеев А.П., Паничкин А.В.. Лабораторный практикум по дисциплине «Основы радиационной технологии в микроэлектронике». – М.: МИСиС, 1997 г., 73 с.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

«Физико-технические основы радиационных методов обработки полупроводниковых приборов и микросхем испытательного, отбраковочного и технологического характера» - Ладыгин Е.А., Осипов Г.А., Таперо К.И., Коновалов М.П.., Паничкин А.В., - Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА, 2004 г., вып.3-4.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2008:
Игнатьев Д.Н. «Влияние ионизирующего излучения на характеристики кремниевых слоистых структур и методы измерения их параметров» (бакалавр).
Слыщенко Е.В. «Влияние легирующих элементов на свойства эпитаксиальных слоев солнечных элементов на основе Ge/AsGa» (инженер).
 
2009:
Божко А.С. «Использование радиационно-термических процессов для изменения параметров биполярных транзисторных структур» (инженер).
Большаков Г.В. «Принцип работы КМОП логических элементов, и влияние облучения на их параметры» (инженер).
 
2010:
Эсенгельдиев А.Н. «Влияние высокоэнергетического ионизирующего излучения и последующего термического отжига на электрические характеристики МДП структур» (инженер).
Баборико Д.А. «Исследование влияния ионизирующего излучения на быстродействие КМОП ИС» (инженер).