Рабочий телефон: (495)237-21-29
E-mail: av_pan@mail.ru
 
Дата рождения: 17 января1958 года.
 
Занимаемая должность: доцент.
 
Образование: окончил Московский институт стали и сплавов, кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 1980 году.
 
Специальность и квалификация: «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы», инженер электронной техники.
 
Ученая степень, звание: кандидат технических наук, доцент.
 
Область научных интересов: радиационная и лучевая физика и технология изделий электронной техники.
 

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Физика импульсного отжига изделий микроэлектроники (Физические процессы, происходящие в полупроводниковых структурах и приборах при импульсном лучевом и корпускулярном воздействии. Использование импульсных процессов в технологии изготовления изделий электронной техники).
  2. Вакуумная и плазменная электроника (Основы использования вакуумных и плазменных приборов и устройств в электронной технике. Принципы действия и устройство ускорительных установок).

Публикации:

  1. Ладыгин Е.А, Крылов Д.Г., Паничкин А.В.. Кинетика накопления и отжига электрически активных центров в приграничной области транзисторных МОП структур. - Электронная техника, сер.6,вып.1 (246),1990 г.
  2. Ладыгин Е.А, Крылов Д.Г., Паничкин А.В., Шилин Б.А. Использование радиационно-технологических процессов для класса КМОП – микросхем. Электронная техника, сер.7 ТОПО, вып.6(163),1990 г.
  3. Паничкин А.В. Влияние радиационно-термической обработки на пороговое напряжение интегральных МДП-транзисторов. «Технология и конструирование в электронной аппаратуре» – Украина, Одесса, 1997г., вып. 2-97.

Основная учебная литература:

  1. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Радиационные процессы в полупроводниках., Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Булгаков С.С., Паничкин А.В., Курс лекций по дисциплине «Основы радиационной технологии в микроэлектронике» . – М.: МИСиС, 1994 г., 83 с.
  2. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах., Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Мурашов В.Н.., Паничкин А.В., Курс лекций по дисциплине «Основы радиационной технологии в микроэлектронике» . – М.: МИСиС, 1994 г., 89 с.
  3. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Радиационные эффекты в интегральных микросхемах, Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Галеев А.П., Паничкин А.В., Курс лекций по дисциплине «Основы радиационной технологии в микроэлектронике» (№1016) . – М.: МИСиС, 1996 г., 96 с.
  4. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Раздел: Радиационные эффекты в МДП и КМДП структурах интегральных схем. Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Галеев А.П., Паничкин А.В.. Лабораторный практикум по дисциплине «Основы радиационной технологии в микроэлектронике». – М.: МИСиС, 1997 г., 73 с.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:


1.Investigation of the thermal annealing effect on electrical properties of Ni/Au, Ni/Mo/Au and Mo/Au Schottky barriers on AlGaN/GaN heterostructures E V Sleptsov1, A V Chernykh, S V Chernykh, A A Dorofeev, N B Gladysheva, M N Kondakov, A A Sleptsova, A V Panichkin,

M P Konovalov and S I Didenko. IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 816 (2017) 012039 doi:10.1088/1742-6596/816/1/012039

 

2.Creation of a tunable diod based jn nanotubes with an ion gate. M.Veano, St.Hilms, M.Orlova,S.Didenko,O.Rabinovich, A.Panichkin, I.Ermanova, D.Nanarinov, P.Gostishchev, D.Saranin. Journal of nano- and electronic physics, v9, №6, 06026(4pp) (2017).

 

3. New polimer systrms for use in organic photovoltaics. M.Orlova,S.Didenko,O.Rabinovich, A.Panichkin, I.Borzykh, D.Saranin International Journal of Nanoscience,2017.

 

4.Электронный курс лекций «Физика импульсного отжига электронных структур» -  https://lms.misis.ru/enroll/AXMNEG.




Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:


 

2015:
Георгиевский Д.А. «Использование радиационно-технологических процессов для изменения параметров биполярных транзисторных структур» (инженер).

Сазонов Д.С. «Влияние ионизирующего излучения на шумовые характеристики МДП структур» (бакалавр)

Власов А.С. «Оптоэлектронные устройства на основе наноструктур» (бакалавр).
 
2016:
Хатин Д.Е. «Короткоканальные эффекты в транзисторах на основе МДП структур» (бакалавр).
Пашкин Р.В. «Полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи энергии» (бакалавр).
Иванов А.Д. №Структура и характеристики кремниевых фотодиодных p-i-n приборов» (бакалавр).


2017:
Журавлева Т.М. Принципы функционирования приборных структур наноэлектроники» (бакалавр).
Михеева К.Д.. «Разработка аналого-фиырового преобразователя со встроенным термостабильным источником опорного напряжения для интегральных микросхем навигационной аппаратуры» (магистр).