на внешней поверхности цилиндрической полой подложки методом парофазной эпитаксии химическим осаждением.
 
Кожитов Л.В., Митин В.В., Кондратенко Т.Т.,
 Чинаров В.В., Август С.Е., Гришко А.С. 
Регистрация 101-219-2005 от 10.03.05
 
В перечень подлежащих охране сведений входят:
-         Тип реактора.
-          Расположение нагревателя относительно подложек
-         Соотношение геометрических размеров корпуса реактора.
Реактор предназначен для выращивания эпитаксиальных слоев кремния методом парофазной эпитаксии химическим осаждением на внешнюю поверхность монокристаллической подложки из газовой фазы. Предназначен для применения в промышленном производстве непланарных монокристаллических многослойных эпитаксиальных структур, для изготовления силовых полупроводниковых приборов непланарной конфигурации.