Щербачев Кирилл Дмитриевич
Тел. +7(495)638-4445,
E-mail: kirill.shcherbachev@misis.ru
Дата рождения 29.01.1967  
Занимаемая должность старший научный ссотрудник ЦКП «Материаловедение и металлургия», докторант каф. «Материаловедения полупроводников и диэлектриков»
Образование
Окончил Московский институт стали и сплавов
Год окончания 1988г.
Специальность и квалификация _«Полупроводники и диэлектрики» «Инженер электронной техники».
Ученая степень, звание к.ф.-м.н., доцент.

1. Область научных интересов

Рентгеноструктурные исследования конденсированных фаз, в том числе материалов и объектов микро- и наноэлектроники.

2. Публикации

  1. L.A.Charniy, Scherbachev K.D.,   V.T.Bublik    Microdefect Density Determination by X-Ray Huang Scattering Normalized over Thermal Diffuse Scattering//Phys. Stat. Sol. (a), 1991,Vol. 128, N. 2, pp.303-310.
  2. Chtcherbatchev K.D., Bublik V.T. Microdefects in semiconductor single crystals revealed by X-ray diffuse scattering method //Institute of Physics Conference Series, 1998, Vol.160, pp.187-190
  3. К.Д.Щербачев, А.В.Курипятник, В.Т.Бублик Применение трехкристальной рентгеновской дифрактометрии для исследования ионоимплантированных слоев //Заводская лаборатория.- 2003.- №6-. С.23-31
  4. K. D. Shcherbachev, V. T. Bublik, V. N. Mordkovich and D. M. PazhinThe effect of in situ photoexcitation on the generation of damaged structures during ion implantation into Si wafers // J. Phys. D: Appl. Phys. 38 (2005) A126-A131
  5. Kirill Shcherbachev, Vladimir Privezentsev, Vladimir Saraykin, and Dmitry Podgornyy Defect structure in Zn+ implanted Si: HRXRD study // Phys. Status Solidi A, 1–5 (2010) / DOI 10.1002/pssa.201026348

3. Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель

  1. Дифракционные методы изучения поверхностных слоев и приборных структур. В.Т.Бублик, К.Д.Щербачев. МИСиС. 2001 г.

4. Участие в НИР, грантах, разработках и т.д. (тема, год).

РФФИ 07-02-00676-а Закономерности и механизмы структурных превращений в кристаллах соединений AIIIBV при имплантации ионов H и He и последующих технологических воздействиях     2007 - 2009
РФФИ 08-02-00551-а Микродефекты, образующиеся при распаде твердых растворов полупроводников с алмазоподобной кристаллической решеткой 2008 - 2010
РФФИ 09-08-00291-а Исследование зависимостей удельной проводимости и морфологии поверхности тонких пленок металлов (Cr, Fe59, Sn119) и полупроводников (Si, ZnO) от толщины, выращенных в условиях высокого вакуума методом лазерно-плазменного осаждения 2009 - 2010
МНТЦ №3294 Создание излучающих в синей и ближней УФ области спектра пленочных структур на основе оксида цинка (начало работы 31.08.2006, срок окончания – 31.07.2009)
Госконтракт Оценка структурного совершенства подложек SiC и AlN  
Госконтракт №02.523.11.3006 от 22 августа 2007 г. Головной исполнитель - ООО «Полупроводниковые кристаллы», г. Санкт-Петербург (х/д ГК-6/2007 от 27 августа 2007 г.)
Госконтракт Исследование структуры и фазового состава термоэлектрических объемных и наноматериалов. Программа Российского Федерального агентства по науке и инновациям, контракт № 02.513.12.3009 от 01.08.2008 г.   Головной исполнитель - Гиредмет
Хоз. договор № 154-6/340 от 24.10.2008
Разработка составной части метрологического комплекса для измерения локального химического состава и структурных параметров нанообъектов с помощью методов растровой электронной микроскопии, специальных методов спектроскопии и дифракции рентгеновских лучей (2008-2010)
Грант Рособразования РФ, тема 3339601 Роль вторичных процессов в формировании структурных дефектов в монокристаллах сложных оксидов и структуры радиационно-нарушенных слоев в полупроводниках с алмазоподобной кристаллической решеткой. 2009-2010

5. Награды, почетные звания, другие достижения.

нет

6. Все научные и учебные публикации за последние 5 лет.

 
  Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP Статья ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, С.641-649 9 В.М.Бойко, В.Т.Бублик, М.И.Воронова, Н.Г.Колин, Д.И.Меркурисов
  Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок Статья ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, С.769-777 9 В.М.Бойко, В.Т.Бублик, М.И.Воронова, Н.Г.Колин, Д.И.Меркурисов
  Особенности радиационно-индуцированного изменения структурных свойств кремния, находящегося под воздействием упругого и электрического полей Статья Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники.- 2006.- №2. – С73-77 5 В.Т.Бублик,  В.Н.Мордкович, Д.М.Пажин
  Влияние содержания B2O3 и условий роста на структурное совершенство кристаллов GaAs(Si), выращенных методом вертикально направленной кристаллизации Статья Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники.- 2006.- №3. – С78-80 3 П. А. Филатов, В. Т. Бублик, А. В. Марков, М. И. Воронова
  Neutron Irradiation Effects in p-GaN Статья J. Vac. Sci. Technol. B24(5), 2256-2261 (2006) 6 A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov,  V.T. Bublik, M.I. Voronova, Amir M. Dabiran, A.V. Osinsky, S.J. Pearton
  Анализ реальной структуры ионоимплантированных слоев на карте обратного пространства Статья Материалы электронной техники. 2006. № 2. С. 64-68 5 Бублик В.Т., Шалимов А.
  Structure of InP single crystals irradiated with reactor neutrons Статья Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006. V. 373. P. 82-89 8 V.M. Boyko, V.T. Bubljk, M.I. Voronova, N.G. Kolin, D.I. Mercurisov
  Electrical and structural properties of InSb crystals irradiated with reactor neutrons Статья Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006. V. 371. P. 272-279 8 V.M. Boyko, V.T. Bubljk, M.I. Voronova, N.G. Kolin, D.I. Mercurisov
  Изучение микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации Статья Кристаллография. 2007. Т. 52. № 2. С. 264-269 6 П.А. Филатов, В.Т. Бублик, А.В. Марков, М.И. Воронова
  Диагностика дефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в CZ-Si Статья Изв. вузов. Материалы электрон. техники. 2007. № 3. С. 4-14. 11 В.Т.Бублик, М.И. Воронова, К.Л. Енишерлова, Т.Ф. Русак
  Исследование микродефектов в монокристаллах GaP и GaP(Zn), выращенных методом ЧЖГР Статья Кристаллография. 2008. Т. 53. № 2. С. 284-292 9 П.А. Филатов, В.Т. Бублик, Т.И. Маркова, М.И. Воронова
  Characterization of InP porous layer by high-resolution XRD Статья Phys.Stat.Sol. (a), 2007, 204 N8, P.2620-2625 6 V.I.Punegov, A.A.Lomov
  Defect structure of as-implanted and annealed silicon crystals implanted with H+ ions Статья Phys.Stat.Sol. (a), 2007, 204 N8, P.2638-2644 7 A.Shalimov, J. Bak-Misiuk, A. Misiuk
  Radiation induced structural transformations in a silicon layer of SOI Статья Phys.Stat.Sol. (a), 2007, 204 N8, P.2645-2650 6 V. T. Bublik, V.N.Mordkovich, D. M. Pazhin, E. Alves, N. P. Barradas
  Диагностика дефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в CZ-Si. Статья Заводская лаборатория. 2008. Т. 74. С. 28–34. 7 Бублик В. Т., Воронова М. И., Енишерлова К. Л., Русак Т. Ф.
  Изучение механизма образования микродефектов в монокристаллах GaAs, выращенных из раствора-расплава с избытком галлия Статья Изв. вузов. Материалы электрон. техники. 2008. № 4. С. 57–62 6 П. А. Филатов, В. Т. Бублик, А. В. Марков, М. И. Воронова
  D8 Discover - инструмент исследования перспективных материалов для микро- и наноэлектроники Статья Заводская лаборатория, 2008, Т.74, №5, С.40-44 5  
  Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn Статья Кристаллография, 2008, Т53, С.843 5 Орлов А.Ф., Балагуров П.А., Сарайкин В.В, Бублик В. Т.
  Electrical and structural properties of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterojunctions Статья J.of Appl.Phys. (2008) 104 7 A.Y.Polyakov, N.B.Smirnov, A.V.Govorkov, A.V.Markov, T.G.Yugova, A.M.Dabiran, A.M.Wowchak, B.Cui, V.T.Bublik
  Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn Статья Кристаллография, 2008, т.53, с.843 4 Орлов А.Ф., Агафонов Ю.А., Балагуров Л.А., Перов Н.С., Бублик В.Т., Зиненко В.И., Сарайкин В.В.
  Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием Статья ФТП, 2009, том 43, выпуск 4, С.439-444 6 О.А.Новодворский, Л.С.Горбатенко, В.Я.Панченко, О.Д.Храмова, Е.А.Черебыло, К.Венцель, Й.В.Барта, В.Т.Бублик
  Defect structure of zinc doped silicon studied by X-ray diffuse scattering method Статья Physica B 404 (2009) 4630–4633 4 V. V. Privezentsev
  Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур Статья Изв. вузов. Материалы электронной техники 2010, №2, 58-62 5 А.Я.Поляков, Н.Б.Смирнов, А.В.Говорков, И.А.Белогорохов, В.Т.Бублик, О.А.Авдкеев, Т.Ю. Чемекова, Е.Н.Мохов, С.С.Норгалюк, Х.Хелава, Ю.Н.Макаров
  Влияние облучения тепловыми нейтронами на распад твердого раствора кислорода в кремнии Статьи Изв. вузов. Материалы электронной техники 2010, №4, 50-55 6 К. Л. Енишерлова, В. Т. Бублик, М. И. Воронова, М. И. Жукова, Э. М. Темпер
  К методике абсолютизации измерений интенсивности диффузного рассеяния на основе измерений теплового диффузного рассеяния Статья Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исcледования. – 2010. - №9. – С. 89-94. 6 В. Т. Бублик, М. И. Воронова, Е. В. Жевнеров
  О механизме образования микродефектов в монокристаллах GaP Статья Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2010. -- № 3. – С. 60—63. 4 Бублик В.Т., Воронова М.И., Табачкова Н.Ю.
  Исследование эволюции дефектной структуры слоя Si после имплантации ионов 64Zn+ и последующих термических отжигов Статья Изв. вузов. Материалы электронной техники 2010, №4, 56-61 6 Привезенцев В.В., Сарайкин В.В., Подгорный Д.А.
  Эпитаксиальный рост и свойства пленок MgxZn1-xO, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения Статья Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 2 260-264 5 А.А. Лотин, О.А. Новодворский Е.В. Хайдуков, В.В. Рочева, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко, К. Венцель, Н. Трумпайска
  Defect structure in Zn+ implanted Si: HRXRD study Статья Phys. Status Solidi A, 1–5 (2010) / DOI 10.1002/pssa.201026348 5 Privezentsev V.V., Saraykin V.V., and Podgornyy D.A.
  Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур «кремний на изоляторе» Статья Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, вып. 6, 754-758 5 В.Т.Бублик, В.Н.Мордкович, Д.М.Пажин

7. Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет.

  1. Курс «Thin Film Analysis» (Bruker-AXS, Карлсруэ, Германия), 40ч, 2007г
  2. Курс «Программное обеспечение TOPASV4.1» (Bruker-AXS, Москва), 40ч, 2008г
  3. Курс «Программирование на Visual С++» Учебный Центр «Специалист» при МГТУ им. Н.Э.Баумана, 72ч, 2009г