Зондовые микроскопы используются для исследования поверхностей и приповерхностных слоев металлов, полупроводников, диэлектриков, органических материалов и биологических объектов в разных средах. Существующие в настоящее время методики позволяют определять ряд параметров:
  • рельеф поверхности образца с атомным разрешением в режимах сканирующей туннельной микроскопии и контактной и бесконтактной атомно-силовой микроскопии;
  • распределение локальной работы выхода электронов из проводящего образца в области сканирования;
  • распределение плотности электронных состояний с высоким пространственным и энергетическим разрешением в режиме туннельной спектроскопии;
  • идентификация адсорбированных атомов на поверхности;
  • механические характеристики поверхности и приповерхностных слоев, такие, как модуль упругости, коэффициент трения между поверхностью и острием при его латеральном перемещении, микротвердость;
  • свойства адсорбированных слоев, в том числе толщину, адгезию, вязкость, поляризуемость и т.д.;
  • структуру биологических молекул, вирусов, бактерий, влияние на них различных внешних воздействий.

Технические характеристики установки:

  • Разрешение:
    • в плоскости XY не более 0,15 нм;
    • по оси Z не более 0,1 нм
  • Неплоскостность сканирования в плоскости XY не более 200 нм
  • Дрейф:
    • в плоскости XY не более 2 А/c;
    • по оси Z не более 1,5 А/с.
  • Максимальное число точек сканирования по X и Y 4000x4000.
  • Мин. шаг сканирования (ЦАП) 0.0004 нм; 0.0011 нм; 0.006 нм.
  • XY позиционирование образца 5x5 мм.
  • Разрешение позиционирования 5 мкм.