Конструкция фотовольтаического GaAs детектора частиц и квантов

Кольцов Г.И., Диденко С.И., Черных А.В., Черных С.В.,
Регистрация 29-035-2012 ОИС от 23.10.2012

В перечень подлежащих охране сведений входят:
- Оригинальная конструкция детектора,
- Методика формирования контакта платинового Шоттки. 

Простота изготовления детектора. Детектор не требует подачи питания, что упрощает подключение детектора к схемам электроники съёма. Фотовольтаический режим дает возможность значительно увеличить соотношение сигнал/шум. 
Изобретение может быть использовано при создании детекторов предназначенных для дозиметрии, создании координатных детекторов для рентгеновского медицинского формирования изображений, например от 241Am (60 кэВ) и 109Cd (22.1 кэВ).