Рабочий телефон, кабинет: (499)237-21-29, ауд. K-503
E-mail: yurchuk@misis.ru
 
Дата рождения: 16 марта 1960 года.
 
Занимаемая должность: доцент.
 
Образование: окончил Московский институт стали и сплавов, каф. Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 1982 году.
 
Специальность и квалификация: «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», инженер электронной техники.
 
Ученая степень, звание: кандидат физико-математических наук, доцент.
 
Область научных интересов: физика полупроводниковых соединений AIIIBV, технология полупроводниковых приборов, моделирование технологических процессов и полупроводниковых приборов

Учебные курсы, читаемые в университете:

1. Основы математического моделирования (Курс направлен на изучение основных подходов к моделированию процессов электронной техники. Направленность курса частично теоретическая, частично практико-ориентированная. Изучаются основные методы решения уравнений математической физики. В процессе моделирования с использованием уравнений математической физики используются современные модели параметров технологических процессов).
2. Моделирование технологических процессов (Курс направлен на изучение методов решения широкого круга задач, связанных с моделированием технологических процессов и полупроводниковых приборов. Предлагаемые подходы к физико-топологическому моделированию полупроводниковых структур позволяет рассчитывать характеристики широкого круга электронных приборов).
3. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы (Курс направлен на изучение современной полупроводниковой электроники, параметров оптоэлектронных приборов, устройств и систем, в которых процессы взаимодействия оптического излучения с веществом используются для генерации, передачи, обработки, хранения и отображения информации. Рассматриваются основные оптоэлектронные устройства и ситемы для отображения и передачи информации).
4. Методы математического моделирования (Курс направлен на изучение методов моделирования технологических процессов и устройств наноэлектроники. Изучаются методы моделирования процессов оптической и электронной литографии, молекулярно-динамического моделирования, моделирования процессов методом Монте-Карло, методы моделирования полупроводниковых приборов наноэлектроники.

Публикации:

  1. Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю. Изучение природы глубоких центров в ионноимплантированном фосфиде галлия// Физика и техника полупроводников.– 1994– т.28.– В.9, С.1661-1667.
  2. Kol’tsov G.I., Makarov V.V., Yurchuk S.Yu. Distribution profiles of Implanted beryllium in III–V semiconductor compounds // Semiconductors.– 1996.– V. 30.– №10, P.996-1000.
  3. Кольцов Г.И., Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Мусалитин А.М. Изучение дефектных центров в полупроводниковых соединениях AIIIBV, образованных при радиационном воздействии и формировании ионнолегированных p+n структур// Материалы электронной техники.– 2005.– №3, С.71-77.
  4. Кобелева С.П., Юрчук С.Ю., Лукашов Н.В., Диденко С.И. Разработкаи автоматизированного комплекса для измерения времени жизни неосновных носителей заряда на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния// Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро и наноэлектроники. Труды IV Российско-японского семинара.(МИСиС-ULVAC).– 2004, С.609-614.
  5. S.P.Kobeleva, I.M.Anfimov, S.Yu.Yurchuk, E.A.Vygovskaya, B.V.Zhalnin Influence of InGaP/Ge Heterostructure of Diffusion of Phosphorus in Germanium During the Formation of Multiple Solar Cells// Technical Physics Letters, 2013, V.39, N.1, p.27-29.

Основная учебная литература:

  1. Юрчук С.Ю. Кольцов Г.И., Горюнов Н.Н. СВЧ-приборы и интегральные микросхемы: Лабораторный практикум. М.: МИСиС,1995. (Ключевые слова: СВЧ-приборы, лавинно-пролетные диоды, СВЧ-полевые транзисторы, шумовые характеристики).
  2. Юрчук С.Ю. Математические модели технологических процессов электронной техники: Лабораторный практикум. М.: МИСиС, 1997.  (Ключевые слова: моделирование, уравнение диффузии, термическое окисление, ионная имплантация, импульсный отжиг).
  3. Юрчук С.Ю. Математические модели технологических процессов, приборов и интегральных схем: Учебное пособие. М.: МИСиС, 1999.– 2009, 68с. (Ключевые слова: моделирование, модели параметров, уравнение диффузии, термическое окисление, ионная имплантация, импульсный отжиг).
  4. Юрчук С.Ю., Мурашев В.Н. Моделирование полупроводниковых приборов: Курс лекций. М.: МИСиС, 2001. (Ключевые слова: физико-топологическое моделирование, уравнение Пуассона, уравнение непрерывности, уравнение переноса, диод, транзистор).
  5. Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Юрчук С.Ю., Прохоцкий Ю.М., Мельников А.Л., Галеев А.П., Паничкин А.В. Проектирование БИС (Раздел: Элементная база БИС): Курс лекций. М.: МИСиС, 2001. (Ключевые слова: большая интегральная схема, топология, проектирование).
  6. Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Мартынов В.Н. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Курс лекций. М.: МИСиС, 2004. (Ключевые слова: фотодиод, фототранзистор, оптрон, солнечные элемент, световод, индикатор).
  7. Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Лабораторный практикум. М.: МИСиС, 2006.– 62с. (Ключевые слова: фотодиод, фототранзистор, оптрон, солнечные элемент, световод, индикатор).
  8. Юрчук С.Ю., Орлова М.Н. Основы математического моделирования: Учебное пособие. М.: МИСиС, 2009.– 2009, 90 с. (Ключевые слова: численные методы, уравнение диффузии, метод прогонки, VisualBasic, объектно-ориентированное программирование).
  9. Юрчук С.Ю. Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: Раздел: Моделирование наносистем методами молекулярной динамики: Курс лекций. М.: МИСиС, 2013.– 57 с. (Ключевые слова: метод Монте-Карло, методы молекулярной динамики, молекулярно лучевая эпитаксия).
  10. Юрчук С.Ю. Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: Раздел: Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами: Курс лекций. М.: МИСиС, 2013.– 51 с. (Ключевые слова: оптическая фотолитография литография, электронная литография, моделирование).

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  1. Разработка радиционно-стойких ионнолегированных фотоприемников на основе фосфида и арсенид фосфида галлия, 1988-1992.
  2. Разработка технологии ионного легирования для создания структур гетеробиполярного транзистора на арсениде галлия, 1993-1994.
  3. Исследование кинетики накопления и отжига глубоких центров в полупроводниковых соединениях А3В5, 2004.
  4. Обобщенная концепция перехода на двухуровневую подготовку в области техники и технологии, 2007.
  5. Разработка и апробация механизма практического внедрения двухуровневой подготовки в системе инженерного образования России, 2008.
  6. Разработка учебного модуля «Физические основы проектирования гетероструктурных фотопреобразователей», 2012 г.

Награды, почетные звания, другие достижения:

  • Медаль «850-лет Москвы».
  • Медаль «За безупречную службу МИСиС» III степени.
  • Почетная грамота оргкомитета Всероссийского конкурса дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения «Материаловедение-2005».
  • Почетная грамота оргкомитета Всероссийского конкурса дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения «Материаловедение-2006».
  • Призер конкурса (III место) 2002 года на лучшее учебное издание в номинации «Курс лекций», выпущенное в издательстве «Учеба» МИСиС (Моделирование полупроводниковых приборов).
  • Призер конкурса (II место) 2004 года на лучшее учебное издание в номинации «Курс лекций», выпущенное в издательстве «Учеба» МИСиС (Оптоэлектронные полупроводниковые приборы).

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. Юрчук С.Ю., Орлова М.Н. Основы математического моделирования: Учебное пособие. М.: МИСиС.– 2009, 90с.
  2. С.П. Кобелева, С.Ю.Юрчук, Б.В. Жалнин, И.В.Щемеров, Д.А.Кузьмин Особенности диффузии фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge// Материалы III международной научно-практической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике».– Нальчик, 2010, С.69-74.
  3. С.П. Кобелева, С.Ю.Юрчук, Б.В. Жалнин, И.В.Щемеров, Д.А.Кузьмин, И.М.Анфимов Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge// Материалы электронной техники. –2011.– №2, С.56-60.
  4. В.Н.Мурашев, С.А.Леготин, С.Ю.Юрчук Координатный полупроводниковый детектор рентгеновского излучения на основе пиксельных матриц// Датчики и системы. –2011.–№1, С.31-36.
  5. С.П. Кобелева, И.М. Анфимов, С.Ю. Юрчук, Е.А. Выговская, Б.В. Жалнин Влияние гетероструктуры In0.56Ga0.44P/Ge на диффузию фосфора в германии на формирование многокаскадного солнечного элемента// Письма вЖТФ, 2012, том 38, вып. 24, с. 33-38.
  6. Юрчук С.Ю. Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: Раздел: Моделирование наносистем методами молекулярной динамики: Курс лекций. М.: МИСиС, 2013.– 57 с.
  7. Юрчук С.Ю. Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: Раздел: Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами: Курс лекций. М.: МИСиС, 2013.– 51 с.
  8. S.P.Kobeleva, I.M.Anfimov, S.Yu.Yurchuk, E.A.Vygovskaya, B.V.Zhalnin Influence of InGaP/Ge Heterostructure of Diffusion of Phosphorus in Germanium During the Formation of Multiple Solar Cells// Technical Physics Letters, 2013, V.39, N.1, p.27-29.
  9. S.P. Kobeleva, S.Y. Yurchuk, I.M. Anfimov, I.V. Schemerov, R.K. Kolesnikov Coordinate-Dependent Diffusion of Phosphorous in Germanium in the In0.56Ga0.44P/Ge nanogeterostructure//Fifteenth annual conference YUCOMAT 2013 Serbia Montenegro, September 2-6, 2013.
  10. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ №2013612867 зарегистрировано 14.03.2013 «Виртуальный прибор измерения характеристик полевых транзисторов».
  11. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ №2013612843 зарегистрировано 14.03.2013 «Виртуальный прибор измерения семейств вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов (характериограф)».
  12. Юрчук С.Ю., Кобелева С.П. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ №2013612971 зарегистрировано 19.03.2013 «Расчет профилей распределения фотогенерированных носителей заряда в полупроводнике и фотопроводимости».
  13. Юрчук С.Ю., Кобелева С.П., Д.А.Кузьмин, Н.М.Тимофеев, И.М.Анфимов Расчет диффузионных профилей фосфора в германии, №2012613204, Зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ .04.2012.
  14. Юрчук С.Ю. Виртуальная установка релаксационной спектроскопиии глубоких уровней в полупроводниках №2013661890, Зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ .18.12.2013.
  15. Юрчук С.Ю. Тренажер «Физические принципы функционирования полупроводникового диода». №2013661887, Зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ .18.12.2013.
  16. Юрчук С.Ю. Виртуальный прибор измерения вольт-фарадеых характеристик МДП-структур. №2013661888, Зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ .18.12.2013.
  17. Юрчук С.Ю. Виртуальный прибор измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов. №2013661889, Зарегистрировано в реестре программ для ЭВМ .18.12.2013.

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

  1. «Проектирование основных образовательных программ, реализующих требование ФГОС ВПО» (Исследовательский центр проблем качества подготовки специалистов МИСиС, 72 часа), 2009.
  2. «Инновационная методика преподавания профилирующих структур в технических вузах» (Институт качества высшего образования НИТУ «МИСиС», 72 часа), 2013.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2009:
Есина Ю.В. «Разработка технологии выращивания подзатворного пониженной толщины и малой плотности дефектов» (инженер).
Гашуллин Р.З. «Изучение влияния облучения быстрыми электронами и термического отжига на характеристики оптопар АОТ110А и АОТ110Г» (инженер).
Орлов И.Н. «Создание универсального вольтметра на базе элемента RS2-5.7x» (бакалавр).
Светлов Р.Е. «Разработка цифрового амперметра на базе интерфейсного модуля MCX52-2.1» (бакалавр).
 

2010:
Агафонов Е.В. «Разработка герметичного бокса с инертной атмосферой для формирования органических полупроводниковых ячеек» (инженер).
Елагина В.А. «Разработка центрифужного устройства для формирования органических фотовольтаических тонкоплёночных полупроводниковых ячеек» (инженер).
Терзи О.А. «Разработка виртуальных лабораторных работ для практикума «физика полупроводниковых приборов» (инженер).
Афонькин А.В. «Разработка цифрового амперметра на основе интерфейсного модуля RS2-4.2» (бакалавр).
Полуянов С.В. «Изучение методик цифровых измерений на базе микропроцессорных модулей» (бакалар).

2011:

Касем И. «Разработка блока управления ориентацией солнечных батарей базе интерфейсного модуля MCX52-3.x». (магистр).

 

2012:
Филлипов И. «Разработка устройства измерения токов малых значений с помощью интерфейсного модуля MCX52-3.x». (инженер).
Хроменков Д.А «Разработка программного обеспечения для тестирования многоканального оптоэлектронного модуля» (магистр).

 


Дополнительные сведения: В свободное время занимается разработкой программ, имитирующих лабораторные работы по курсам "Физика твердого тела", "Физика полупроводниковых приборов" и "Полевые полупроводниковые приборы", разработкой устройств автоматизации на базе микропроцессорных модулей.