Рабочий телефон, кабинет: (499)237-21-29, ауд. K-503
E-mail: yurchuk@misis.ru
 
Дата рождения: 16 марта 1960 года.
 
Занимаемая должность: доцент.
 
Образование: окончил Московский институт стали и сплавов, каф. Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 1982 году.
 
Специальность и квалификация: «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», инженер электронной техники.
 
Ученая степень, звание: кандидат физико-математических наук, доцент.
 
Область научных интересов: физика полупроводниковых соединений AIIIBV, технология полупроводниковых приборов, моделирование технологических процессов и полупроводниковых приборов

Учебные курсы, читаемые в университете:

1. Основы математического моделирования (Курс направлен на изучение основных подходов к моделированию процессов электронной техники. Направленность курса частично теоретическая, частично практико-ориентированная. Изучаются основные методы решения уравнений математической физики. В процессе моделирования с использованием уравнений математической физики используются современные модели параметров технологических процессов).
2. Приборы квантовой и оптической электроники (Курс направлен на изучение современной полупроводниковой электроники, параметров оптоэлектронных приборов, устройств и систем, в которых процессы взаимодействия оптического излучения с веществом используются для генерации, передачи, обработки, хранения и отображения информации. Рассматриваются основные оптоэлектронные устройства и ситемы для отображения и передачи информации).
3. Методы математического моделирования (Курс направлен на изучение методов моделирования технологических процессов и устройств наноэ

Публикации:

1. С.П. Кобелева, С.Ю.Юрчук, Б.В. Жалнин, И.В.Щемеров, Д.А.Кузьмин, И.М.Анфимов Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge// Материалы электронной техники. –2011.– №2, С.56-60.
2. С.П. Кобелева, И.М. Анфимов, С.Ю. Юрчук, Е.А. Выговская, Б.В. Жалнин Влияние гетероструктуры In0.56Ga0.44P/Ge на диффузию фосфора в германии на формирование многокаскадного солнечного элемента// Письма в ЖТФ, 2012, том 38, вып. 24, с. 33-38.
3. S.P.Kobeleva, I.M.Anfimov, S.Yu.Yurchuk, E.A.Vygovskaya, B.V.Zhalnin Influence of InGaP/Ge Heterostructure of Diffusion of Phosphorus in Germanium During the Formation of Multiple Solar Cells// Technical Physics Letters, 2013, V.39, N.1, p.27-29.
 4. Yurchuk S.Yu., Kobeleva S.P., Anfimov I.M, Turutin A.V. Some aspects of phosphorus diffusion in germany in nanostructure In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge heterostructures// Journal of Nano- and Electronics Physics.– 2013.– V.5– №4.–04021(cc3)
5. Yurchuk S.Yu., Bazalevsky M.A., Koltsov G.I., Didenko S.I., Legotin S.A., Rabinovich O.I., Murashev V.N., Kazakov I.P. Photosensitive AlGaAs/GaAs structures grown by molecular beam epitaxy// Journal of Nano- and Electronics Physics.– 2013.– V.5– №4.–04001(cc3).
6. Yurchuk S.Yu.,Murashev V.N., Legotin S.A., Yaromskiy V.P., Osipov Yu.V., Astahov V.P., El’nikov D.S., Didenko S.I., Rabinovich O.I., Kuz’mina1 K.A. Analysis of the p-i-n-structures Electrophysical Characteristics Influenceon the Spectral Characteristics Sensitivity// Journal of nano- and electronic physics. – Vol. 7 No 2, 02023(5pp) (2015).
7. Yurchuk S.Yu.,Murashev V.N., Legotin S.A., Didenko S.I., Rabinovich O.I., Krasnov А.А. Improvement of Si-betavoltaic batteries technology// Advanced Materials Research Vols. 1070-1072 (2015) pp 585-588.
8. Yurchuk S.Yu., Legotin S.A., Murashev V.N., Krasnov A.A., Omel’chenko Yu.K., Osipov Yu.V., Didenko S.I., Rabinovich O.I. Simulation the Beta Power Sources Characteristics// Journal of nano- and electronic physics Vol. 7 No 3, 03014(5pp) (2015).
9. Yurchuk S.Yu., A. Legotin, V.N. Murashev, V.P. Yaromskiy, V.P. Astahov, K.A. Kuz’mina, O.I. Rabinovich1, D.S. El’nikov1, U.V. Osipov1, A.A. Krasnov, S.I. Didenko. The Spectral Sensitivity Characteristics Simulation of the Silicon p-i-n-structure1 with High Resistance "Wells”// Journal of nano- and electronic physics Vol.7 No 4, 04017(2pp) (2015).
10. S.Yu. Yurchuk, A.A. Krasnov, S.A. Legotin, Yu.K. Omelcchenko, S.I. Didenko, V.N. Murashev, O.I. Rabinovich, Osipov Yu.V. The Current-voltage Characteristics Simulation of the Betavoltaic Power Supply.// Journal of nano- and electronic physics Vol.7 No 4, 04005(4pp) (2015).
11. S.Yu. Yurchuk, A.A. Krasnov, S.A. Legotin, Yu.K. Omelcchenko, S.I. Didenko, V.N. Murashev, O.I. Rabinovich, V.P. Yaromsky. Optimization of Energy Conversion Efficiency Betavoltaic Element Based on Silicon// Journal of nano- and electronic physics Vol.7 No 4, 04005(4pp) (2015).
12. S.Yu. Yurchuk, S.P. Kobeleva, I.M. Anfimov, I.V. Schemerov, Kolesnikov R.K. Coordinate-Dependent Diffusion of Phosphorous in Germanium in the In0.56Ga0.44P/Ge nanogeterostructure// Fifteenth annual conference YUCOMAT 2013 Serbia Montenegro, September 2-6, 2013.
13. S.Yu. Yurchuk, S.P. Kobeleva, I.M. Anfimov, Turutin A.V. Some aspects of phosphorus diffusion in germanium in In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge heterostructures// SYMPOSIUM X Materials research for group IV semiconductors: growth, charac-terization & techno. Developments, Lille, France.- 2014.
14. S.Yu. Yurchuk, Murashev V.N., Legotin S.A., Didenko S.I., Rabinovich O.I., Krasnov А.А., Osipov U.V. Beta-power sours characteristics simulation//8th EEIGM International Conference on Advanced Materials Research, Valencia, 2015.
15. S.Yu. Yurchuk, Murashev V.N., Legotin S.A., Didenko S.I., Rabinovich O.I., Krasnov А.А., Osipov U.V., Astahov V.P., El’nikov D.S., Kuz’mina K.A. Simulation of sensitivity spectral characteristic for silicon P-I-N structure with high resistance “well”// 8th EEIGM International Conference on Advanced Materials Research, Valencia, 2015.
16. Юрчук С.Ю., Мурашев В.Н., Леготин С.А, Астахов В.П., Ельников Д.С., Диденко С.И., Рабинович О.И., Кузьмина К.А. Влияние уровня легирования на спектральную чувствительность PIN-структур фотоприемников// Междисциплинарные исследования в области математического моделирования и информатики. Материалы 5-й научно-практической internet-конференции. SIMJET, 2015. с.182-187.
17. Юрчук С.Ю., Мурашев В.Н., Леготин С.А., Нагорнов Ю.С., Краснов А.А., Диденко С.И., Рабинович О.И. Моделирование влияния времени жизни на спектральные характеристики pin-структур радиационно-стимулированных источников питания наоснове бета-источника никель-63// Междисциплинарные исследования в области математического моделирования и информатики. Материалы 5-й научно-практической internet-конференции. SIMJET, 2015. с.188-.194.
18. Юрчук С.Ю., Мурашев В.Н., Нагорнов Ю.С., Краснов А.А., Леготин С.А., Рабинович О.И. Оптимизация и расчет эффективности бетавольтаических элементов на основе различных pin-структур и источника никель-63// Междисциплинарные исследования в области математического моделирования и информатики. Материалы 5-й научно-практической internet-конференции. SIMJET, 2015. с.195-200.
19. S.Yu.Yurchuk, S.P. Kobeleva, I.M. Anfimov, I.V. Schemerov, R.K. Kolesnikov Coordinate-Dependent Diffusion of Phosphorous in Germanium in the In0.56Ga0.44P/Ge nanogeterostructure// Fifteenth annual conference YUCOMAT 2013 Serbia Montenegro, September 2-6, 2013.
20. S.Yu.Yurchuk, S.P. Kobeleva, I.M. Anfimov, A.V. Turutin Some aspects of phosphorus diffusion in germanium in In0,01Ga0,99As/In0,56Ga0,44P/Ge heterostructures// SYMPOSIUM X Materials research for group IV semiconductors: growth, charac-terization & techno. Developments, Lille, France.- 2014.
21. S.Yu.Yurchuk, Murashev V.N., Legotin S.A., Didenko S.I., Rabinovich O.I., Krasnov А.А., Osipov U.V. Beta-power sours characteristics simulation//8th EEIGM International Conference on Advanced Materials Research, Valencia, 2015.
22. Murashev V.N., Legotin S.A., Didenko S.I., Rabinovich O.I., Krasnov А.А., Osipov U.V., Astahov V.P., El’nikov D.S., Kuz’mina K.A. Simulation of sensitivity spectral characteristic for silicon P-I-N structure with high resistance “well”// 8th EEIGM International Conference on Advanced Materials Research, Valencia, 2015.
23. S.Yu.Yurchuk? M.N.Orlova, S.I.Didenko, K.I.Tapero Study of Degradation of Photovoltaic Cells Based on A3B5 Nanostructures Under Ionizing Radiation// Modern Electronic Materials, 2015, V.1: 60-65.
24. Sergey Yurchuk, Oleg Rabinovich and Sergey Didenko LED and Phototransistor Simulation// OPTOELECTRONICS ADVANCED DEVICE STRUCTURES Edited by Sergei L. Pyshkin and John Ballato, 2017, р. 49-68.

Авторские свидетельства и патенты (за 5 лет)

 

  1. Юрчук С.Ю., Кобелева С.П., Анфимов И.М., Кузьмин Д.А., Тимофеев Н.М. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Расчет диффузионных профилей фосфора в германии» №2012613204 зарегестрировано 14.02.2012.

  2. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Виртуальный прибор измерения характеристик полевых транзисторов». №2013612867 зарегистрировано 14.03.2013.

  3. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Виртуальный прибор измерения семейств вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов (характериограф)». №2013612843 зарегистрировано 14.03.2013.

  4. Юрчук С.Ю., Кобелева С.П. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Расчет профилей распределения фотогенерированных носителей заряда в полупроводнике и фотопроводимости». №2013612971 зарегистрировано 19.03.2013.

  5. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Виртуальный установка релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках». №2013661890 зарегистрировано 18.12.2013.

  6. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ Тренажер «Физические принципы функционирования полупроводникового диода». №2013661887 зарегистрировано 18.12.2013.

  7. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Виртуальный прибор измерения вольт-фарадных характеристик МДП-структур». №2013661888 зарегистрировано 18.12.2013.

  8. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Виртуальный прибор измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов». №2013661889 зарегистрировано 18.12.2013.

  9. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Двумерное моделирование характеристик бета-стимулированных источников питания». №2016613465 от 28.03.2016.

  10. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Моделирование фоточувствительных полупроводниковых многослойных гетероструктур»// №2016613467 от 28.03.2016.

  11. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Моделирование характеристик бетастимулированных источников питания».// №2016613837 от 07.04.2016.

  12. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Программа управления мониторингом режимов работы узлов ускорителя быстрых электронов», №2017613532 от 21.0,3.2017.

  13. Юрчук С.Ю. Свидетельство о государственной регистрации программ ЭВМ «Программа управления процессом измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов», № 2017613651 от 23.0,3.2017

Основная учебная литература:

  1. Юрчук С.Ю. Кольцов Г.И., Горюнов Н.Н. СВЧ-приборы и интегральные микросхемы: Лабораторный практикум. М.: МИСиС,1995. (Ключевые слова: СВЧ-приборы, лавинно-пролетные диоды, СВЧ-полевые транзисторы, шумовые характеристики).
  2. Юрчук С.Ю. Математические модели технологических процессов электронной техники: Лабораторный практикум. М.: МИСиС, 1997.  (Ключевые слова: моделирование, уравнение диффузии, термическое окисление, ионная имплантация, импульсный отжиг).
  3. Юрчук С.Ю. Математические модели технологических процессов, приборов и интегральных схем: Учебное пособие. М.: МИСиС, 1999.– 2009, 68с. (Ключевые слова: моделирование, модели параметров, уравнение диффузии, термическое окисление, ионная имплантация, импульсный отжиг).
  4. Юрчук С.Ю., Мурашев В.Н. Моделирование полупроводниковых приборов: Курс лекций. М.: МИСиС, 2001. (Ключевые слова: физико-топологическое моделирование, уравнение Пуассона, уравнение непрерывности, уравнение переноса, диод, транзистор).
  5. Мурашев В.Н., Ладыгин Е.А., Юрчук С.Ю., Прохоцкий Ю.М., Мельников А.Л., Галеев А.П., Паничкин А.В. Проектирование БИС (Раздел: Элементная база БИС): Курс лекций. М.: МИСиС, 2001. (Ключевые слова: большая интегральная схема, топология, проектирование).
  6. Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Мартынов В.Н. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Курс лекций. М.: МИСиС, 2004. (Ключевые слова: фотодиод, фототранзистор, оптрон, солнечные элемент, световод, индикатор).
  7. Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Лабораторный практикум. М.: МИСиС, 2006.– 62с. (Ключевые слова: фотодиод, фототранзистор, оптрон, солнечные элемент, световод, индикатор).
  8. Юрчук С.Ю., Орлова М.Н. Основы математического моделирования: Учебное пособие. М.: МИСиС, 2009.– 2009, 90 с. (Ключевые слова: численные методы, уравнение диффузии, метод прогонки, VisualBasic, объектно-ориентированное программирование).
  9. Юрчук С.Ю. Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: Раздел: Моделирование наносистем методами молекулярной динамики: Курс лекций. М.: МИСиС, 2013.– 57 с. (Ключевые слова: метод Монте-Карло, методы молекулярной динамики, молекулярно лучевая эпитаксия).
  10. Юрчук С.Ю. Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: Раздел: Математическое моделирование фотолитографических процессов и процессов электронной литографии при создании субмикронных структур и структур с нанометровыми размерами: Курс лекций. М.: МИСиС, 2013.– 51 с. (Ключевые слова: оптическая фотолитография литография, электронная литография, моделирование).
  11. Юрчук С.Ю. Основы математического моделирования// Курс лекций. Издательский дом МИСиС , 2014, 108 с.
  12. Юрчук С.Ю. Орлова М.Н., Борзых И.В., Щемеров И. Приборы квантовой и оптической электроники. Курс лекций. Издательский дом МИСиС 2015, 110 с. Размещено в электронной библиотеке НИТУ «МИСиС»

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  1. Разработка радиционно-стойких ионнолегированных фотоприемников на основе фосфида и арсенид фосфида галлия, 1988-1992.
  2. Разработка технологии ионного легирования для создания структур гетеробиполярного транзистора на арсениде галлия, 1993-1994.
  3. Исследование кинетики накопления и отжига глубоких центров в полупроводниковых соединениях А3В5, 2004.
  4. Обобщенная концепция перехода на двухуровневую подготовку в области техники и технологии, 2007.
  5. Разработка и апробация механизма практического внедрения двухуровневой подготовки в системе инженерного образования России, 2008.
  6. Разработка учебного модуля «Физические основы проектирования гетероструктурных фотопреобразователей», 2012 г.
  7. «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (кремниевый матричный фотоприёмник в диапазоне 0,5-1,1 мкм на основе функционально-интегрированных структур)», 30.09.2013-15.11.2015
  8. «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 – 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)», 30.09.2013-15.11.2015

Награды, почетные звания, другие достижения:

  • Медаль «850-лет Москвы».
  • Медаль «За безупречную службу МИСиС» III степени.
  • Почетная грамота оргкомитета Всероссийского конкурса дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения «Материаловедение-2005».
  • Почетная грамота оргкомитета Всероссийского конкурса дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения «Материаловедение-2006».
  • Призер конкурса (III место) 2002 года на лучшее учебное издание в номинации «Курс лекций», выпущенное в издательстве «Учеба» МИСиС (Моделирование полупроводниковых приборов).
  • Призер конкурса (II место) 2004 года на лучшее учебное издание в номинации «Курс лекций», выпущенное в издательстве «Учеба» МИСиС (Оптоэлектронные полупроводниковые приборы).

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

  1. «Инновационная методика преподавания профилирующих структур в технических вузах» (Институт качества высшего образования НИТУ «МИСиС», 72 часа), 2013.
  2. Инновационная методика преподавания профилирующих структур в технических вузах» (Институт качества высшего образования НИТУ «МИСиС», 72 часа), 2013.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2014:

Диланян А.Г. Разработка установки измерения характерист»»ик оптронов на базе цифрового многоканального самописца «S-Recorder-L (специалист)

Нурдавлетов К.М. Усовершенствование технологии серийного изготовления радиопрозрачных укрытий методом автоклавного формования. (специалист)

Яктимова М.В. Разработка компьютерного комплекса виртуального оже-спектрометра PHI-680 «Physical Electronics». (специалист)

 

2015:

Рак К.А. Разработка системы автоматизированного управления освещением с помощью программного комплекса Atmel Studio 6.2 и Diptrace на основе микроконтроллера ATmega32 (специалист).

 

Лешуков С.Ю. Разработка автоматизированного устройства для измерения ВАХ фотодиода на основе интерфейсного модуля fractal MCX52-2.1 (бакалавр)

 

Неустроева Н.И. Разработка компьютерной модели оже-спектрометра TP-PHI-680 фирмы «Physical Electronics» для виртуальной лаборатории. Моделирование высоковакуумных блоков (бакалавр).

 

Степанов Д. Разработка компьютерной модели ускорителя HVE-350 (бакалавр)

 

Никифоров Н.Ю. Моделирование панели управления каскадного ускорителя на 350 кэВ для имплантации тяжелых ионов HVE-350 (бакалавр).

 

Новикова В.Н. Моделирование панели управления ускорительного тракта и геометрии пучка ускорителя HVE-350 (бакалавр).

 

Халдеев И.А. Разработка компьютерной модели оже-спектрометра PHI-680 “Physical Elcetronics”: Внешние модули.

2016:

Амангельдин А. Разработка устройства измерения характеристик оптоэлектронных приборов на базе микропроцессорного модуля МСХ52-2.1 (магистр).

 

Гуляева Д.А. Разработка виртуальной панели управления установкой ионной имплантации HVE-350 (бакалавр).

 

Дедюкина А.А. Разработка модели виртуальной установки ионной имплантации HVE-350 (бакалавр).

 

Тихонов А.С. Цифровые измерения на основе микропроцессоров. Современное состояние и перспективы развития (бакалавр).

 

2017

Смирнов А.А. Оптимизация методики электрохимической профилометрии в структурах In0,5Ga0,5P:Si / In0,01Ga0,99As:Si. (бакалавр)

 

Халдеев И.А. Разработка компьютерной модели оже-спектрометра PHI-680“ Physical Electronics (магистр)

Дополнительные сведения: В свободное время занимается разработкой программ, имитирующих лабораторные работы по курсам "Физика твердого тела", "Физика полупроводниковых приборов" и "Полевые полупроводниковые приборы", разработкой устройств автоматизации на базе микропроцессорных модулей.