Кожитов Л. В., Кондратенко Т.Т., 
Регистрация 80-219-2005 от 20.01.05
 
В перечень подлежащих охране сведений входят:
-          Объем и расположение поверхности расплава кремния в тигле;
-           Тепловойрежим при затравливании;
-           Тестовой режим при выращивании монокристалл.
Способ позволяет выращивать профильный монокристалл кремния из расплава без применения формообразователя. Способ предназначен для применения в промышленном производстве профильных монокристаллов кремния, как исходного материала для изготовления цилиндрических подложек, с целью минимизации потерь монокристаллического кремния при резке монокристалла на заготовки подложек.