Ю.Н. Пархоменко, М.Д. Малинкович, В.В. Антипов, А.С. Быков 
Регистрация 292-339-2008 от 08.10.08
 
В перечень подлежащих охране сведений входят:
-         Режимы нагрева монокристалла и условия получения неоднородного теплового поля по объему.
-         Условия фазового перехода при градиентном охлаждении монокристалла до комнатной температуры.
-         Скорость понижения температуры на разных этапах технологического процесса.
-         Выбор сегнетоэлектрического материала с высокой температурой фазового перехода.
Кристаллы поляризуются без наложения дополнительных электродов из платины или палладия, что позволяет избавиться от использования драгметаллов и предотвратить растрескивание материала при охлаждении в результате точечного контакта и избежать возможной диффузии металла в материал при высоких температурах. Температурный градиент не приводит к диффузии ионов или заряженных вакансий, их перераспределения по объему и нарушения состава. Этот вредный эффект характерен при традиционном методе поляризации при наложении внешнего электрического поля на полярные грани и прохождении тока через кристалл. 
Способ найдет применение при изготовлении поляризованных монодоменных монокристаллов сегнетоэлектриков, используемых главным образом в оптоэлектронике и акустоэлектронике. Кристаллы поляризованные предлагаемым способом имеют стабильные характеристики пьезомодулей из-за более высокой однородности и степени поляризации.