Рабочий телефон: (495)633- 8123
Факс: (495)954-0010
E-mail: mail@newpiezo.com
Дата рождения: 26 июня 1963 года.
Должность: старший научный сотрудник.
Образование: высшее, Московский институт стали и сплавов, кафедра физической химии и технологии полупроводниковых материалов и особо чистых металлов
Год окончания: 1985 г.
 Специальность и квалификация: Технология специальных материалов электронной техники, инженер электронной техники..

1.Область научных интересов.

Кристаллоакустика, компоненты акустоэлектроники и материалы для них, термоэлектрические материалы и компоненты.  

3. Публикации:

  1. В.В. Аленков., Г.Д. Кузнецов., Ю.А. Ходос. Компьютерное моделирование массопереноса при плазмохимическом осаждении слоев аморфного кремния. // 3-я Всесоюзная конференция « Термодинамика и материаловедение полупроводников», Москва, Т.2, 1986 г.
  2. В.В. Аленков., Г.Д. Кузнецов., Д.К. Белащенко. Построение атомных моделей неупорядоченных систем по парной корреляционной функции. // Материалы 2-ой Всесоюзной конференции «Моделирование роста кристаллов», Рига, 1987 г.
  3.  Аленков В.В., Белащенко Д.К., Кузнецов Г.Д. Построение моделей жидкого кремния обычным и обобщенным методами Монте-Карло. // Расплавы. 1989. №4. С. 65-75.
  4. Аленков В.В., Белащенко Д.К., Грехов А.М., Кузнецов Г.Д. Моделирование на ЭВМ структуры, электронных и колебательных свойств чистого и гидрогенизированного аморфного кремния. // Расплавы, 1992, N6, 44-50.
  5. В.В. Аленков., Г.Д. Кузнецов. Моделирование атомной и электронной структуры аморфного кремния, содержащего водород, фтор и хлор. // Труды 1-ой Всероссийской конференции по материалам и технологии “Кремний -96», М., МИСиС, 1996 г.
  6. В.В. Аленков., Г.Д. Кузнецов., Ю.Г. Полистанский., В.А. Евсеев., С.А. Ершова. Технология материалов электронной техники. Микротехнология тонких пленок и твердотельных структур. // Изд. МИСиС 1998.
  7. Аленков В.В., Забелин А.Н., Переломова Н.В., Чижиков С.И. Экстремальные внешние воздействия для упругих волн, распространяющихся вблизи акустических осей в кристаллах. I. Пьезоэлектрик в электрическом поле // Кристаллография, 2005, Т. 50,   5, С.856-862. (Crystallography Reports, 2005, v.50,  5, p.869-875.)
  8. Аленков В.В., Забелин А.Н., Переломова Н.В., Чижиков С.И. Поведение акустических осей в центросимметричных кристаллах во внешнем электрическом поле и в кристаллах произвольной симметрии при механических воздействиях // Тезисы докладов Третьей Международной конференции по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века". - М.:МИСИС, 2006. - С. 27.
  9. В.В. Аленков, А.Н. Забелин, Н.В. Переломова, С.И. Чижиков, А.Б. Гриценко, П.И. Фоломин. Поведение акустических осей в центросимметричных кристаллах во внешнем электрическом поле и в кристаллах произвольной симметрии при одноосных механических воздействиях, Известия вузов. Материалы электронной техники, № 1, С.34-40, 2007
  10. Аленков В.В., Забелин А.Н., Переломова Н.В., Чижиков С.И. Экстремальные внешние воздействия для упругих волн, распространяющихся вблизи акустических осей в кристаллах. II. Центросимметричный кристалл в электрическом поле. III. Кристалл при внешних механических воздействиях // Кристаллография, 2007, Т. 52,   2, С. 279-287. (Crystallography Reports, 2007, v.52,  2, p.320-327.)
  11. В.В. Аленков., Ю.М. Белов., В.Т. Бублик., А.И. Воронин., В.Ф. Пономарев., Д.Г. Рябинин., Н.Ю. Табачкова. Влияние условий кристаллизации на структуру пластин твердых растворов термоэлектрических материалов на основе Bi2 Te3 , выращенных из расплава. //  Материалы электронной техники. № 2. 2008 г.,с.22-24.

ПАТЕНТЫ и ЗАЯВКИ

  1. В.В. Аленков., О.А.Бузанов., А.Б. Гриценко, Г.Г. Кознов. Международная заявка на изобретение по процедуре РСТ WO 98/40544 « Пластина лантангаллиевого силиката и способ ее получения». // Россия 17.09.1998 г.
  2. В.В. Аленков., О.А. Бузанов., А.Б. Гриценко, Патент RU, 2126064, кл. С30 В29/34. “Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката».// Россия 10.02.1999 г.
  3. В.В. Аленков., О.А. Бузанов., А.Б. Гриценко, Международная заявка на изобретение по процедуре РСТ WO 99/61686 «Способ получения монокристаллов лантангаллиевого силиката». // Россия 02.12.1999 г.
  4. В.В. Аленков., О.А. Бузанов., А.Б. Гриценко, Г.Г. Кознов.Европейский патент, ЕР, 0989212 А1 «Lanthanum gallium silicate disc and its preparation method”. // Европа 29.03.2000 г.
  5. О.А. Бузанов, В.В. Аленков, А.Б. Гриценко, Патент на изобретение № 2156327, «Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката», Россия,20.09.2000 г.
  6. В.В. Аленков., О.А. Бузанов., А.Б. Гриценко, Г.Г. Кознов. Заявка на патент PCT/RV97/00426 CN 1251625 A .// Китай 26.04.2000 г.
  7. В.В. Аленков., О.А. Бузанов., А.Б. Гриценко, Г.Г. Кознов. Патент US, 6 302 956, кл.117 – 13, 117-20, C30B “ Langasite wafer and method of producing same”. // США 16.10.2001 г.
  8. В.В. Аленков., О.А. Бузанов., А.Б. Гриценко, Г.Г. Кознов. Патент KR, 345020 « Method for growing single crystals of langasite” . // Южная Корея, 04.06.2002 г.
  9. В.В. Аленков., О.А. Бузанов., А.Б. Гриценко, Г.Г. Кознов. Патент JP, 3502394                 « Method for growing single crystals of langasite” . // Япония, 30.12.2003г.
  10. В.В. Аленков., О.А. Бузанов., А.Б. Гриценко, Г.Г. Кознов. Патент CN, (ZL) 97182076.7                « Method for growing single crystals of langasite” . // Китай, 7.07.2004г.
  11. Аленков В.В., Бузанов О.А., Медведев А.В., Сахаров С.А., Патент RU 2 287 621 кл.С1, «Способ термообработки монокристаллов лантангаллиевого силиката»Россия, 12.04.2005.
  12. Аленков В.В., Мацак А.Н., Сахаров С.А., Давыденко А.В., Патент RU 2 301 141 класс С1, «Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката», 30.11.2005.
  13. Абрамов В.С., Сощин Н.П.,Сушков В.П.,Щербаков Н.В.,Аленков В.В., Сахаров С.А.,Горбылев В.А.,Патент RU 2 315 135 класс С2, « Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов III группы», Россия, 20.01.2008.
  14. Аленков В.В., Бузанов О.А., Гриценко А.Б., Фоломин П.И. и др.(всего 11 человек), заявка на изобретение RU № 2009112527, «Способ твёрдофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата», дата приоритета 06.04.2009.

5. Участие в НИР, грантах, разработках и т.д. (тема, год): 

В направлении  «Термоэлектрические материалы, компоненты и сборки» руководил и принимал участие более чем в 20 НИР, ОКР и ОТР.
В направлении «Кристаллоакустика, компоненты акустоэлектроники и материалы для них» руководил и принимал участие более чем в 20 НИР, ОКР и ОТР.

7. Все научные и учебные публикации за последние 5 лет.:

  1. Аленков В.В., Забелин А.Н., Переломова Н.В., Чижиков С.И. Экстремальные внешние воздействия для упругих волн, распространяющихся вблизи акустических осей в кристаллах. I. Пьезоэлектрик в электрическом поле // Кристаллография, 2005, Т. 50,   5, С.856-862. (Crystallography Reports, 2005, v.50,  5, p.869-875.)
  2. Аленков В.В., Забелин А.Н., Переломова Н.В., Чижиков С.И. Поведение акустических осей в центросимметричных кристаллах во внешнем электрическом поле и в кристаллах произвольной симметрии при механических воздействиях // Тезисы докладов Третьей Международной конференции по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века". - М.:МИСИС, 2006. - С. 27.
  3. В.В. Аленков, А.Н. Забелин, Н.В. Переломова, С.И. Чижиков, А.Б. Гриценко, П.И. Фоломин. Поведение акустических осей в центросимметричных кристаллах во внешнем электрическом поле и в кристаллах произвольной симметрии при одноосных механических воздействиях, Известия вузов. Материалы электронной техники, № 1, С.34-40, 2007
  4. Аленков В.В., Забелин А.Н., Переломова Н.В., Чижиков С.И. Экстремальные внешние воздействия для упругих волн, распространяющихся вблизи акустических осей в кристаллах. II. Центросимметричный кристалл в электрическом поле. III. Кристалл при внешних механических воздействиях // Кристаллография, 2007, Т. 52,   2, С. 279-287. (Crystallography Reports, 2007, v.52,  2, p.320-327.)
  5. В.В. Аленков., Ю.М. Белов., В.Т. Бублик., А.И. Воронин., В.Ф. Пономарев., Д.Г. Рябинин., Н.Ю. Табачкова. Влияние условий кристаллизации на структуру пластин твердых растворов термоэлектрических материалов на основе Bi2 Te3 , выращенных из расплава. // Материалы электронной техники. № 2. 2008 г.,с.22-24.

ПАТЕНТЫ и ЗАЯВКИ

  1. Аленков В.В., Бузанов О.А., Медведев А.В., Сахаров С.А., Патент RU 2 287 621 кл.С1, «Способ термообработки монокристаллов лантангаллиевого силиката»Россия, 12.04.2005.
  2. Аленков В.В., Мацак А.Н., Сахаров С.А., Давыденко А.В., Патент RU 2 301 141 класс С1, «Способ обработки подложек монокристаллического лантангаллиевого силиката», 30.11.2005.
  3. Абрамов В.С., Сощин Н.П.,Сушков В.П.,Щербаков Н.В.,Аленков В.В., Сахаров С.А.,Горбылев В.А.,Патент RU 2 315 135 класс С2, « Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов III группы», Россия, 20.01.2008.
  4. Аленков В.В., Бузанов О.А., Гриценко А.Б., Фоломин П.И. и др.(всего 11 человек), заявка на изобретение RU № 2009112527, «Способ твёрдофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата», дата приоритета 06.04.2009.
  5. Аленков В.В., Бузанов О.А., Гриценко А.Б., Фоломин П.И. и др.(всего 11 человек), заявка на изобретение RU № 2009112527, «Способ твёрдофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата», дата приоритета 06.04.2009.
  6. Аленков В.В., Гриценко А.Б., Фоломин П.И., заявка на изобретение RU №2010119656, «Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата», дата приоритета 18.05.2010 г.
  7. Аленков В.В., Гриценко А.Б., Фоломин П.И., заявка на изобретение RU №2010119657, «Способ получения шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата», дата приоритета 18.05.2010 г.
  8. Аленков В.В., Гриценко А.Б., Фоломин П.И., заявка на изобретение RU №2010119658, «Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата», дата приоритета 18.05.2010 г.