Кожитов Л. В., Кондратенко Т.Т., 
Регистрация 86-219-2005 от 20.01.05
 
В перечень подлежащих охране сведений входят:
-         Применение источников диффузанта;
-         Крепление источника диффузанта по отношению к поверхности цилиндрической подложки.
Способ позволяет производить процесс диффузии в подложке цилиндрической формы. Позволяет применять подложки меньшей толщины по сравнению с подложками, применяемыми в методе планарной диффузии. Способ предназначен для производства диффузионных полупроводниковых p-n структур, обеспечивающих менее прямое падение напряжения при прямом включении силового полупроводникового прибора по сравнению с прибором на основе традиционных плоских (планарных) диффузионных структур.