ионно-имплантированной примеси в кремниевых структурах
 
Лагов П.Б.
Регистрация 9-035-2011 ОИС от 02.02.2011
 

В перечень подлежащих охране сведений входят:
-   Режимы ионной имплантации в кремниевой структуры (доза, энергия),
-   Режимы электронно-лучевой обработки кремниевых структур (поток,плотность потока, температура, энергия).
Позволяет снизить температуру электрической активации ионноимплантированной примеси по сравнению с термическим и фотонным отжигом, позволяет сократить технологический маршрут изготовления кремниевых СВЧ диодов.
Предлагаемый метод может быть использован при изготовлении широкого класс изделий микро- и наноэлектроники, в том числе высоковольтных детекторных СВЧ- диодов Шотки.