Рабочий телефон: (495)237-21-29

Дата рождения: 29 мая 1979 года.

Занимаемая должность: доцент.

Образование: окончил Московский институт стали и сплавов, кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 2001 году.
 
Специальность и квалификация: инженер по специальности “Микроэлектроника и полупроводниковые приборы".
 
Ученая степень, звание: кандидат технических наук, доцент.
 
Область научных интересов: физика полупроводников, физика и технология силовых полупроводниковых приборов, исследование радиационных воздействий на изделия электронной техники.

Учебные курсы, читаемые в университете:

    1. Силовые полупроводниковые приборы
    2. Физика конденсированного состояния
    3. СВЧ полупроводниковые приборы
    4. Основы радиационно-технологических процессов в электрони


Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

1. «Надежность оптоэлектронных устройств», НИТУ МИСиС, 17-22 июня 2013 г.


Публикации:

 
  1. Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Паничкин А.В., Осипов Г.А., Таперо К.И. - Физико-технические основы радиационных методов обработки полупроводниковых приборов и микросхем испытательного, отбраковочного и технологического характера. - Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2004. Вып. 4.       
  2. Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Орлова М.Н., Ручкин М.В., Жукова Н.С., Загрядский С.В. - Управление электрическими параметрами и снижение рассеиваемой мощности биполярных транзисторных структур с изолированным затвором методом радиационной технологии с использованием быстрых электронов. - Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. Вып. 1–2. С. 17–23.
  3.  Ладыгин Е.А., Коновалов М.П.,  Орлова М.Н., Ручкин М.В., Будишевский Ю.Д., Прокопов К.В. -Оптимизация статических и динамических параметров и повышение радиационной стойкости составных транзисторных структур. - Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. Вып. 1–2. С. 24–28.
  4.  Ладыгин Е.А., Коновалов М.П.,  Орлова М.Н., Ручкин М.В., Лагов П.Б., Сурма А.М. - Повышение быстродействия и радиационной стойкости силовых кремниевых диодов с применением радиационного технологического процесса. - Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. Вып. 1–2. С. 29–37.
  5. V.N. Murashev, M.P. Konovalov, S.A. Legotin, S.I. Didenko, O.I. Rabinovich, A.A. Krasnov, K.A. Kuzmina Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors. Journal of Nano- and Electronic Physics Vol. 7 No 1, 01011 (3pp) (2015).
  6. Мурашев В.Н., Краснов А.А., Максимов А.Н., Крымко М.М., Леготин С.А., Корнеев С.В., Коновалов М.П. Высоковольтный IGBT транзистор на основе Trench структур. Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2015. № 2-3 (236-237). С. 6-11.

Основная учебная литература:

1. Анфимов И.М., Кобелева С.П., Коновалов М.П. Физика твердого тела. Сборник задач. - М.: МИСиС, 2011, 70 с.

 Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

1. Тема № 7035205 «Исследование радиационной чувствительности Si и SiC диодов Шоттки при облучении гамма-квантами» - 2010 г.

2. Тема № 3035021 «Разработка специализированных полупроводниковых детекторов» - 2012-2013 гг.

3. Тема № 1035051 «Разработка методов и алгоритмов тестирования функционально сложных ЭРИ» - 2014 г.

4. Тема № 3035023 «Комплексные исследования многофункциональных материалов и приборов на их основе» - 2014-2016 гг.

5. Тема № 7035219 «Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники» - 2014-2015 гг.


Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:


2014:

Пилиш С.А. Разработка стенда для электротеста печатных плат (инженер).

Николашкина Т.И. Управление параметрами кремниевых импульсных диодов методом РТП (инженер).

Росалес Р.Г. Эффективность радиационно-технологического процесса для управления комплексом электрических параметров силовых диодов (инженер).

 

2015:

Тоноян Д. Силовые биполярные транзисторы. Управление их электрическими параметрами с помощью проникающей радиации с применением высокоэнергетических электронов (бакалавр).
Апросимова А.Е.
MOSFET транзисторы (бакалавр).

Суханов И.Р. Деградация IGBT транзисторов при воздействии высокоэнергетических электронов (бакалавр).

Куткин Д.И. Применение радиационного технологического процесса для управления электрическими параметрами силовых кремниевых диодов (инженер).

Пупышев И.С. Применение РТП для управления электрическими параметрами силовых кремниевых биполярных транзисторов Дарлингтона (инженер).

Филатов С.А. Влияние гамма-излучения на электрические и коммутационные характеристики IGBT (инженер).

 

2016:

Кириллина Н.Ю. Состояние и перспективы развития элементной базы силовой электроники (бакалавр).

Винокурова Е.П. Тиристоры. Современное состояние и перспективы их дальнейшего развития (бакалавр).

Фазилов Д.Э. Биполярные транзисторы с изолированным затвором и силовые модули на их основе. Современное состояние и перспективы дальнейшего развития (бакалавр).