Рабочий телефон: (495)237-21-29

Дата рождения: 29 мая 1979 года.

Занимаемая должность: доцент.

Образование: окончил Московский институт стали и сплавов, кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 2001 году.
 
Специальность и квалификация: инженер по специальности “Микроэлектроника и полупроводниковые приборы".
 
Ученая степень, звание: кандидат технических наук, доцент.
 
Область научных интересов: физика полупроводников, физика и технология силовых полупроводниковых приборов, исследование радиационных воздействий на изделия электронной техники.

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Материалы и элементы электронной техники.
  2. Основы лучевой технологии микроэлектроники.
Проводит лабораторные занятия по курсу "Физика твердого тела"

Публикации: 

  1. Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Паничкин А.В., Осипов Г.А., Таперо К.И. - Физико-технические основы радиационных методов обработки полупроводниковых приборов и микросхем испытательного, отбраковочного и технологического характера. - Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2004. Вып. 4.       
  2. Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Орлова М.Н., Ручкин М.В., Жукова Н.С., Загрядский С.В. - Управление электрическими параметрами и снижение рассеиваемой мощности биполярных транзисторных структур с изолированным затвором методом радиационной технологии с использованием быстрых электронов. - Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. Вып. 1–2. С. 17–23.
  3.  Ладыгин Е.А., Коновалов М.П.,  Орлова М.Н., Ручкин М.В., Будишевский Ю.Д., Прокопов К.В. -Оптимизация статических и динамических параметров и повышение радиационной стойкости составных транзисторных структур. - Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. Вып. 1–2. С. 24–28.
  4.  Ладыгин Е.А., Коновалов М.П.,  Орлова М.Н., Ручкин М.В., Лагов П.Б., Сурма А.М. - Повышение быстродействия и радиационной стойкости силовых кремниевых диодов с применением радиационного технологического процесса. - Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. Вып. 1–2. С. 29–37.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. Диденко С.И., Кольцов Г.И., Коновалов М.П., Осипов Ю.В., Сиделев А.В., Черных А.В., Черных С.В. – Создание детекторов ядерного излучения на основе полупроводниковых соединений A3B5 для регистрации слабовзаимодействующих частиц и квантов. Сборник тезисов конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике». Нальчик 2009. С. 239−241.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2008:
Кабанова С.А. «Применение высокоэнергетических электронов в технологии мощных тиристоров для улучшения их быстродействия» (инженер).
Четверкин П.В. «Управление электрическими параметрами силовых кремневых диодов методом РТП с использованием быстрых электродов» (инженер).
 
2009:
Шевернев А.И. «Управление электрическими параметрами силовых кремневых диодов методом РТП с использованием быстрых электродов» (инженер).
Кабанов М.Н. «Оптимизация мощных кремневых биполярных транзистор методом РТП» (инженер).
Грязнов С.О. «Применение высокоэнергетических электронов в технологии кремневых импульсных диодов для улучшения их быстродействия» (инженер).
Руссовский Р.В. «Оптимизация комплекса электрических параметров силовых кремневых диодов РТП» (инженер).
 
2010:
Поясков Д.В. «Применение радиационной технологии для управления» (инженер).
 Авдонин В.А. «Исследование воздействия высокоэнергетических электронов и термического отжига на электрические параметры мощных кремниевых диодов» (инженер).
Волобуев Т.О. «Оптимизация микропроцессорного терминала защит SPAC-801.01» (инженер).
Лобышов В.А. «Применение технологических процессов в технологии кремниевых диодов КВ641В для улучшения комплекса их электрических параметров» (инженер).
Логинов И.А. «Исследование влияния облучения высокоэнергетическими элементами на комплекс электрических параметров биполярных транзисторов с изолированными затвором IRGB14C40L» (инженер).
Ланцев А.А. «Исследование воздействия высокоэнергетических электронов и термического отжига на электрические параметры силовых диодов» (инженер).
Ефимов Е. В. «Управление электрическими параметрами мощных биполярных транзисторов типа КТ825А с мощностью радиационного технологического процесса» (инженер).
Логинов Ю. В. «Оптимизация характеристик кремневых импульсных диодов с использованием радиационной-термической обработки» (инженер).
Колесников К.С. «Применение радиационной технологии для управления параметрами мощных биполярных транзисторов КТ827А» (инженер).