Рабочий телефон: (495)236-03-04, 237-21-29.
E-mail: osipov@misis.ru
 
Дата рождения: 10 декабря 1949 года.
 
Занимаемая должность: заместитель директора ИНМиН, профессор кафедры ППЭиФПП.
 
Образование: окончил Кабардино-Балкарский государственный университет, Физико-математический факультет, отделение «физика» в 1972 году.
 
Специальность и квалификация: физик, преподаватель физики.
 
Ученая степень, звание: кандидат физико-математических наук, доцент.
 
Область научных интересов: физика межфазных явлений; моделирование многослойных структур и процессов их получения, радиационное воздействие на полупроводниковые материалы и приборы на их основе.
 

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
  2. Физика твердого тела.
  3. Моделирование технологических процессов (Диффузионные процессы с учетом влияния межфазных границ, диффузионные процессы с учетом протекания квазихимических процессов в твердом теле, уравнение Пуассона, диффузионные процессы с учетом встроенного электрического поля, обусловленного контактной разностью потенциалов).

Основная учебная литература:

  1. Осипов Ю.В. Расчет диффузионных профилей при различных начальных и граничных условиях. В кн. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Лабораторный |практикум. -М.: МИСиС, N 572,1988. .- с.27-43.
  2. Осипов Ю.В. Радиационное воздействие на полупроводники Лабораторный практикум. -М.: МИСиС, N 557,1988.-30 с.
  3. Галаев А.А., Осипов Ю.В., Потапов Ю.В. Влияние дислокаций на время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках. В сб. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Лабораторный практикум. Часть 3. -М.: МИСиС, № 86, 1994.-35 с.
  4.  Осипов Ю.В. Расчет диффузионных профилей при различных начальных и граничных условиях. В сб. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Лабораторный практикум. Часть 4. -М.: МИСиС, № 86, 1994. –17 с.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

В рамках научно-технической программы: Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники, подпрограмм: 205. Новые авиационные космические и транспортные технологии; 208 Электроника, разделы: 208.02. Полупроводниковые приборы, макро- и наноэлектроника, 208.01. Материалы для микро- и наноэлектроники выполнены в 2000-2005 г.г. следующие работы:
  1. Разработка технологии повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов и изделий микроэлектроники;
  2. Изучение влияния технологических параметров получения трехкаскадных фотоэлектрических структур на основе гидрогенизированного кремния с целью оптимизации технологии и поиска путей повышения эффективности фотопреобразователей;
  3. Исследование и оптимизация параметров получения многослойных структур на основе аморфного кремния.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1.  Анфимов И.М., Кобелева С.П., Осипов Ю.В., Торопова О.В., Хабазин В.Е., Калинин В.В.Пространственная неоднородность энергии активации отжига радиационных дефектов в кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 3. 2009. -с. 20-22.

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

Программа ДПО «Проектирование компетентностно – ориентированных ООП двухуровневой подготовки по инженерным направлениям», ГТУ «Московский институт стали и сплавов»,72 часа, обучение прошел с 06.10.2008 г. по 10.11.2008 г., регистрационный номер удостоверения о краткосрочном повышении квалификации ПК/1045.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2008:
Лосев С.А. «Процессы получения и области применения нанотрубок на основе углерода» (бакалавр).
Косторной С.И. «Нетрадиционные источники энергии (преобразования солнечной энергии)» (бакалавр).
Страшкин А.А. «Влияние радиационного воздействия на электрофизические параметры преобразователей солнечной энергии» (инженер).
Зверев А.В. «Изменение удельного сопротивления двухзендовым методом на основе микропроцессорного модуля МСХ 52-3.1» (инженер).
 
2009:
Лосев С.А. «Исследование влияния гамма излучения на выходные параметры элементов биполярной интегральной схемы» (инженер).
Рыжов К.И. «Влияние радиационного воздействия на электрофизические параметры фотоэлектрического преобразователя на основе GaAs/Gе» (инженер).
Аникеев Е.А. «Влияние радиационного воздействия на электрофизические параметры светодиодов синего и зеленого свечения» (инженер).
 
2010:
Охотин С.А. «Разработка МИС фазовращателя СВЧ диапазона» (инженер).
 Косарев Д.В. «Влияние радиационного излучения на датчики движения» (инженер).
 Воробьев В.С. «Влияние радиационного воздействия на электрофизические свойства биполярных транзисторов» (инженер).
 Кожариков В.В. «Влияние радиационного воздействия на электрофизические свойства силовых диодов» (инженер).
 Милин М.М. «Влияние радиационного воздействия на технические характеристики частотного фотодатчика на базе фоторезистора ФР1-3» (инженер).