и светоизлучающих диодов
 
Маняхин Ф.И., Наими Е.К.
Регистрация 212-038-2006 от 08,09,06
 
В перечень подлежащих охране сведений входят:
-         технология ультразвукового воздействия на квантово-размерные области p-n перехода светодиодов любой конструкции;
-         методика выявления потенциально ненадежных светоизлучающих структур и светоизлучающих диодов по распределению концентрации зарядовых центров;
-         методика определения природы зарядовых центров.
Обеспечение мониторинга зарядовых центров в активной области p-n перехода светодиодов при воздействии на них ультразвуковых колебаний; обеспечение выпуска надежных светоизлучающих структур и светоизлучающих диодов для работы в условиях высокочастотной механической вибрации, создание методов ускоренных испытаний на надежность и долговечность светоизлучающих структур и светодиодов.
Повышение качества и эксплуатационных характеристик светодиодов при использовании их в авиационной, космической, медицинской и других областях техники, при работе в условиях повышенного воздействия высокочастотных механических колебаний.