Рабочий телефон: +74956384457.
e-mail: ivshin@misis.ru
 
Дата рождения: 28 февраля 1985 года.
 
Занимаемая должность: инженер 1-й категории.
 
Образование: окончил с отличием ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 2007 году.
 
Специальность и квалификация: инженер по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
 
Область научных интересов: Альтернативная элементная база вычислительной техники, цифровая схемотехника, системное проектирование (SoB, SoC), САПР заказных сверхбольших интегральных схем.

Публикации:

  1. П. А. Ившин, С. А. Леготин, В. Н. Мурашёв. Базовые троичные логические элементы. Снижение энергопотребления. // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. — 2010. — № 2. С. 63—69.
  2. П. А. Ившин, С.А. Леготин, В. Н. Мурашев, М.Н. Орлова, А.С. Корольченко. Высокоточный кремниевый датчик температуры // Приборы и техника эксперимента. — 2010. — № 3. С. 42—43.
  3. P. A. Ivshin, S. A. Legotin, A. S. Korol’chenko and V. N. Murashev. A High Precision Silicon Temperature Sensor // Instruments and Experimental Techniques. — 2010. — Vol. 53, No. 5, pp. 768—769.
  4. П. А. Ившин. Реализация полупроводниковой троичной элементной базы // Перспективные архитектурные решения и компонентная база для троичных цифровых систем (Материалы семинара) М.: 2010.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  1. «Создание многоцелевого квантового биполярного координатного детектора радиационных частиц и излучений для приборов медицинского назначения таможенного контроля и радиационной физики» НК-79П (Госконтракт П691 от 12.08.09).
  2. «Исследование спектральной чувствительной тестовых структур СБИС квантового координатного детектора и разработка технологий его изготовления» НК-293П (Госконтракт П527 от 05.08.09).
  3. «Создание нового поколения компьютеров на основе трехзначной логики» НК-317П (Госконтракт П1056 от 20.08.09).
  4. «Разработка и исследование кремниевого последовательного динамического функционального устройства для применения в приборах тепловой диагностики» НК-389П (Госконтракт П2037 от 02.11.09).
  5. «Исследование радиационной стойкости кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии для применения в аппаратуре космического назначения» НК-391П (Госконтракт П2095 от 03.11.09).
  6. «Исследование и создание кремниевого зарядово-чувствительного детектора с внутренним усилением» НК-471П (П23 от 25.03.10).
  7. Разработка цифрового многоканального измерителя скорости детонации (2007 г.).
  8. НИОКТР по разработке и изготовлению тестового кристалла трёхуровневой логики и проведению исследований элементной базы тестового кристалла (совместно с ФГУП «ВО «Внештехника») (2011—2012 гг.).

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. П. А. Ившин, С. А. Леготин, В. Н. Мурашёв. Базовые троичные логические элементы. Снижение энергопотребления. // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. — 2010. — № 2. С. 63—69.
  2. Заявка на патент № 2009 117423 Российская Федерация. Устройство «НЕ» трехуровневой логики / П. А. Ившин, В. Н. Мурашёв и др.; заявл. 08.05.2009.
  3. Заявка на патент № 2009 117427 Российская Федерация. Устройство «ИЛИ» трехуровневой логики / П. А. Ившин, В. Н. Мурашёв и др.; заявл. 08.05.2009.
  4. Заявка на патент № 2009 117425 «Устройство «ИЛИ-НЕ» трехуровневой логики / П. А. Ившин, В. Н. Мурашёв и др.; заявл. 08.05.2009.
  5. Заявка на патент № 2009 117429 «Устройство «И-НЕ» трехуровневой логики / П. А. Ившин, В. Н. Мурашёв и др.; заявл. 08.05.2009.
  6. С. А. Леготин, В. Н. Мурашев, О. М. Орлов, А. С. Корольченко, П. А. Ившин. Кремниевый координатный детектор заряженных частиц и излучений на основе функционально-интегрированных структур с наномикронными активными областями // Приборы и техника эксперимента. — 2010. — № 4. С. 32—38.
  7. П. А. Ившин, С.А. Леготин, В. Н. Мурашев, М.Н. Орлова, А.С. Корольченко. Высокоточный кремниевый датчик температуры // Приборы и техника эксперимента. — 2010. — № 3. С. 42—43.
  8. V. N. Murashev, S. A. Legotin, O. M. Orlov, A. S. Korol’chenko and P. A. Ivshin. A Silicon Position Sensitive Detector of Charged Particles and Radiations on the Basis of Functionally Integrated Structures with Nano Micron Active Regions // Instruments and Experimental Techniques. — 2010. — Vol. 53, No. 5. pp. 657—662.
  9. P. A. Ivshin, S. A. Legotin, A. S. Korol’chenko and V. N. Murashev. A High Precision Silicon Temperature Sensor // Instruments and Experimental Techniques. — 2010. — Vol. 53, No. 5, pp. 768—769.
  10. П. В. Забеднов, П. А. Ившин. Альтернативные подходы к решению проблем суперкомпьютинга в России // Суперкомпьютинг в России и его проблемы (материалы семинара) М.: 2009 г.
  11. П. А. Ившин. Реализация полупроводниковой троичной элементной базы // Перспективные архитектурные решения и компонентная база для троичных цифровых систем (Материалы семинара) М.: 2010.

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

Cadence AMS Methodology Workshop (Всероссийский учебно-методический
семинар по проектированию аналого-цифровых микросхем, НИЯУ МИФИ, 10—14
октября 2011 г.).

Дополнительные сведения:

Участвовал в разработке курса «Основы проектирования интегральных схем и систем» для студентов факультета вычислительной математики и кибернетики МГУ (2011 г.)