Технические характеристики и возможности установки:

  • Возможность получения изображения во вторичных ионах и электронах в диапазоне увеличений Х 250-350000.
  • Пространственное разрешение до 5 нм2.
  • Возможность готовить ультратонкие пробы (толщиной до 50 нм) для просвечивающего электронного микроскопа на локальных участках образца.
  • Модификация и восстановление микросхем.
  • Гарантированный минимальный размер канавки травления 100нм, минимально достигаемый – 10 нм2.
  • Ионная пушка - галлиевая жидкометаллическая. Изменение размеров ионного пучка в пределах 5-500 нм с автоматической запрограммированной сменой апертур (не менее 10 ступеней).
  • Диапазон изменения тока ионного пучка: 1-10нА, плотность тока до 50А/см2  , нестабильность пучка менее 5%/час
  • Диапазон изменения ускоряющего напряжения источника первичных ионов (Ga-пушки) 5-30кВ.
  • Масс-спектрометр с возможностью детектирования ионов с массой от 0 до 200 а. е. м. с разрешением от 0,5 до 0,8 а. е. м.
  • Вакуум в исследовательской камере ~1,3·10-6 мбар после 24-х часовой откачки
  • Вакуум в камере ионной пушки < 4·10-7 мбар
  • Время откачки исследовательской камеры ~ 210 сек до 10-4 мбар
  • Максимальные размеры образца: диаметр 80 мм или площадь 55 мм2, высота до 25 мм, вес до 150 г.
  • 5 степеней свободы стола-держателя (X, Y±25 мм, Z 25мм, поворот 360º, наклон -10 +45º)
  • Источники для осаждения платины и ионно-стимулированного травления диэлектриков