тел.: 8 (495) 638-46-08

E-mail: baron50@rambler.ru

Дата рождения: 18 сентября 1934 г.

Занимаемая должность - профессор.

Образование: высшее. Окончил МГУ в 1958 г., квалификация - физик.

Ученая степень, звание: д. ф-м.н., профессор.

Область научных интересов: физика, конструирование и технология создания приборов современной полупроводниковой гетероструктурой СВЧ, микро- и наноэлектроника. Приборы на основе нитридных полупроводников.

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Твердотельная электроника. Аннотация. Фундаментальный курс, посвящен изложению физики полупроводниковых приборов. Имеет теоретическую и практическую направленность, является составной частью профессиональной подготовки.
  2. Электроперенос и оптические явления в гетерокомпозициях. Аннотация: Специальный курс,  посвященный новому разделу полупроводниковой электроники – разработке приборов на основе гетеропереходов, двумерным структурам и сверхрешеткам.

Публикации:

  1. А.Н. Ковалев, В.В. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, Ф.И. Маняхин. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN // Физика и техника полупроводников.  т.39, в.7, М., 2005, с.861-868.
  2. А.Н. Ковалев. Успехи и проблемы создания полевых гетеротранзисторов на основе материалов АШВУ // М. Изв. Вузов. Материалы электронной техники. № 2, 2005, с.4-13.
  3. А.Н. Ковалев. Современные методы усовершенствования полевых AlGaN/GaN  гетеро -транзисторов // М. Изв. Вузов. Материалы электронной техники. № 2, 2007, с.4-17.
  4. А.Н. Ковалев. Основные направления и проблемы создания AlGaN/GaN   гетероструктур и полевых транзисторов на их основе // Материалы У Российско-Японского семинара. М., МИСиС, 2007.
  5. А.Н. Ковалев. Биполярные гетеротранзисторы на основе SiGe и АШВУ // М. Изв. Вузов. Материалы электронной техники. № 2, 2008, с.4-21.
  6. А.Н. Ковалев. Гетероструктурная наноэлектроника // Изд-во «Учеба» .МИСиС, 2009.
  7. А.Н. Ковалев. Твердотельная электроника // Изд-во «Учеба», МИСиС, 2009.

Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:

  1. Ковалев А.Н. Полевые транзисторы на AlGaN/GaN структурах. М. Микрон-принт, 2001, 72с.
  2. Ковалев А.Н. Гетероструктурная наноэлектроники. М. «Учета», МИСиС, 2009, 154 с.
  3. Ковалев А.Н. Твердотельная электроника. М. «Учеба», МИСиС, 2009, 197 с.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

Грант. Тема № 3.219.602. 2009-2010 г.г. Создание научных основ процессов получения непланарных гетероструктур Si/Ge/GaAS.

Награды, почетные звания, другие достижения:

  • "Заслуженный ветеран МИСИС";
  • медаль «За трудовое отличие»;
  • медаль "850лет Москвы";
  • медаль «Ветеран труда»;
  • нагрудный знак Высшей школы СССР «За отличные успехи в работе».

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

  • Технология использования и разработки учебного курса с применением средств мультимедиа, МИСиС, 72 час., 2007 г.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

  1. Особенности изготовления полевых транзисторов на гетероструктуре AlGaN/GaN - инженер.
  2. Роль поверхностных состояний в формировании свойств полевых AlGaN/GaN гетеротранзисторов - инженер.
  3. Разработка современных биполярных гетеротранзисторов на основе SiGe и AIIIBV - ижненер.
  4. Зависимость характеристик полевых гетеротранзисторов AIIIBV c InGaAs каналом от способа легирования - магистр.
  5. Разработка технологических операций изготовлений полевых AlGaN/GaN гетеротранзисторов - инженер.
  6. Применение индий-содержащих слоев в полевых AlGaN/GaN гетеротранзисторах - магистр.

Дополнительные сведения:

Член диссертационного совета Д 212.132.06 по присуждению ученых степеней. Является членом редколлегии журнала «Материалы электронной техники», постоянным членом оргкомитета ежегодной Всероссийской конференции по нитридным полупроводникам.