в неоднородном электрическом поле для систем точного перемещения и позиционирования в микро- и нано-диапазонах
 
Ю.Н. Пархоменко, М.Д. Малинкович, В.В. Антипов, А.С. Быков 
Регистрация 293-339-2008 от 08.10.08
 
В перечень подлежащих охране сведений входят:
- конфигурация электродов для создания неоднородного электрического поля в объеме монокристалла;
- режимы нагрева и выдержки кристалла под полем;
- взаимная ориентировка поля и направления поляризации в кристалле;
- выбор монокристалла сегнетоэлектрика с высокой температурой фазового перехода.
Двухдоменные, биморфные структуры на основе монокристаллов сегнетоэлектриков это новый продукт по сравнению со своим прототипом – биморфами из пьезокерамики, что позволяет существенно улучшить эксплуатационные свойства устройств на их основе в системах перемещения т.к. удается достичь более низкого предела регулируемого перемещения, получаемого на уровне межатомных расстояний без гистерезиса, ползучести и остаточных деформаций. 
Пьезоэлектрические преобразователи электрических величин в механические, основанные на обратном пьезоэффекте, при использовании биморфных кристаллических элементов с продольно- изгибными деформациями, определяемыми величиной прикладываемого электрического поля не проявляют эффекта остаточных деформаций даже после миллионов срабатываний и могут эффективно использоваться для получения плавных прецизионных перемещений в различных устройствах нанотехнологий . Это открывает перспективы создания на основе монокристаллов с бидоменной структурой гаммы устройств различного функционального назначения, в которых происходит преобразование электрического сигнала в механический отклик- сканирующих устройствах зондовых микроскопов, подвижки оптических и лазерных систем, позиционеры для оптоволоконных систем, нанотехнологическом оборудовании.