Основные направления научной деятельности кафедры электротехники и микропроцессорной электроники

Структуро- и дефектообразование и их влияние на свойства массивных тонкопленочных материалов электронной техники
  • исследование технологической структуры и свойств гетерослоев с квантовыми ямами;
  • исследование влияния длительного протекания прямого тока через диодную структуру на характер распределения концентрации заряженных центров в ОПЗ и его влияние на основные параметры светодиодов;
  • разработка феноменологической модели деградации светодиодов, основанной на эффекте образования точечных дефектов под воздействием потока горячих электронов.
Воздействие излучений на металлы и диэлектрики и разработка физических основ радиационных технологий
  • исследование радиационных повреждений в светодиодных структурах методами емкостной спектроскопии, комплексными методами анализа электрофизических параметров.

Основные проблемы в области фундаментальных, поисковых и прикладных исследований решаются в рамках деятельности кафедры по направлениям:

  1. Разработка методов и систем управления дуговыми печами (д.т.н., проф. Фарнасов Г.А.)
  2. Разработка методов и устройств микропроцессорного управления электроэнергетическими устройствами и оборудованием (д.т.н., проф. Краснопольский А.Е.)
  3. Разработка методов и устройств для измерения электрофизических параметров изделий электронной техники (д.ф.-м.н., проф. Маняхин Ф.И.)
  4. В рамках 4-го направления проведены исследована взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP. Исследовано воздействие ультразвука на параметры поликристаллов и монокристаллов ZnS и ZnSe.

Выполнение госбюджетных тем

Рособразование, темплан: «Характеристики взаимодействий электромагнитного поля с веществом». Раздел III. «Влияние различных видов ионизирующего излучения на электрофизические свойства наноматериалов и наноструктур на их основе» – Науч. рук. – д.ф.-м.н., проф. Маняхин Ф.И.

Основные публикации

  1. Влияние ультразвуковой обработки на структуру энергетического спектра электронных ловушек в кристаллах ZnS /Зобов М., М.Е. Зобов, И.К. Камилов и др. // Изв. ВУЗов, Материалы электронной техники. – 2007. –. N3. – С. 39–42.
  2. Фединцев В.Е., Ф.И. Маняхин, А.А. Травин. Повышение надежности и эффективности системы автоматической оптимизации // Материалы международной научно-технической конференции «Надежность и долговечность механизмов, элементов конструкции и биомеханических систем», Севастополь, 4–7 сентября 2007 г. – С. 165-170.
  3. Ф.И. Маняхин. Механизм образования точечных дефектов в светодиодных структурах в процессе эксплуатации //Материалы IX Международной конференции «Опто–, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, Ульяновский гос. университет, 27–30 сентября 2007 г.

Участие в конференциях

  • IX Международная конференция «Опто–, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, Ульяновский гос. университет, 27–30 сентября 2007 г. – Ф.И. Маняхин – член оргкомитета конференции
  • Международная научно-техническая конференция «Надежность и долговечность механизмов, элементов конструкции и биомеханических систем», Севастополь, 4–7 сентября 2007 г.
  • Девятая ежегодная конференция «Образовательные, научные и инженерные приложения в среде LabVIEW и технологии National Instruments – 2010», Москва, Российском университете дружбы народов, 3-4 декабря 2010 г.

Защита диссертационных работ

Кодак А.С «Взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP». Дис.   к.т.н. по специальности 05.27.01. Защищена 17.05.2007 в срок.

Контактные телефоны и почта

Маняхин Федор Иванович – заведующий кафедрой, проф., д.ф-м.н.

Телефон: (495) 638-46-68
E-mail: fman@misis.ru