Тел.: р.(495)638-4439; д. (495)581-03-28,
E-mail: borun@hotbox.ru
Дата рождения: 04 января 1956 г.
Занимаемая должность: С.н.с. кафедры Материаловедения полупроводников и диэлектриков
Образование: высшее
(1) физический факультет СГУ (Саратовского государственного университета);
(2) курсы повышения квалификации по методам и установкам электронной и ионной спектроскопии в Рязани (НИТИ);
(3) курсы механизаторов при учебном комбинате Саратовского завода ПУЛ с ОКБ по специальности тракторист (гусеничный трактор ДТ-75, колесный МТЗ-50);
(4) Университет марксизма-ленинизма.
Год окончания:
(1) и (2) 1978 г.;
(3) март 1981;
(4) 1983.
Специальность и квалификация: (1) полупроводники и диэлектрики (диплом с отличием, рекомендация в аспирантуру, работа по специальности 1979-1995 в Саратове и Черноголовке, с 2001 по настоящее время в МИСиС), (2) электронная и ионная спектроскопия (работа по специальности 1979-1995, с 2001 по настоящее время).
Ученая степень, звание: к.ф.-м.н. (1995), звания нет.

1. Область научных интересов.

(1) GaAs и GaxAl1-xAs,
(2) Скрытые диэлектрические слои Si2N2O в Si, полученные методом ионной импланатации,
(3) β?FeSi2,
(4) источники Зинеровских электронов в кремнийорганических слоях, выращенных в высокочастотной плазме,
(5) стандарты калибровки Оже-спектрометров и рентгеновских фотоэлектронных спектрометров.

2. Учебные курсы, читаемые в университете (название курса, аннотация)

нет

3. Публикации

1) Анализ состава анодного окисла GaAs (100) методом электронной Оже-спектроскопии - Межвузовский научный сборник “Физика полупроводников и полупроводниковая электроника”, с.96-102. Изд-во Саратовского университета, 1981. 0.25 п.л. Соавт.: Кузнецов А.А., Филипченко В.Я., Якорев С.Н.
2) Определение состава гетероэпитаксиальных слоев твердых растворов AlGaAs методом рентгеновской двухкристальной спектрометрии - Межвузовский научный сборник “Физика полупроводников и полупроводниковая электроника”. Изд-во Саратовского университета, 1981. 0.25 п.л. Соавт.: Миронов Б.Н., Филипченко В.Я., Якорев С.Н., Хазанов А.А.
3) Исследование элементного состава реальной поверхности GaAs (100) методом электронной Оже-спектроскопии - Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Труды конференции. ЭЛМ. 1982, Баку. 0.1 п.л. Соавт.: Филипченко В.Я., Якорев С.Н.
4) Оже-спектроскопическое исследование поверхности подложек GaAs (100) после плазмохимической обработки - Отраслевая научно-техническая конференция “Методы и оборудование для физико-химических исследований поверхности материалов электронной техники”. Рязань, 1982. Электронная промышленность 1984, вып. 2(130), с.58-60. 0.15 п.л. Соавт.: Лазарев С.А., Филипченко В.Я., Якорев С.Н.
5) Фазовый состав пленок оксида германия, полученных при наклонном напылении в вакууме - Изв. АН СССР “Неорганические материалы” 1984, т.20, № 11, с.1852-1857. 0.3 п.л. Соавт.: Горбунов О.Б., Мухаев А.А., Севастьянов В.П., Филипченко В.Я., Финкельштейн С.Х., Якорев С.Н.
6) Расчет некоторых поправок к коэффициентам элементной чувствительности методом количественной Оже-спектроскопии - Электронная техника сер.8 “Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания”, 1986 вып.1(118). 0.1 п.л. Соавт.: Филипченко В.Я., Якорев С.Н.
7) Оценка угловой зависимости фактора обратного рассеяния в количественной Оже-спектроскопии - Электронная техника сер.8 “Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания”, 1986 вып.3(120). 0.1 п.л. Соавт.: Филипченко В.Я., Якорев С.Н.
8) Профили концентрации азота и кислорода, одновременно имплантированных в кремний - Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Ионно-лучевая модификация материалов", Черноголовка, 1987, стр.107. 0.05 п.л. Соавт.: Барит И.Я., Данилин А.Б., Иванов В.В., Кузьмин Л.Е., Шныкин Б.А.
9) Капитан и корабль / Химия и жизнь (Ученые досуги), март 1987, №3, с.82-83 (0.04 п.л.), под псевд. Александр Спирин. Позже перепечатано в сборнике ХиЖ.
10) Ионный синтез при одновременной имплантации азота и кислорода в кремний - Поверхность. Физика, химия, механика. 1988, №5, 143-145. 0.15 п.л. Соавт.: Данилин А.Б., Иванов В.В., Мордкович В.Н., Темпер Э.М.
11) Behaviour of oxygen and nitrogen upon simulteneous substoichiometric implantation into silicon / Radiation Effects, 1988, V.107, №1, C.9-13. 0.2 п.л. Соавт.: Данилин А.Б., Мордкович В.Н., Темпер Э.М.
12) Способ изготовления многослойных кремниевых структур - Авторское свидетельство № 1597027, Заявка № 4617979, Приоритет изобретения 3.11.88 г., МКИ H 01 L 21/31. Соавт.: Вылеталина О.И., Данилин А.Б., Дракин К.А., Малинин А.А., Мордкович В.Н.
13) Возможность создания КНИ-структур методом совместной имплантации достехиометрических доз азота и кислорода - Электронная техника, сер.3 Микроэлектроника, 1989, вып.1(130), 39-41. 0.1 п.л. Соавт.: Бузылев Н.В., Данилин А.Б., Мордкович В.Н., Темпер Э.М.
14) Способ изготовления многослойных кремниевых структур - Авторское свидетельство № 1584645, Заявка № 4632390, Приоритет изобретения 5.01.89 г., МКИ H 01 L 21/31. Соавт.: Белогорохов А.И., Вылеталина О.И., Данилин А.Б., Дракин К.А., Мордкович В.Н., Сарайкин В.В.
15) A model of ion synthesis of buried dielectric layers in silicon / Procedings of the 3rd International Autumn Meeting GADEST'89, Solid State Phenomena, Vols.6&7(1989) pp.517-524. 0.3 п.л. Соавт.: Барабаненков М.Ю., Данилин А.Б., Малинин А.А., Мордкович В.Н.
16) Heterogeneous process of new phase growth in the systems of various sinks: ion synthesis of silicon oxynitride / IIT'90 VIII Int. Conf. on Ion Implantation Technology, Final Program and Abstracts, 30.07-02.08.1990, Surrey University, Guildford, UK, P-I71. 0.05 п.л. Соавт.: Барабаненков М.Ю., Данилин А.Б., Мордкович В.Н.
17) A model of ion synthesis of buried dielectric layers in silicon / Nucl. Instr. and Meth. in Phis. Res., 1991, V.58, P.179-186. 0.5 п.л. Соавт.: Барабаненков М.Ю., Данилин А.Б., Мордкович В.Н.
18) Об очередной попытке прочтения Фестских дискет / Конференция Славистика, индоевропеистика, ностратика, 1991, Тезисы докладов, с.221-223 (0.06 п.л.), Институт славяноведения и балканистики АН СССР 1991. 0.1 п.л.
19) Heterogeneous processes of new phase growth in the systems of various sinks: ion synthesis of silicon oxynitride / Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B, 1992, V.66, P.352-356. 0.35 п.л. Соавт.: Барабаненков М.Ю., Данилин А.Б.
20) Silicon oxidation after the formation of buried silicon oxynitride layer // Preprints of the 1st Int. Conf. on Materials for Microelectronics, The Institute of Materials, 17-19 October 1994, Barselona, Spain, 279-280. 0.25 п.л. Соавт.: Данилин А.Б., Галаев А.А., Горюнова И.И., Пархоменко Ю.Н., Торопова О.В., Вылеталина О.И.
21) Study of low dose ion sinthesis with separate and sequential high and low temperature of implantation of oxygen and nitrogen into silicon // Preprints of the 1st Int. Conf. on Materials for Microelectronics, The Institute of Materials, 17-19 October 1994, Barselona, Spain, 227-228. 0.25 п.л. Соавт.: Данилин А.Б., Галаев А.А., Горюнова И.И., Пархоменко Ю.Н., Торопова О.В., Вылеталина О.И.
22) Исследование процессов окисления кремния в структуре со скрытым слоем оксинитрида кремния - Микроэлектроника-94 (Российская конференция с участием зарубежных ученых) 28.11-3.12.94, г.Звенигород, Тезисы до­кладов, с.219-220. 0.1 п.л. Соавт.: Данилин А.Б., Галаев А.А., Горюнова И.И., Пархоменко Ю.Н., Торопова О.В., Вылеталина О.И.
23) Исследование фазового состава скрытого слоя оксинитрида кремния, полученного методом ионного синтеза - Микроэлектроника-94 (Российская конференция с участием зарубежных ученых) 28.11-3.12.94, г.Звенигород, Тезисы докладов, с.221-222. 0.1 п.л. Соавт.: Данилин А.Б., Галаев А.А., Горюнова И.И., Пархоменко Ю.Н., Торопова О.В., Вылеталина О.И.
24) Method of XPS Spectrum Analysis for Specimens of Complex Variable Composition (Silicon Oxides and Nitrides) // Simposium Proceedings of 1994 IUMPS-Intern. Conf. on Electronic Materials, Dec. 19-21, Hsinchu, Taiwan, eds. L.J. Chen, T.T. Tsong, S.C. Sun, Materials Res. Soc., Hsinchu, Taiwan, V.1 "Thin Film Materials, Surface&Interface Structures, ULSI Materials", 53-57. 0.5 п.л.
26) Метод анализа РФЭ-спектров от образцов сложного переменного состава (на примере соединений кремния с азотом и кислородом) // Поверхность. Физика, химия, механика, 1995, №7-8, 36-41. 0.9 п.л.
27) XPS Measurements of SIMON SOI: An Attempt to Take Account of the Effect of Homogenisation During Ion Sputtering on the Sub-stoichiometric Oxynitride - ECASIA'95 Abstacts (6th European Conference on Application of Surface and Interface Analysis, Ed. H.J.Mathieu, Congress Centre, Montreux-Switzerland October 9-13, 1995), QA-49. Соавт.: A.B.Danilin, A.A.Galaev, Yu.N.Parkhomenko.
28) PS Spectra Analysis with Quantitative Data Criterion - ECASIA'95 Abstacts (6th European Conference on Application of Surface and Interface Analysis, Ed. H.J.Mathieu, Congress Centre, Montreux-Switzerland October 9-13, 1995), QA-50. Соавт.: A.B.Danilin, A.A.Galaev, Yu.N.Parkhomenko.
29) Процессы фазообразования при ионном синтезе скрытых диэлектрических слоев в кремнии, имплантированном атомами кислорода и азота. Автореферат диссертации на соискание степени к.ф.-м.н. М., 1995, 1 п.л.
30) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 (базовая) для Windows. Установка и конфигурация. М., 1995-1996, 23 с. (0.48 п.л.)
31) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Установка и конфигурация. М., 1995-1996, 38 с. (0.79 п.л.)
32) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 (сетевая) для Windows. Установка и конфигурация. М., 1995-1996, 42 с. (0.88 п.л.)
33) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Руководство пользователя. М., 1995-1996, 306 с. (6.38 п.л.)
34) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Справочное руководство. М., 1995-1996; 97 с. (2.02 п.л.)
35) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Выходные формы и бухгалтерские проводки. М., 1995-1996, 201 с. (4.19 п.л.)
36) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Комплектация (учет в производстве). М., 1995-1996, 25 с. (0.52 п.л.)
37) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Учебно-ознакомительная версия. М., 1995-1996, 38 с. (0.79 п.л.)
38) 1С:Бухгалтерия 7.7 Базовая версия Руководство пользователя Фирма «1С», М., Ó1996-1999, 436 с. (9.08 п.л.), соавт. В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов, А. Шевченко.
39) Изучение процессов фазообразования при ионном синтезе скрытых диэлектрических слоев оксинитрида кремния в кремнии. Поверхность: физика, химия, механика, 1996, №9, соавт.: Галаев А.А., Пархоменко Ю.Н., Горюнова И.И.
40) XPS Spectra Analysis with Quantitative Data Criterion - Advanced Performance Materials 4, 161–164 (1997) Соавт.: A.A.Galaev, Yu.N.Parkhomenko. 0,22 п.л.
41) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Установка и конфигурация. М., 1997, 107 с. (2.23 п.л.)
42) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Руководство пользователя. М., 1996-1997, 222 с. (4.63 п.л.)
43) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Справочное руководство. М., 1997, 232 с. (4.83 п.л.)
44) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Выходные формы и бухгалтерские проводки. М., 1997, 148 с. (3.08 п.л.)
45) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Комплектация. М., 1997, 31 с. (0.65 п.л.)
46) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Базовая версия 4.5 для Windows. М., 1997, 243 с. (5.06 п.л.)
47) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для DOS. Основные особенности М., 1997, 87 с. (1.81 п.л.)
48) Аспект Магазин 4.5 Руководство пользователя М., 1997, 352 с. (7.33 п.л.)
50) Аспект 4.5 для Windows Учебно-ознакомительная версия. М., 1998, 63 с. (1.31 п.л.)
51) А боги кто? / Мир ПК. М., 1998. Июнь. С.167 (0.04 п.л.).
52) Организация и приемы компьютерного учета в торговле, 1998, (книгу можно скачать на сайте http://www.ist.ru/t-sys/borun.asp?act=4) (5.15 п.л.)).
53) 1С:Аспект. Компактная торговая система. Руководство пользователя, Фирма ИСТ, М., 1999, 332 с. (6.92 п.л.), соавт. Богачева Т.Г.
54) Что такое 1С:Аспект, М., 1999, 68 с. (1.42 п.л.), соавт. Богачева Т.Г.
55) (а, б). а 1С:Предприятие 7.7 бета-версия Руководство пользователя, Фирма "1С", М., 1999, 504 с. (10.50 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов, А. Шевченко; б) 17 окт. 1999, 520 с. (10.83 п.л.).
56) 55 (а, б), 56 (а, б). а) 1С:Предприятие 7.7 бета-версия Конфигурирование и администрирование, Фирма "1С", М., 1999, ч.1 - 388 с. (8.08 п.л.), ч.2 - 366 с. (7.63 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов; б) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурирование и администрирование, Фирма "1С", М., 17 окт. 1999, ч.1 - 396 с. (8.25 п.л.), ч.2 - 388 с. (8.08 п.л.), соавт. те же
57) 1С:Предприятие Версия 7.7 Описание встроенного языка, Фирма "1С", М., 14 окт. 1999, ч.1 - 515 с. (10.73 п.л.), ч.2 - 515 с. (10.73 п.л.), соавт.: В. Байдаков, Б. Федоров
58) 1С:Предприятие 7.7 бета-версия Управление распределенными информационными базами, Фирма "1С", М., 1999, 71 с. (1.48 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов.
59) 1С:Предприятие Версия 7.7 Оперативный учет. Руководство пользователя, Фирма "1С", М., 17 окт. 1999, 266 с. (5.54 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов, В. Филиппов, А. Шевченко
60) 1С:Предприятие Версия 7.7 Руководство по ведению учета (Описание типовой конфигурации и редации 3.1). Фирма "1С", М., 20 окт. 1999, 338 с. (7.04 п.л.), соавт.: В. Байдаков, Б. Федоров
61) 1С:Предприятие Версия 7.7 Расчет. Руководство пользователя, Фирма "1С", М., 17 окт. 1999, 284 с. (5.92 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов, В. Филиппов, А. Шевченко
62) 1С:Предприятие Версия 7.7 для SQL. Особенности установки и использования. Фирма "1С", М., 1999, 48 с. (1.00 п.л.), соавт.: В. Байдаков, Б. Федоров
63) 1С:Аспект 7.7 ред. 2, Руководство пользователя. Фирма ИСТ, М., 1999, 217 с. (4.52 п.л.), соавт. Богачева Т.Г.
64) 1С:Аспект 7.7 ред. 2, Справочное руководство. Фирма ИСТ, М., 1999, 210 с. (4.38 п.л.), соавт. Богачева Т.Г., В. Байдаков, Б. Федоров.
65) Конфигурация 1С:Аспект-Ювелир для 1С:Предприятия 7.7, Руководство пользователя, Фирма ИСТ, М., 1999, 263 с. (5.48 п.л.), соавт. Богачева Т.Г.
66) Информационно-справочная система «Рынок нефтепродуктов» (ИСС РН), версия 3. РП, ИА "Кортес", М., 1999.
67) Новый аспект торгового учета / Мир ПК # 8, М., "Открытые системы", 1999.
68) (а-г). а) 1С:Предприятие 7.7 бета-версия Руководство по установке и запуску, Фирма "1С", М., 1999, 60 с. (1.25 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов; б) 1С:Предприятие Версия 7.7 Руководство по установке и запуску, Фирма "1С", М., 1999, 63 с. (1.31 п.л.), соавт.: В. Байдаков, Б. Федоров; в) 13 окт. 1999, 65 с. (1,35 п.л.); г) 22 июня 2000, 67 с. (1.40 п.л.)
69) (а, б). а) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.5) Описание Фирма «1С», М., 4 марта 2000 г., 392 с. (8.17 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева, Б. Федоров; б) 25 апреля 2000, 394 с. (8.21 п.л.).
70) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.6) Описание Фирма «1С», М.,18 авг. 2000, 434 с. (9.04 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева, Б. Федоров.
71) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.6) Описание Фирма «1С», М., 25 сент. 2000 (версия 8.62), 436 с. (9.08 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева, Б. Федоров.
72) 1С:Предприятие 7.7 Комплексная конфигурация “Бухгалтерия + Торговля + Склад + Зарплата + Кадры” Редакция 2.6. Описание. Фирма «1С», М., 13 сент. 2000, 826 с. (17.21 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева, А. Моничев, Г. Соколова, Б. Федоров, О. Фогель, А. Шевченко.
73) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.7) Описание Фирма «1С», М., 25 янв. 2001, 484 с. (10.08 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева (версия 8.70)
74) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.7) Описание Фирма «1С», М., 6 фев. 2001, 488 с. (10.17 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева (версия 8.72)
75) Избранное / Геликон Плюс, Спб, 2001. 184 стр. (3.83 п.л.)
76) Yu.N. Parkhomenko, A.I. Belogorohov, V.I. Vdovin, E.A. Vygovskaya, A.F. Boroun. Latent layers alfa-Fe disilicide in Si obtained by ion-beam synthesis. . News from higher institutions for the study of materials of electronic engineering. [in Russian Izvestia vuzov], 2002
77) Исследование методами ВИМС, РД и Фурье-ИК-спектроскопии приповерхностного слоя FeSi2, сформированного ионной имплантацией Fe+ в Si(100) // Материалы конференции «Вторая всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнология», Санкт-Петербург – Хилово, Псковская обл., 23-28 сентября 2002, с.170-171, 0.1 п.л., Соавт.: Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Выговская Е.А.
78) Скрытые слои β-дисилицида железа в кремнии, полученные методом ионно-лучевого синтеза // Материалы электронной техники, 3’02, М., МИСиС, 2002, с.46-50, 0.54 п.л., Соавт.: Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Выговская Е.А.
79) Study of structure and optical properties of FeSi2 formed by ion implantation of Fe+ in Si(100), Mat. E-MRS Spring Meeting 2002, June 2002, Strasburg, France (Symposium H: Si-based Optoelectronics: Advanced and Future Perspectives). / Yu. N. Parkhomenko, A.I. Belogorokhov, E.A. Vygovskaja
80) Исследование методами вторично-ионной масс-спектрометрии, рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Фурье-ИК-спектрометрии формирования β-дисилицида железа в кремнии методом ионного синтеза (тезисы). XII-е Международное совещание “Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 30 июня – 7 июля 2002. объем 1/0,5 c. Соавт.: А.И. Белогорохов, В.И. Вдовин, Е.А. Выговская, , Ю.Н. Пархоменко, Е.Г. Полякова
81) Формирование скрытого слоя дисилицида железа в кремнии методом ионного синтеза (тезисы). Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых) КРЕМНИЙ-2002, Новосибирск 9-12 июля 2002, с. 131 / объем 1/0,5 c. /соавт.: В.И. Вдовин, А.А. Калинин, Е.А. Выговская, Ю.Н. Пархоменко
82) Optical properties and structure of FeSi2 formed by ion implantation of Fe+ in Si(100) (тезисы), Fifth ISTS Scientific Advisory Committee «Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology” St. Petersburg, Russia, 27-29 May 2002 объем 1/0,5 с. Соавт.: A.I. Belogorokhov, V.I. Vdovin, E.A. Vygovskaja, Yu. N. Parkhomenko
83) Слои FeSi2, полученные методом ионно-пучкового синтеза (статья). Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники, 2003, №3, с. 51-58 объем 8/4c Соавт.: А.И. Белогорохов, В.И. Вдовин, Е.А. Выговская, Ю.Н. Пархоменко
84) Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа // Материалы совещания "НАНОФОТОНИКА 2003" Нижний Новгород, 17-20 марта 2003, т. 2, стр. 280. 0.23 п.л., 0.42 а.л. с рис. Соавт.: Штейнман Э.А., Вдовин В.И., Изотов А.Н., Пархоменко Ю.Н., Выговская Е.А., Федотов В.Н., Полякова Е.Г.
85) Структура слоев кремния, имплантированных ионами железа // Тезисы докладов третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003») 26-30 мая 2003 г., с. 211-212, 0.14 п.л., 0.18 а.л. Соавт.: Вдовин В.И., Пархоменко Ю.Н., Выговская Е.А.
86) Исследование слоя FeSi2, сформированного ионной имплантацией Fe+ в Si(100): распределение Fe и тип межзонного перехода // Тезисы докладов третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003») 26-30 мая 2003 г., с. 242-243, 0.08 п.л., 0.11 а.л. Соавт.: Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Выговская Е.А.
87) Исследование методами ИК-Фурье спектроскопии и комбинационного рассеяния света скрытыхслоев дисилицида железа в кремнии, полученных методом ионно-лучевого синтеза // Тезисы докладов третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003») 26-30 мая 2003 г., с. 244-245, 0.15 п.л., 0,19 а.л. Соавт.: Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Выговская Е.А.
88) The strain distribution in Si lattice of the layer containing β-FeSi2 precipitates // International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2003” (ICMNE-2003) abstracts, October 6th – 10th, 2003, Moscow – Zvenigorod, Russia, P2-78, 0.08 п.л., 0.11 а.л. срис., соавт. Пархоменко Ю.Н., Выговская Е.А., Хмельницкая Н.П.
89) A.F. Borun, “The strain distribution in Si lattice of the layer containing β-FeSi2 precipitates” in Micro- and Nanoelectronics 2003, edited by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky, Proceedings of SPIE Vol. 5401 (SPIE, Bellingham, WA, 2004), pp. 242-250, Соавт. N.P. Khmelnitskaja, Yu.N. Parkhomenko, E.G. Polyakova, E.A. Vygovskaja, 0.63 а.л.
90) Э.А. Штейнман, В.И, Вдовин, А.Н. Изотов, Ю.Н. Пархоменко, А.Ф. Борун. Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа ФТТ, 2004, 46, вып. 1, с. 26-30 – 0,7 а.л.
91) А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, Ю.Н. Пархоменко, Е.Г. Полякова, О.В. Торопова. Напряжения в решетке Si вблизи преципитатов β-FeSi2. Кремний 2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства, Красноярск, 4-6 июля 2006 г. Тезисы докладов, с. 69. 0,1 а.л.
92) А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, М.Д. Малинкович, Ю.Н. Пархоменко, Е.А. Скрылева, О.В. Торопова, М.Л. Шупегин. Электрическая прочность аморфных кремний-углеродных пленок, полученных осаждением из высокочастотной плазмы паров полифенилметилсилоксана, в зависимости от рабочего напряжения осаждения, толщины пленок и отжига. 3-я Всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнология» с 24 сент. по 1 окт. 2006 Хилово Псковской обл.
93) A.F. Borun, A.M. Dodonov, M.D. Malinkovich, Y.N. Parkhomenko, M.L. Shupegin, A.A. Polisan, E.A. Skryleva. Dielectric properties of silicon-carbon films synthesized from siloxanes. VI Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные методы микро- и нанотехнологии» 17-22 сент. 2006 Кисловодск, Россия
94) А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, Ю.Н. Пархоменко, Е.Г. Полякова, В.В. Рязанцев, Напряжения в решетке Si вблизи преципитатов β-FeSi2, Материалы электронной техники, №2, 2006, c. 39-44 + илл. на внутр. стороне обложки.
95) А.Г. Ермилов, Н.Н. Ракова, А.Ф. Борун, А.М. Додонов, Факторы, влияющие на образование связей металл-углерод в металлоорганических смесях, Известия вузов. Цветная металлургия, №1, 2007, с. 28-34.
96) A.G. Ermilov, N.N. Rakova, A.F. Borun, and A.M. Dodonov, Factors and Affect the Formation of Metal-Carbon Bonds in Metalorganic Mixtures, Russian Journal of Non-Ferrous Metals, 2007, Vol. 48, No 1, pp. 25-34.
97) А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, М.Д. Малинкович, Ю.Н. Пархоменко, О.В. Торопова, Два источника Зинеровских электронов в предпробойной вольт-амперной характеристике диэлектрической пленки на основе полифенилметилсилоксана, Материалы электронной техники, №4, 2008, с.38-42

4. Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель

1) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 (базовая) для Windows. Установка и конфигурация. М., 1995-1996, 23 с. (0.48 п.л.)
2) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Установка и конфигурация. М., 1995-1996, 38 с. (0.79 п.л.)
3) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 (сетевая) для Windows. Установка и конфигурация. М., 1995-1996, 42 с. (0.88 п.л.)
4) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Руководство пользователя. М., 1995-1996, 306 с. (6.38 п.л.)
5) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Справочное руководство. М., 1995-1996; 97 с. (2.02 п.л.)
6) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Выходные формы и бухгалтерские проводки. М., 1995-1996, 201 с. (4.19 п.л.)
7) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Версия 4.0 для Windows. Комплектация (учет в производстве). М., 1995-1996, 25 с. (0.52 п.л.)
8) Программа Аспект. Торговля и складской учет. Учебно-ознакомительная версия. М., 1995-1996, 38 с. (0.79 п.л.)
9) 1С:Бухгалтерия 7.7 Базовая версия Руководство пользователя Фирма «1С», М., Ó1996-1999, 436 с. (9.08 п.л.), соавт. В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов, А. Шевченко.
10) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Установка и конфигурация. М., 1997, 107 с. (2.23 п.л.)
11) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Руководство пользователя. М., 1996-1997, 222 с. (4.63 п.л.)
12) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Справочное руководство. М., 1997, 232 с. (4.83 п.л.)
13) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Выходные формы и бухгалтерские проводки. М., 1997, 148 с. (3.08 п.л.)
14) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для Windows. Комплектация. М., 1997, 31 с. (0.65 п.л.)
15) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Базовая версия 4.5 для Windows. М., 1997, 243 с. (5.06 п.л.)
16) Аспект. Универсальная торгово-складская система. Версия 4.5 для DOS. Основные особенности М., 1997, 87 с. (1.81 п.л.)
17) Аспект Магазин 4.5 Руководство пользователя М., 1997, 352 с. (7.33 п.л.)
18) Аспект 4.5 для Windows Учебно-ознакомительная версия. М., 1998, 63 с. (1.31 п.л.)
19) Организация и приемы компьютерного учета в торговле, 1998, (http://www.ist.ru/t-sys/borun.asp?act=4) (5.15 п.л.).
20) 1С:Аспект. Компактная торговая система. Руководство пользователя, Фирма ИСТ, М., 1999, 332 с. (6.92 п.л.), соавт. Богачева Т.Г.
21) Что такое 1С:Аспект, М., 1999, 68 с. (1.42 п.л.), соавт. Богачева Т.Г.
22) 1С:Предприятие 7.7 бета-версия Руководство пользователя, Фирма "1С", М., 1999, 504 с. (10.50 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов, А. Шевченко; б) 17 окт. 1999, 520 с. (10.83 п.л.).
23) 1С:Предприятие 7.7 бета-версия Конфигурирование и администрирование, Фирма "1С", М., 1999, ч.1 - 388 с. (8.08 п.л.), ч.2 - 366 с. (7.63 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов; б) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурирование и администрирование, Фирма "1С", М., 17 окт. 1999, ч.1 - 396 с. (8.25 п.л.), ч.2 - 388 с. (8.08 п.л.), соавт. те же
24) 1С:Предприятие Версия 7.7 Описание встроенного языка, Фирма "1С", М., 14 окт. 1999, ч.1 - 515 с. (10.73 п.л.), ч.2 - 515 с. (10.73 п.л.), соавт.: В. Байдаков, Б. Федоров
25) 1С:Предприятие 7.7 бета-версия Управление распределенными информационными базами, Фирма "1С", М., 1999, 71 с. (1.48 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов.
26) 1С:Предприятие Версия 7.7 Оперативный учет. Руководство пользователя, Фирма "1С", М., 17 окт. 1999, 266 с. (5.54 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов, В. Филиппов, А. Шевченко
27) 1С:Предприятие Версия 7.7 Руководство по ведению учета (Описание типовой конфигурации и редации 3.1). Фирма "1С", М., 20 окт. 1999, 338 с. (7.04 п.л.), соавт.: В. Байдаков, Б. Федоров
28) 1С:Предприятие Версия 7.7 Расчет. Руководство пользователя, Фирма "1С", М., 17 окт. 1999, 284 с. (5.92 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов, В. Филиппов, А. Шевченко
29) 1С:Предприятие Версия 7.7 для SQL. Особенности установки и использования. Фирма "1С", М., 1999, 48 с. (1.00 п.л.), соавт.: В. Байдаков, Б. Федоров
30) 1С:Аспект 7.7 ред. 2, Руководство пользователя. Фирма ИСТ, М., 1999, 217 с. (4.52 п.л.), соавт. Богачева Т.Г.
31) 1С:Аспект 7.7 ред. 2, Справочное руководство. Фирма ИСТ, М., 1999, 210 с. (4.38 п.л.), соавт. Богачева Т.Г., В. Байдаков, Б. Федоров.
32) Конфигурация 1С:Аспект-Ювелир для 1С:Предприятия 7.7, Руководство пользователя, Фирма ИСТ, М., 1999, 263 с. (5.48 п.л.), соавт. Богачева Т.Г.
33) Информационно-справочная система «Рынок нефтепродуктов» (ИСС РН), версия 3. РП, ИА "Кортес", М., 1999.
34) 1С:Предприятие 7.7 бета-версия Руководство по установке и запуску, Фирма "1С", М., 1999, 60 с. (1.25 п.л.), соавт.: В. Байдаков, С. Нуралиев, Б. Федоров, В. Филиппов; б) 1С:Предприятие Версия 7.7 Руководство по установке и запуску, Фирма "1С", М., 1999, 63 с. (1.31 п.л.), соавт.: В. Байдаков, Б. Федоров; в) 13 окт. 1999, 65 с. (1,35 п.л.); г) 22 июня 2000, 67 с. (1.40 п.л.)
35) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.5) Описание Фирма «1С», М., 4 марта 2000 г., 392 с. (8.17 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева, Б. Федоров; б) 25 апреля 2000, 394 с. (8.21 п.л.).
36) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.6) Описание Фирма «1С», М.,18 авг. 2000, 434 с. (9.04 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева, Б. Федоров.
37) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.6) Описание Фирма «1С», М., 25 сент. 2000 (версия 8.62), 436 с. (9.08 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева, Б. Федоров.
38) 1С:Предприятие 7.7 Комплексная конфигурация “Бухгалтерия + Торговля + Склад + Зарплата + Кадры” Редакция 2.6. Описание. Фирма «1С», М., 13 сент. 2000, 826 с. (17.21 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева, А. Моничев, Г. Соколова, Б. Федоров, О. Фогель, А. Шевченко.
39) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.7) Описание Фирма «1С», М., 25 янв. 2001, 484 с. (10.08 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева (версия 8.70)
40) 1С:Предприятие Версия 7.7 Конфигурация «Торговля+Склад» (Ред. 8.7) Описание Фирма «1С», М., 6 фев. 2001, 488 с. (10.17 п.л.), соавт. В. Байдаков, Т. Богачева (версия 8.72)

5. Участие в НИР, грантах, разработках и т.д. (тема, год)

(1) Научно-методическое, организационное и материально-техническое обеспечение развития центра коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» научным оборудованием для проведения научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ по приоритетным направлениям Программы (2005-2006 г.г.), грант ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».
(2) Материаловедческие исследования, направленные на изучение структуры и свойств материалов и наноструктур (2007-2008 г.г.), грант ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».
(3) Разработка технологии получения структурированных пьезоэлектрических материалов и создание на их основе компонентов систем перемещения, в том числе медицинского назначения, в микро- и нано диапазонах (2007-2008 г. г.), грант ФЦП «Перспективные направления развития научно-технического комплекса России на 2007 – 2012 годы».
(4) Разработка перспективной элементной базы наноэлектроники на основе кремний-углеродных пленок (2009 г.), грант Департамента науки и промышленной политики правительства г.Москвы.
(5) Разработка нанокомпозитных материалов и методов их получения для создания инструментария, позволяющего осуществлять локальное физическое воздействие на очаг заболевания (2009 г.), грант ФЦП «Перспективные направления развития научно-технического комплекса России на 2007 – 2012 годы».
(6) Обеспечение центров коллективного пользования научным оборудованием комплексных исследований и разработок в области материаловедения и металлургии (2009-2010 г.г.), грант ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы».
(7) Разработка составной части метрологического комплекса для измерения локального химического состава и структурных параметров нанообъектов с помощью методов растровой электронной микроскопии, специальных методов спектроскопии и дифракции рентгеновских лучей (2009-2010 г.г.), грант ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2010 г.г.»
(8) «Проведение материаловедческих исследований, направленных на создание ПАВ-сенсоров на пьезокристаллических подложках, работоспособных в широком интервале температур», соисполнитель по 7 рамочной программе ЕС-Россия, договор с ООО «Фомос-Материалс», 2010 г.
(9) «Разработка составной части метрологического комплекса для измерения локального химического состава и структурных параметров нанообъектов с помощью методов растровой электронной микроскопии, специальных методов спектроскопии и дифракции рентгеновских лучей» 2010 (тема с 2008)

6. Награды, почетные звания, другие достижения

нет

7. Все научные и учебные публикации за последние 5 лет

(1) А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, Ю.Н. Пархоменко, Е.Г. Полякова, О.В. Торопова. Напряжения в решетке Si вблизи преципитатов β-FeSi2. Кремний 2006. Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства, Красноярск, 4-6 июля 2006 г. Тезисы докладов.
(2) А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, М.Д. Малинкович, Ю.Н. Пархоменко, Е.А. Скрылева, О.В. Торопова, М.Л. Шупегин. Электрическая прочность аморфных кремний-углеродных пленок, полученных осаждением из высокочастотной плазмы паров полифенилметилсилоксана, в зависимости от рабочего напряжения осаждения, толщины пленок и отжига. 3-я Всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнология» с 24 сент. по 1 окт. 2006 Хилово Псковской обл.
(3) A.F. Borun, A.M. Dodonov, M.D. Malinkovich, Y.N. Parkhomenko, M.L. Shupegin, A.A. Polisan, E.A. Skryleva. Dielectric properties of silicon-carbon films synthesized from siloxanes. VI Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные методы микро- и нанотехнологии» 17-22 сент. 2006 Кисловодск, Россия
(4) А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, Ю.Н. Пархоменко, Е.Г. Полякова, В.В. Рязанцев, Напряжения в решетке Si вблизи преципитатов β-FeSi2, Материалы электронной техники, №2, 2006, c. 39-44 + илл. на внутр. стороне обложки
(5) Борун А.Ф., Додонов А.М., Малинкович М.Д. Пархоменко Ю.Н., Шупегин М.Л., Полисан А.А., Скрылева Е.А. Диэлектрические свойства кремний-углеродных пленок, синтезированных из силоксанов./Тезисы докладов VI Международной научной конференции «ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА И СОВРЕМЕННЫЕ МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИИ», 17 - 22 сентября 2006 г., г. Кисловодск.
(6) А.Г. Ермилов, Н.Н. Ракова, А.Ф. Борун, А.М. Додонов, Факторы, влияющие на образование связей металл-углерод в металлоорганических смесях, Известия вузов. Цветная металлургия, №1, 2007, с. 28-34.
(7) A.G. Ermilov, N.N. Rakova, A.F. Borun, and A.M. Dodonov, Factors and Affect the Formation of Metal-Carbon Bonds in Metalorganic Mixtures, Russian Journal of Non-Ferrous Metals, 2007, Vol. 48, No 1, pp. 25-34.
(8) А.Ф. Борун, Е.А. Выговская, М.Д. Малинкович, Ю.Н. Пархоменко, О.В. Торопова, Н.А. Филиппьев, М.Л. Шупегин, Два источника Зинеровских электронов в предпробойной вольт-амперной характеристике диэлектрической пленки на основе полифенилметилсилоксана, Материалы электронной техники, №4, 2008, с.38-42.

8. Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет

(1) 04.12-08.12.2006 Краткосрочное обучение в ГОУ ВПО «Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет)» по программе «Подготовка испытательных и измерительных лабораторий к аккредитации на техническую компетентность в соответствии с требованиями ИСО/МЭК 170025-2005 и ГОСТ Р ИСО 5725-2002» (в объеме 72 часов).
(2) 12.03-23.03.2007 Краткосрочное обучение в ГОУ ВПО «Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет)» по программе «Метрологическое обеспечение деятельности испытательных лабораторий. Реализация требований ГОСТ Р ИСО 5725-2002» (в объеме 72 часов).

9. Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года

(1) Е.А. Стеняева (МПП-01-1) Исследование влияния температуры на механизм пробоя кремний - углеродных пленок под действием электрического поля (2007)
(2) А.Н. Белушкин (МПП-02-1) Исследование влияния частиц нанофазы на основе металла на диэлектрическую проницаемость и электрическую прочность кремний-углеродных пленок (2008)
(3) Н.С. Карабанова (МПП-02-1в) Исследование диэлектрической проницаемости и электрической прочности металлосодержащих кремний-углеродных пленок (2008)
(4) А.Ю. Сергеева (МПП-04-1в) Исследование вольт-амперных характеристик диэлектрических и слаболегированных кремний-углеродных пленок (2010).

13. Объявления для студентов

 нет

14. Дополнительные сведения (на усмотрение преподавателя)

Публикации не по специальности (в том числе, не при работе по профессии «технический писатель», на тему «автоматизация учета в торговле» – см. п.4):
(1) , (2). Капитан и корабль / Химия и жизнь (Ученые досуги), март 1987, №3, с.82-83 (0.04 п.л.), под псевд. Александр Спирин. Перепечатан в сборнике ХиЖ.
(3) Об очередной попытке прочтения Фестских дискет / Конференция Славистика, индоевропеистика, ностратика, 1991, Тезисы докладов, с.221-223 (0.06 п.л.), Институт славяноведения и балканистики АН СССР 1991. 0.1 п.л.
(4) А боги кто? / Мир ПК. М., 1998. Июнь. С.167 (0.04 п.л.).
(5) Избранное / Геликон Плюс, Спб, 2001. 184 стр. (3.83 п.л.)
(6) Критические заметки о книге «Российская Академия Естественных Наук В.А. Ацюковский Общая эфиродинамика Моделирование структур вещества и полей на основе представлений о газоподобном эфире изд. 2-е, М., Энергоатомиздат, 2003» http://shandor-b.livejournal.com/