Тел.: (495)955-0033
E-mail: VVANTIP@YANDEX.RU
Ауд.: К-417
Дата рождения   12 июня1945 г.
Занимаемая должность   Ведущий программист
Образование высшее
Окончил    Факультет ПМП  Московского института стали и сплавов
Когда окончил - 1967 года
Специальность и квалификация Инженер электронной техники
Ученая степень, звание  Кандидат технических наук

1. Область научных интересов

Рост монокристаллов для оптики, акустики и лазерной техники. Получение кристаллов сегнетоэлектриков с управляемой доменной структурой.

2. Учебные курсы, читаемые в университете

  • «Технология материалов и компонентов электронной техники» в плане подготовки бакалавров
  • «Выращивание кристаллов» в плане подготовки магистров.

3. Публикации

  1. Патент №2233354 от 22.07.2003г. «Способ получения пьезоэлектрических кристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования».  
  2. Кристаллография.47. 1.2002г. с.119-125 «Влияние неоднородности на формирование регулярных доменных структур»
  3. Ferroelectrics. 167, 8.1995. «Регулярная доменная структура в кристаллах ниобата и танталата лития».

4. Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель

  • Учебное пособие «Лабораторный практикум по курсу технологии материалов и изделий электронной техники» 2002г.

5. Участие в НИР, грантах, разработках и т.д. (тема, год).

  1.  Федеральная целевая научно-техническая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России»: НИР «Разработка технологии получения структурированных пьезоэлектрических материалов и создание на их основе компонентов систем перемещения в микро и нано-диапазонах».     
  2. Проект МНТЦ №3893 «Монокристаллы молибдата кальция для детекторов низкоэнергетических элементарных частиц». 2008-09.  
  3. Проект МНТЦ №3293 «Разработка технологии выращивания сцинтилляционных кристаллов CaMoO4 для проведения эксперимента по поиску двойного бета распада в корейской национальной лаборатории Янг-Янг» 2009-10.

6. Награды, почетные звания, другие достижения.  

  • Золотая медаль на 7-м Международном салоне промышленной собственности в г.Москве за «Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой».
  • Диплом и Серебряная медаль на Женевском салоне интеллектуальной собственности. 2006г.
  • Медаль «850 лет основания г. Москвы».

7. Все научные и учебные публикации за последние 5 лет.

  1. Антипов В.В., Коханчик Л.С., Иржак Д.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. Характеризация периодических доменных структур в кристаллах ниобата лития методами растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. 2008, №7, с. 41-48.
  2. Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н., Антипов В.В., Быков А.С. Устройство точного позиционирования на основе монокристаллов ниобата лития.// Труды 1-ой Международной казахстанско-российско-японской научной конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов». 24-25 июня 2008 года, Усть-Каменогорск. С.465-473.
  3. В.В.Антипов, А.С.Быков, М.Д.Малинкович, Ю.Н.Пархоменко. Формирование бидоменной структуры в пластинах ниобата лития электротермическим методом. // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2008.№3. С.18-22.
  4. Ю.Н.Пархоменко, М.Д.Малинкович, В.В.Антипов, Быков А.С. Способ формирования двухдоменных структур в сегнетоэлектрических монокристаллах в неоднородном электрическом поле для систем точного перемещения и позиционирования в микро- и нано-диапазонах. Свидетельство о регистрации ноу-хау №293-339-2008 ОИС МИСиС от 8 октября 2008 года.
  5. Ю.Н.Пархоменко, М.Д.Малинкович, В.В.Антипов, А.С.Быков. Способ поляризации сегнетоэлектрического материала неоднородным тепловым полем. Свидетельство о регистрации ноу-хау № 394-339-2008 ОИС МИСиС от 8 октября 2008 года.
  6. Пархоменко Ю.Н., Антипов В.В., Малинкович М.М., Быков А.С. Формирование бидоменной структуры в пластинах сегнетоэлектриков монокристаллов градиентным тепловым полем. Сборник тезисов докладов. XIII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIII). Июнь 2008 года. Санкт-Петербург, СПб ГЭУ «ЛЭТИ». С.212.
  7. Антипов В.В., Малинкович М.Д., Кугаенко О.М., Пархоменко Ю.Н., Быков А.С. Исследование доменных структур в кристалле ниобата лития методом растровой электронной микроскопии. Сборник материалов Четвертого международного научного семинара 6-11 сентября 2008 года «Современные методы анализа дифракционных данных. Великий Новгород, НовГУ им. Ярослава Мудрого. С.63.
  8. Antipov V., Bykov A., Malinkovich M., Parkhomenko Y. Application of single crystals of lithium niobate with bidomain structure for creation actuators of micro and nano moving ranges. Abstract booklet 9 European Conference on Application of Polar Dielectrics. Roma, Italy, August 25-29 2008, University Roma. P. 218.
  9. Антипов В.В., Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Щетинкин С.А. Исследование границ в регулярных доменных структурах, сформированных послеростовым методом в сегнетоэлектрическом кристалле ниобата лития.//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2006, №2, с.61-63.
  10. Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Рощупкина Е.Д., Антипов В.В. Применение методов высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и топографии для анализа регулярных доменных структур в сегнетоэлектрическом кристалле танталата лития. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2006, №2, с.78-82.
  11. Antipov V., Bykov A., Malinkovich M., Parkhomenko Y. Formation of bidomain structure in LiNbO3 crystals by electrothermic method. Abstracts Second Intern.Symposium « Micro and nano- scale Domain Structuring in Ferroelectrics», Ural State University, Ekaterinburg, August 22-26 2007. P.142-143.
  12. D.V.Roshchupkin, D.V. Irzak, V.V.Antipov. Study of LiNbO3 and LiTaO3 ferroelectric domain structures using high-resolution x-ray diffraction under application of external electric field. // Journal of applied physics, 105, 2, 024112 /6 (2009).
  13. V.V.Antipov, A.S.Bykov, M.D.Malinkovich, Y.N.Parkhomenko. Formation of bidomain structure in lithium niobate single crystals by electrothermal method. // Ferroelectrics. Vol.374, part II, 65-72 (2008).
  14. V.V.Antipov, A.A.Blistanov, E.D.Roshchupkina, R.Tucoulou, L.Ortega, D.V.Roshchupkin. Applied Physics Letters. 85, №22, 5325-5327 (2004).
  15. Д.В Рощупкин, Е.Д.Рощупкина, В.В.Антипов Б.С.Редькин. Исследование регулярных доменных структур в сегнетоэлектрическом кристалле LiNbO3 методами рентгеновской топографии и дифрактометрии. //Известия РАН. Серия физическая,2005, 69 , №2, с.241-244.
  16. Antipov V., Bykov A., Malinkovich M., Parkhomenko Y. Application of single crystals of lithium niobate with bidomain structure for micro and nano moving ranges// Internetional conference “Micro- and nano-electronics 2007” October 1st-5th 2007. Moscow. Zvenigorod. Book of abstracts 01-20.
  17. Диплом и Серебряная медаль Женевского салона изобретений. Апрель 2006 г. В.Антипов, А.Блистанов, М.Малинкович, Ю.Пархоменко.

8. Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет

  • «Сертификация веществ и материалов» при Госстандарте

9. Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года.

  1. Гладышев О. Кристаллы фторидов стронция для инфракрасной оптики лазерной техники (КФ-03).
  2. Жуков А.В. Непрерывный рост кристаллов из водных растворов (КФ-04).
  3. Харламов Д. Рост легированных монокристаллов иодата лития в изотермических условиях. (КФ-06).
  4. Качанов Я. Рост кристаллов йодата лития методом непрерывного вытягивания из раствора. (КФ-06).