Тел (495)638 44 48 ,
e-mail:bublik_vt@rambler.ru
Дата рождения 15.сентября 1934 г.
Занимаемая должность: профессор
Образование: высшее, Окончил МИСиС в 1958 году
Специальность и квалификация: «Физика металлов», инженер-металлург
Ученая степень и звание: доктор физико-математических наук, профессор
 

1. Область научных интересов.

Структурные исследования конденсированных фаз, в том числе материалов и объектов микро- и наноэлектроники.

2. Учебные курсы, читаемые в университете.

  1. Методы исследования материалов и структур электроники. (Аннотация: Базовый курс. Прикладные методы рентгеноструктурного анализа материалов и объектов микро- и нанотехники. Основы электронографии и нейтронографии. Основы просвечивающей с сканирующей микроскопии. (Основы теории и аппаратура)).
  2. Дифракционные методы изучения поверхности и приборных структур. (Аннотация: Специальный курс. Основы дифрактометрии высокого разрешения и ее применение к изучению структуры поверхности, многослойных микро- и наноструктур. Рентгеновская рефлектометрия поверхности и многослойных композиций).
  3. Дифракционные методы изучения неупорядоченных структур. (Аннотация: Специальный курс. Теоретические основы анализа структур с разной степенью упорядоченности. Анализ жидких и аморфных объектов. Анализ структуры твердых растворов методом диффузного рассеяния. Анализ структуры кристаллов с микродефектами).

3. Публикации

  1. The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates, J. of Physics D: Appl. Phys. 2005. 38(10A) P. A126-A131/ V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, K.D.Shcherbachev, D. M. Pazhin.
  2. Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP, ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, С.641-649/ В.М.Бойко, В.Т.Бублик, М.И.Воронова, Н.Г.Колин, Д.И.Меркурисов, К.Д.Щербачев.
  3. Structure of InP single crystals irradiated with reactor neutrons, Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006. V. 373. P. 82-89/ V.M. Boyko, V.T. Bubljk, M.I. Voronova, N.G. Kolin, D.I. Mercurisov, K.D.Shcherbachev.
  4. Electrical and structural properties of InSb crystals irradiated with reactor neutrons, Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006. V. 371. P. 272-279/ V.M. Boyko, V.T. Bubljk, M.I. Voronova, N.G. Kolin, D.I. Mercurisov, K.D.Shcherbachev.
  5. Исследование микродефектов в монокристаллах GaP и GaP(Zn), выращенных методом ЧЖГР, Кристаллография. 2008. Т. 53. № 2. С. 284-292/ П.А. Филатов, В.Т. Бублик, Т.И. Маркова, М.И. Воронова, К.Д.Щербачев.
  6. Radiation induced structural transformations in a silicon layer of SOI, Phys.Stat.Sol. (a), 2007, 204 N8, P.2645-2650/ V. T. Bublik,V.N.Mordkovich,D. M. Pazhin, E. Alves, N. P. Barradas, K.D.Shcherbachev.
  7. Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn, Кристаллография, 2008, Т53, С.843/ Орлов А.Ф., Балагуров П.А., Сарайкин В.В, Бублик В.Т., К.Д. Щербачев.

4. Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель

  1. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. В.Т.Бублик, А.Н.Дубровина. Металлургия. 1978 г.
  2. Сборник задач и упражнений по курсу "Методы исследования структуры". В.Т.Бублик, А.Н.Дубровина. Высшая школа. 1988 г.
  3. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей. В.Т.Бублик. МИСиС. 1990г.
  4. Дифракционные методы изучения поверхностных слоев и приборных структур. В.Т.Бублик, К.Д.Щербачев. МИСиС. 2001 г.
  5. Методы исследования материалов и структур электроники. (Рентгеновская дифракционная микроскопия). В.Т.Бублик, А.М.Мильвидский. Изд. "Учеба". 2006 г.

5. Участие в НИР, грантах, разработках и т.д. (тема, год)

  1. Работы по грантам РФФИ. Проекты в области фундаментальных проблем физики твердого тела (1995-1997; 1999-2001; 2002-2004; 2004-2006; 2005-2007; 2007-2009). Посвящены актуальным проблемам физики твердого тела. В основном изучению стуктурных превращений точечных дефектов на начальных фазах распада твердых растворов на основе монокристаллических элементарных полупроводников и соединений АNB8-N, а так же превращений точечных дефектов при ионной имплантации и облучении нейтронами.
  2. Работы по грантам МНТЦ. Работы связаны с практическими проблемами ядерного легирования и работы по созданию лазера на базе ZnO.

6. Награды, почетные звания, другие достижения

7. Все научные и учебные публикации за последние 5 лет.

Название Год Издание Стр. Соавторы
1 Изменение структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок 2005 V Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования наноматериалов и наносистем (НКРК-2005). Тезисы докл. – М.: ИК РАН, 2005. – С. 117. 1 Д.И. Меркурисов, В.М. Бойко, К.Д Щербачев, М.И. Воронова, Н.Г. Колин
2 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуры на структуру монокристаллов InP 2005 НКРК-2005 Тезисы докл. – М.: ИК РАН, 2005. – С. 83. 1 В.М.Бойко, К.Д Щербачев, М.И. Воронова, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов
3 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP 2005 Изв. вузов. Материалы электронной техники.- 2005.- №3. – С.16-25 9 К.Д Щербачев, М.И. Воронова, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов
4 Точечные дефекты и их ассоциации в монокристаллах арсенида галлия, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации 2005 НКРК-2005 Тезисы докл. – М.: ИК РАН, 2005. – С. 146 1 П.А. Филатов, А.В. Марков, К.Д Щербачев, К.Д.
5 Изучение периода решетки и диффузного рассеяния рентгеновских лучей в нестехиометрических кристаллах GaP 2005 НКРК-2005 Тезисы докл. – М.: ИК РАН, 2005. – С. 90 1 М.И. Воронова, Ю.Е. Белоусова, Ю.Л. Бобокин, П.А. Филатов, К.Д Щербачев
6 Микродефекты в монокристаллах GaAs, легированных кремнием и выращенных методами Чохральского и ГНК 2005 6-я Международная конференция "Рост монокристаллов и тепломассоперенос". Сборник трудов т.2 319-327 8 К.Д Щербачев, М.И. Воронова, С.Ю.Мацнев,Т.И. Маркова
7 Применение трехкристальной рентгеновской дифрактометрии для изучения структурных изменений при формировании нанопузырей водорода в имплантированном Si 2005 НКРК-2005 Тезисы докл. – М.: ИК РАН, 2005. – С. 454 1 К.Д Щербачев, А.Шалимов, Я.Бак-Мисюк
8 The influence of photoexcitation in situ on a generation of defect structure during ion implantation into Si substrates 2005 J. of Physics D: Appl. Phys. 38(10A) P. A126-A131 6 V. T. Bublik, V. N. Mordkovich, D. M. Pazhin, K.D. Shcherbachev
9 Влияние исходной загрузки и термообработки на структуру и свойства экструдированных твердых растворов на основе Bi2Te3 2006 Доклады IX Межгосударственного семинара по термоэлектрикам и их применению, Санкт-Петербург, ноябрь 2006 г. стр. 43-49. 7 Абрютин В.Н.,  Каратаев В.В., Марончук И.И., Небера Л.П.,  Освенский В.Б., Пустовалов А.А., Сагалова Т.Б
10 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP 2006 ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, С.641-649 9 В.М.Бойко, К.Д Щербачев, М.И.Воронова, Н.Г.Колин, Д.И.Меркурисов
11 Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок 2006 ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, С.769-777 9 В.М.Бойко, К.Д Щербачев, М.И.Воронова, Н.Г.Колин, Д.И.Меркурисов
12 Особенности радиационно-индуцированного изменения структурных свойств кремния, находящегося под воздействием упругого и электрического полей 2006 Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники.- 2006.- №2. – С73-77 5 К.Д Щербачев, В.Н.Мордкович, Д.М.Пажин
13 Влияние содержания B2O3 и условий роста на структурное совершенство кристаллов GaAs(Si), выращенных методом вертикально направленной кристаллизации 2006 Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники.- 2006.- №3. – С78-80 3 П. А. Филатов, В. К.Д Щербачев, А. В. Марков, М. И. Воронова
14 Midgap Fermi Level Pinning in Heavily Irradiated GaN: Correlation with Schottky Barrier Height 2006 Abstracts of Int. Workshop on GaN and Related Materials 2006, Kyoto, Japan, October 2006.MoP2-67 1 A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, K.D. Shcherbachev, Voronova, I-H. Lee,C.R. Lee, S.J. Pearton
15 Properties of p-GaN(Mg) Grown by MBE and HVPE 2006 Abstracts of Int. Workshop on GaN and Related Materials 2006, Kyoto, Japan, October 2006.TuP1-55 1 A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A. Dabiran, A.V. Osinsky, K.D. Shcherbachev, M.I. Voronova,, S.J. Pearton
16 Neutron Irradiation Effects in p-GaN 2006 J. Vac. Sci. Technol. B24(5), 2256-2261 (2006) 6 A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, K.D. Shcherbachev, M.I. Voronova, Amir M. Dabiran, A.V. Osinsky, S.J. Pearton
17 Study of defect generation during formation of an internal getter in CZ-Si 2006 Book of Abstracts 8th Biennial Conference on High resolution X-ray diffraction and Imaging (Baden-Baden, Geramny, September 2006) P.157 1 K.D. Shcherbachev, M.I.Voronova, K.L.Enisherlova, T.F.Rusak
18 Radiation induced structural transformations in a silicon layer of SOI 2006 Book of Abstracts 8th Biennial Conference on High resolution X-ray diffraction and Imaging (Baden-Baden, Geramny, September 2006) P.150 1 K.D. Shcherbachev, V.N.Mordkovich, D. M. Pazhin, E. Alves, N. P. Barradas
19 Исследование дефектообразования на разных стадиях формирования внутреннего геттера в CZ-Si 2006 XII Национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2006). – М., 2006. С197. 1 К.Д Щербачев, Воронова М.И., Енишерлова К.Л., Русак Т.Ф.
20 Ростовые микродефекты в монокристаллах GaAs(Si), полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и кристаллизацией из раствора-расплава с избытком галлия 2006 XII Национальная конференция по росту кристаллов (НКРК-2006). – М., 2006. С198 1 Филатов П.А., К.Д Щербачев, Марков А.В., Воронова М.И.
21 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP 2006 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6, С. 641-649 9 В.М. Бойко, К.Д Щербачев, М.И. Воронова, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов
22 Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и термообработок 2006 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6, С. 769-777 9 В.М. Бойко, К.Д Щербачев, М.И. Воронова, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов
23 Анализ реальной структуры ионоимплантированных слоев на карте обратного пространства 2006 Материалы электронной техники. 2006. № 2. С. 64-68 5 К.Д Щербачев, Шалимов А.
24 Изменения электрофизических и структурных свойств монокристаллов InP под действием нейтронов и температуры 2006 Тезисы докладов 3-ей международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», 20-26 ноября, Черноголовка, С.112 1 В.М. Бойко, К.Д Щербачев, М.И. Воронова, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов
25 Изучение структуры микродефектов в монокристаллах GaAs, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации из раствора-расплава с избытком галлия 2006 Тезисы докладов 3-ей международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», 20-26 ноября, Черноголовка, С.112 1 Филатов П.А., К.Д Щербачев, Марков А.В., Воронова М.И.
26 О механизме политропии серы в GaP(S) 2006 Тезисы докладов 3-ей международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», 20-26 ноября, Черноголовка, С.112 1 Филатов П.А., К.Д Щербачев, Маркова Т.И., Воронова М.И., Белоусова Ю.Е., Бобокин Ю.Л.
27 Микродефекты в монокристаллах GaAs(Si), полученные методом вертикальной направленной кристаллизации 2006 Материалы девятой конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2006)» Томск. 3-5 октября 2006, С. 4 Филатов П.А., К.Д Щербачев, Марков А.В., Воронова М.И.
28 Особенности структуры монокристаллов InP, облученных реакторными нейтронами 2006 Материалы девятой конференции «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2006)» Томск. 3-5 октября 2006. С.368 3 В.М. Бойко, К.Д Щербачев, М.И. Воронова, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов
29 Structure of InP single crystals irradiated with reactor neutrons 2006 Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006. V. 373. P. 82-89 8 V.M. Boyko, K.D. Shcherbachev, M.I. Voronova, N.G. Kolin, D.I. Mercurisov
30 Electrical and structural properties of InSb crystals irradiated with reactor neutrons 2006 Phisica B: Physics of Condensed Matter. 2006. V. 371. P. 272-279 8 V.M. Boyko, K.D. Shcherbachev, M.I. Voronova, N.G. Kolin, D.I. Mercurisov
31 Изучение микродефектов в монокристаллах GaAs(Si), выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации 2007 Кристаллография. 2007. Т. 52. № 2. С. 264-269 6 П.А. Филатов, К.Д Щербачев, А.В. Марков, М.И. Воронова
32 Диагностика дефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в CZ-Si 2007 Изв. вузов. Материалы электрон. техники. 2007. № 3. С. 4-14. 11 К.Д Щербачев, М.И. Воронова, К.Л. Енишерлова, Т.Ф. Русак
33 Исследование микродефектов в монокристаллах GaP и GaP(Zn), выращенных методом ЧЖГР 2008 Кристаллография. 2008. Т. 53. № 2. С. 284-292 9 П.А. Филатов К.Д Щербачев, Т.И. Маркова, М.И. Воронова
34 Политропия серы в GaP(S) 2007 VI Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов; РСНЭ-2007. – М.: ИК РАН, 2007. – С. 86 1 П.А. Филатов, К.Д Щербачев, Т.И. Маркова, М.И. Воронова
35 Исследование микродефектов в ЧЖГР-монокристаллах GaP и GaP(Zn) методом ДРРЛ 2007 VI Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов; РСНЭ-2007. – М.: ИК РАН, 2007. – С. 86 1 П.А. Филатов, К.Д Щербачев, Т.И. Маркова, М.И. Воронова
36 Radiation induced structural transformations in a silicon layer of SOI 2007 Phys.Stat.Sol. (a), 2007, 204 N8, P.2645-2650 6 K.D. Shcherbachev, V.N.Mordkovich, D. M. Pazhin, E. Alves, N. P. Barradas
37 Диагностика дефектов, образующихся на разных стадиях формирования внутреннего геттера в CZ-Si. 2008 Заводская лаборатория. 2008. Т. 74. С. 28–34. 7 К.Д Щербачев, Воронова М. И., Енишерлова К. Л., Русак Т. Ф.
38 Изучение механизма образования микродефектов в монокристаллах GaAs, выращенных из раствора-расплава с избытком галлия 2008 Изв. вузов. Материалы электрон. техники. 2008. № 4. С. 57–62 6 П. А. Филатов, К.Д Щербачев, А. В. Марков, М. И. Воронова
39 Микродефекты в монокристаллах GaAs, легированных Si, выращенных методами ГНК, Чохральского И ВНК 2008 Тезисы докладов XIII Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2008) Москва 17-21 ноября, 2008. С.209 1 Е.В.Жевнеров, К.Д Щербачев, М.И.Воронова
40 Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn 2008 Кристаллография, 2008, Т53, С.843 5 Орлов А.Ф., Балагуров П.А., Сарайкин В.В, К.Д Щербачев
41 Analysis of damaged profiles in n-type Si(001) implanted with Mn ions 2008 Abstracts of The 9th Biennial Conference on High Resolution X-Ray diffraction and Imaging (September 15-19, 2008 Linz, Austria) P.133 1 K.D. Shcherbachev, A. F. Orlov, V.I. Zinenko, V.V.Saraikin
42 Structure of polar faces of ZnO after chemical mechanical polishing revealed by HRXRD and XRR methods 2008 Abstracts of The 9th Biennial Conference on High Resolution X-Ray diffraction and Imaging (September 15-19, 2008 Linz, Austria) P.162 1 K.D. Shcherbachev, S. B. Farafonov, A. S. Artemov
43 Electrical and structural properties of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterojunctions 2008 J.of Appl.Phys. (2008) 104 7 A.Y.Polyakov, N.B.Smirnov, A.V.Govorkov, A.V.Markov, T.G.Yugova, A.M.Dabiran, A.M.Wowchak, B.Cui, K.D. Shcherbachev
44 Влияние условий кристаллизации на структуру пластин твердых растворов термоэлектрических материалов на основе Bi2Te3 выращенных из расплава 2008 Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2008, № 2, с. 23-27. 5 Аленков В.В., Ю.М.Белов, А.И.Воронин, В.Ф.Пономарев, Рябинин Д.Г., Табачкова Н.Ю.
45 Структура композитов с кремний-углеродной матрицей содержащих нанофазу на основе металла 2008 Тезисы XXII Российской конференции по электронной микроскопии. РКЭМ - 2008. г. Черноголовка, июнь 2008 г. 1 М.Д.Малинкович, Ю.Н.Пархоменко, М.Л.Шупегин, Табачкова Н.Ю.
46 The influence of cutting technology on damaged layers depth in large-grain ingots of thermoelectric materials with grown texture 2008 Abstracts 27 International Conference on Thermoelectrics, august 3-7, 2008, Oregon, USA. P.28. 1 D.Ryabinin, A. Telyshev, V.Evseev, N. Tabachkova
47 Исследование структурных характеристик ферромагнитного Si, имплантированного Mn 2008 Кристаллография, 2008, т.53, с.843 4 Орлов А.Ф., Агафонов Ю.А., Балагуров Л.А., Перов Н.С., Зиненко В.И., Сарайкин В.В.
48 Распределение структурных характеристик по длине стержней, полученных методом горячей экструзии, термоэлектрических твердых растворов на основе халькогенида Bi. 2009 Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2009. №2. С.49-51. 3 Освенский В.Б., Каратаев В.В., Табачкова Н.Ю.
49 Определение глубины нарушенных слоев крупнозернистых слитков термоэлектрических материалов по характеру изменения текстуры поверхностных слоев 2009 Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2009. №2. C.32-35 4 Ю.М.Белов, А.И.Воронин, Е.А.Выговская, В.Ф.Пономарев, О.В.Торопова Табачкова Н.Ю.
50 BULK NANOSTRUCTURED THERMOELECTRICS BASED ON BISMUTH TELLURIDE 2009 Journal of Thermoelectricity. 2009. No.3. - p.67-72. 6 L.P. Bulat, I.A. Drabkin, V.V. Karatayev, V.B. Osvensky, G.I. Pivovarov, D.A. Pshenai-Severin, Е.V. Tatyanin, N.Yu. Тabachkova
51 Aнализ текстуры в крупнозернистых пластинах халькогенидов Bi и Sb для определения формы фронта кристаллизации и глубины нарушенных поверхностных слоев 2009 Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2009. Т.75. №5. С. 28-31 4 Ю.М.Белов, А.И.Воронин, Е.А.Выговская, В.Ф.Пономарев, О.В.Торопова, Табачкова Н.Ю.
52 О возможности сохранения наноструктурного состояния при получении объемного термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы 2009 Изв.вузов.Физика. 2009, № 11/3.   5 Булат Л.П., Каратаев В.В., Марончук И.И., Освенский В.Б., Пивоваров Г.И., Пшенай-Северин Д.А., Табачкова Н.Ю.
53 Методы исследования механических свойств и структуры наноматериалов для термоэлектрических охладителей 2009 Вестник МАХ. 2009. №3. С. 4-7.   4 Булат Л.П., Каратаев В.В., Освенский В.Б., Пивоваров Г.И., Табачкова Н.Ю.
54 Связь свойств и структурных характеристик термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы 2009 Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2009. №4. С. 61-64.   4 Л.П.Булат, В.В.Каратаев, И.И.Марончук, В.Б.Освенский, Г.И. Пивоваров, Д.А.Пшенай-Северин, Т.Б.Сагалова, Н.Ю.Табачкова
55 Singl-Crystal X-Ray Diffraction Analisis of Nonplanar Autoepitaxial Silicon Layers 2009 Inorganic Materials. 2009. V. 45. № 14. P. 1610-1613 5 L.V.Kozhitov, T.T.Kondratenko
56 Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием 2009 ФТП, 2009, том 43, выпуск 4, С.439-444 6 О.А.Новодворский, Л.С.Горбатенко, В.Я.Панченко, О.Д.Храмова, Е.А.Черебыло, К.Венцель, Й.В.Барта, К.Д.Щербачев
57 Анализ анизотропии свойств на основе изучения текстуры крупнозернистых слитков термоэлектрических материалов 2010 Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2010. Т.76. №2. С. 28-32. 5 А.И.Воронин, Е.А.Выговская, В.Ф.Пономарев, О.В.Торопова, Табачкова Н.Ю.

8. Темы квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года

  1. Исследование структуры и состава пластин термоэлектрического материала на основе Bi2Te3 в зависимости от условий роста при разных толщинах. Вып. квалифик. раб. инженера. 2008г.
  2. Исследование свойств слоистоориентированных блоков термоэлектрического материала р-типа на основе теллурида висмута в зависимости от режимов прессования. Вып. квалифик. раб. инженера. 2008г.
  3. Исследование нанофазы на основе металла в кремний-углеродных пленках. Вып. квалифик. раб. инженера. 2008г.
  4. Изучение расперделения амплитуды ультразвуковой деформации, созданной низкочастотной ультразвуковой волной.
  5. Исследование влияния толщины молибдена, нанесенного методом магнетронного распыления, на термостабильность термоэлементов. Вып. квалифик. раб. инженера. 2008г.
  6. Управление параметрами дифрагированного пучка с помощью кристалла, промодулированного низкочастотной ультразвуковой волной. Вып. квалифик. раб. инженера. 2008г.
  7. Исследование температурных зависимостей упругих и пьезоэлектрических свойств кристаллов кальций-тантал-галлиевого силиката. Вып. квалифик. раб. инженера. 2008г.
  8. Исследовние структуры и механических свойств кристаллов кремния после термообработок, направленных на создание геттерируемых выделений при распаде твердого раствора кислорода в кремнии. Вып. квалифик. раб. инженера. 2008г.
  9. Управление градиентом деформации кристаллической решетки, созданным низкочастотным ультразвуком. Вып. квалифик. раб. инженера. 2008г.
  10. Исследование локальных значений параметра кристаллической решетки методом параллельной регистрации двух компланарных рентгеновских рефлексов. Вып. квалифик. раб. инженера. 2009г.
  11. Исследование структуры и механических свойств кристаллов кремния после термообработок, направленных на создание геттерирующих выделений при распаде твердого раствора кислорода в кремнии. Вып. квалифик. раб. инженера. 2009г.
  12. Поиск способов сохранения наносостояний при компактировании нанопорошков термоэлектрических материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы. Вып. квалифик. раб. инженера. 2009г.
  13. Исследование структуры и фазового состава частично стабилизированного диоксида циркония. Вып. квалифик. раб. инженера. 2009г.

9. Дополнительные сведения:

  • Член редколлегии журнала ВУЗ «Материалы электронной техники».
  • Член редколлегии «Заводская лаборатория. Диагностика материалов».