Рабочий телефон: (495)237-21-29.
Дата рождения: 4 января 1939 года.
 
Занимаемая должность: профессор.
 
Образование: окончил Московский институт стали и сплавов в 1964 году.
 
Специальность и квалификация: инженер-физик по специальности полупроводники и диэлектрики.
 
Ученая степень, звание: доктор физико-математических наук, профессор.
 
Область научных интересов:
взаимодействие частиц и квантов с полупроводниковыми приборами, разработка и создание детекторов частиц и квантов, физические явления при регистрации ядерного излучения и квантов с полупроводниковыми соединениями А3В5, физические явления в гетероструктурах и малоразмерные эффекты.

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Физика полупроводниковых приборов (Физические явления в полупроводниковых приборах, принципы конструирования и создания полупроводниковых приборов);
  2. Полевые полупроводниковые приборы (Физические явления в полевых полупроводниковых приборах, принципы конструирования и создания полевых полупроводниковых приборов).
  3. СВЧ полупроводниковые приборы и ИС (Физические явления в СВЧ полупроводниковых приборах и ИС, принципы конструирования и создания СВЧ полупроводниковых приборов и ИС)
  4. Физика наноструктур (Физические явления в наноструктурах, физические явления в гетероструктурных приборах, малоразмерные эффекты и применение малоразмерных структур при создании новейших полупроводниковых приборов).

Публикации:

  1. Кольцов Г.И.Макаров В.В.Некоторые эффекты влияющие на профили распределения внедренных ионов в кристаллических мишенях полупроводниковых соединений А3В5 после ионной имплантации.Физикаитехникаполупроводников. т.25, в.3, 1991, 4 стр
  2. G.I. Koltsov, S.Yu.Yurchuk Experimental study of the deep-level centers in ion-im- planted gallium phosphide. Semiconductors v.28, ¹ 9, 1994, 3 стр.,
  3. G.I. Koltsov,Yu.V.Krutenyuk, E.P.Skipetrov.Modification of properties of the inversion layer in p-InAs (Zn) by proton imp- lantation.Proceeding of the conference "Ion impantation technology-94" 1995 Elsevier. N.H, 3p.
  4. Kol’tsov G.I., Didenko S.I., Khodyrev V.A.Modeling of implanted ion distribution in AIIIBV semiconductorsIon Implantation Technology – 2000 (International conference on Ion Implantation Technology Proceeding, IIT-2000), Albach, Austria, 2000. p.95-98.
  5.  G. I. Koltsov1, V. N. Murashev1, A. P. Chubenko2, R. A. Mukhamedshin3, G.I.Britvich4,S. V.Chernykh1, A. V.Chernykh1Соmparative characteristics of GaAs detectors and silicon pixel detectors with internal amplificationJournal Mater. Res.Soc.Symp.Proc. Vo1. .1108 © 2009, MaterialsResearchSociety, p.8.

Основная учебная литература:

  1. Мартынов В.Н., Кольцов Г..И. Полупроводниковая оптоэлектроника МИСиС, 1999г., 400 с.
  2. Кольцов Г.И. Полевые транзисторы с затвором в виде барьера Шоттки. (Учебное пособие). МИСиС,1998г. 2,6 п.л.
  3. Кольцов Г.И. Гетеробиполярные транзисторы. МИСиС, 1998г., 2,5 п.л.
  4. Кольцов Г.И. Селективно-легированные полевые гетеротранзисторы. МИСиС,1998г. 2,2 п.л.
  5. Диденко С.И., Юрчук С.Ю., Мартынов В.Н., Кольцов Г.И. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы (курс лекций), МИСиС, 2004, 5,0 п.л.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  1. Project Agreement # 3024 Project of The International Science and Technology Center “Semiconductor Coordinate – Sensitive Detectors of Radiation Particles on Basis of Functionally Integrated Pixel Structure.” 2007-2009.
  2. Проект Theanalyticaldepartmentalцелевой программы “Развитие научного потенциала высшей школы” по теме «Создание гетероструктурного детектора ядерного излучения на рснове полупроводниковых соединений AIIIBV для регистрации слабовзаимодействующих частиц и квантов и изучения их электрофизических характеристик », - 2009-2010.
  3. Государственный контракт «Разработка и изготовление матричных детекторов ядерного излучения с внутренним усилением на основе GaAsгетеробиполярных транзисторов» на конкурсе № NK – 20P «Проведение поисковых и исследовательских работ по направлению « Ядерная физика, Физика элементарных частиц и полей, Космологии, Физики ускорителей и детекторов в пределах направления 1.2.1. «Проведение научных исследований исследовательскими коллективами под руководством доктора наук»-2009-2011

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. G. I. Koltsov, V. N. Murashev, A. P. Chubenko, R. A. Mukhamedshin, G.I.Britvich, S. V.Chernykh1, A. V.ChernykhСоmparative characteristics of GaAs detectors and silicon pixel detectors with internal amplificationJournal Mater. Res.Soc.Symp.Proc. Vo1. .1108 © 2009, Materials Research Society, p.8.
  2. Диденко С.И., Кольцов Г.И., Коновалов М.П., Осипов Ю.В., Черных А.В., Черных С.В., Сиделев А.В. Создание детекторов ядерного излучения на основе полупроводниковых соединений А3В5 для регистрации слабовзаимодействующих частиц и квантов. Материалы международной научно-технической конференции "Микро- и нанотехнологии в электронике", Нальчик, 2009 г., С. 239-241.
  3. Кольцов Г.И., Диденко С.И, Черных А.В. и др. «Исследование спектральных характеристик детекторов ядерных излучений на GaAs, полученном методом хлоридной эпитаксии».- Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники.– 2010.– № 3.– C. 66-71.
  4. Koltsov G.I., Didenko S.I., Chernykh S.V., Chernykh A.V., Sidelev A.V. «Ion Implanted GaAs Detectors for registration of heavy charged particles and g- quantums».- 18th International Conference on Ion Implantation Technology 2010. – Kyoto, Japan, p. P1-50.
  5. Черных А.В., Черных С.В., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Лагов П.Б., Роговский Е.С., Мусалитин А.М., Коновалов М.П. «Параметры глубоких радиационных центров в детекторных структурах на основе GaAs».- Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции (Нальчик - 2010), 2010, С. 282-285.
  6. Черных А.В., Черных С.В., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Орлова М.Н., Богушевская В.А. «Спектральные характеристики p-i-n детекторов ядерного излучения на основе GaAs».- Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции (Нальчик - 2010), 2010, С. 286-290.
  7. Черных А.В., Черных С.В., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Сиделев А.В. «Выбор контакта Шоттки к VPE-GaAs для создания поверхностно-барьерных детекторов ядерного излучения».- Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции (Нальчик - 2010), 2010, С. 291-295.
  8. Кольцов Г.И., Диденко С.И, Черных А.В., Черных С.В., Сиделев А.В. «VPE GaAs как материал для детекторов излучений».- Тезисы докладов IV Международной конференции «Кристаллофизика XXI века», 2010 г., С. 314-315.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2008:
Барышников Ф.М. «Создание СЛГ Т на основе гетеротитаксиальной структуры AlGaN/ GaNcсубмикронной длиной затвора» (инженер).
 
2009:
Киселев А.В. «Разработка p-i-n   детекторов ядерных излучений и исследование их рабочих характеристик» (инженер).
Левшин К.Н. «Выбор материала для формирования БШ к полуизалирующему GaAs с целью создания детекторов ионизирующих излучений» (инженер).
Жуланов М.М. «Сравнение параметров детекторов ядерных излучений на Si и GaAs при облучении потоками 6 МэВ и гамма-квантов» (инженер).
 
2010:
Роговский Е.С. «Глубокие уровни в детекторах ядерного излучения на основе полуизолирующего GaAs» (инженер).