Рабочий телефон: 237-21-29
E-mail: didenko@misis.ru
 
Дата рождения: 13 мая 1974 года
 
Занимаемая должность: зам. директора ИНМиН по науке, заведующий кафедрой ППЭиФПП
 
Образование: окончил МИСиС в 1996 году
 
Специальность и квалификация: Полупроводниковые приборы и микроэлектроника
 
Ученая степень, звание: кандидат физико-математических наук, доцент
 
Область научных интересов: радиационное воздействие, детекторы, оптоэлектронные приборы, система менеджмента качества

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. (магистры) Планирование научной деятельности

Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:

  1. Кольцов Г.И., Горюнов Н.Н., Диденко С.И. - Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем. Раздел: Полевые транзисторы. Часть II Лабораторный практикум, МИСиС, 2001 г., 86 с.
  2. Кольцов Г.И., Мадоян С.Г., Диденко С.И. - Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем. Методические указания по курсовому проектированию - МИСиС, 2001 г., 37 с.
  3. Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Мартынов В.Н. - Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Курс лекций - Москва, 2004 г., «Учеба», 112 с.
  4.  Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И. - Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Лабораторный практикум - Москва, 2006 г., «Учеба», 74 с.
  5. Теория и расчет полупроводниковых приборов. Твердотельная электроника: Лабораторный практикум / Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н. - М.: Изд. Дом МИСиС, 2010. - 83 с.
  6. Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н. Физика полупроводниковых приборов. Расчет параметров биполярных приборов. Сборник задач - М., МИСиС, 2012 г., 78 с.
  7. К.И. Таперо, С.И. Диденко Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники, Учебное пособие, М. МИСиС, 2013, 350 стр.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  1. Проект АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» на тему «Создание гетероструктурных детекторов ядерного излучения на основе полупроводниковых соединений AIIIBV для регистрации слабовзаимодействующих частиц и квантов и изучение их электрофизических характеристик» - 2009-2010 гг.
  2. Государственный контракт «Разработка и создание матричных детекторов ядерного излучения с внутренним усилением на основе GaAs биполярных транзисторов» по конкурсу № НК-106П «Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению «Ядерная физика. Физика элементарных частиц и полей. Космология. Физика ускорителей и детекторов» в рамках мероприятия 1.2.2  «Проведение научных исследований научными группами под руководством кандидатов наук» 2009-2011 гг.
  3.  Государственный контракт «Разработка и создание матричных детекторов ядерного излучения с внутренним усилением на основе GaAs гетеробиполярных транзисторов» по конкурсу № НК- 20П «Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению «Ядерная физика. Физика элементарных частиц и полей. Космология. Физика ускорителей и детекторов» в рамках мероприятия 1.2.1. «Проведение научных исследований научными группами под руководством докторов наук» -2009-2011 гг.
  4. Проект с Роснанотех по разработке и апробации образовательной программы опережающей подготовки кадров и учебно-методического комплекса (УМК), ориентированных на инвестиционные проекты ГК «Роснанотех» в области производства мультикаскадных наногетероструктурных солнечных элементов и солнечных батарей космического назначения на основе полупроводниковых материалов AIIIBV.
  5. Проект с Роснанотех по разработке комплекса учебно-методических материалов, обеспечивающих опережающую подготовку специалистов реализующих инвестиционные проекты ГК «Роснанотех» в области промышленного производства поликристаллического кремния для нужд солнечной энергетики и наноэлектроники.
  6. Тема №7035201 «Влияние «быстрых» электронов на электрофизические характеристики барьеров Шоттки на основе полупроводниковых соединений АIIIBV» в рамках мероприятия 1.4 «Развитие внутрироссийской мобильности научных и научно-педагогических кадров путем выполнения научных исследований молодыми учеными и преподавателями в научно-образовательных центрах» 2010 г.
  7. Тема №7035205 «Исследование радиационной чувствительности Si и SiC диодов Шоттки при облучении гамма-квантами» в рамках мероприятия 1.4 «Развитие внутрироссийской мобильности научных и научно-педагогических кадров путем выполнения научных исследований молодыми учеными и преподавателями в научно-образовательных центрах» 2010 г.
  8. Тема №1035047 2012 г. Проведение работ по радиационной обработке полупроводниковых структур
  9. Тема  №7035212 2011-2013 гг. Разработка нового типа детекторов ядерного излучения, обладающих внутренним усилением, на основе GaAs и его твердых растворов.
  10. Тема №3035021 2012-2014 гг. Разработка специализированных полупроводниковых детекторов на основе GaAs, предназначенных для регистрации синхротронного излучения в диапазоне (6 – 60) кэВ.
  11. Тема №7035217 2013-2015 гг. Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения на основе широкозонных полупроводников.
  12. Тема №3035023 2014-2016 гг. Комплексные исследования многофункциональных материалов и приборов на их основе
  13. Тема № 1035051 2014 г. Разработка методов и алгоритмов тестирования функционально сложных ЭРИ
  14. Тема № 1035052 2015-2016 гг. Разработка методов и алгоритмов тестирования функционально сложных ЭРИ

Награды, почетные звания, другие достижения:

- Почетная грамота за творческое руководство дипломированием. Оргкомитет Российского конкурса дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения «Материаловедение 2009».

Научные публикации за последние 3 года:

 1. Photoluminescence enhancement by localized surface plasmons in AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructures Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Volume 9, Issue 10, October 2015, Pages 575-579 Polyakov, A.Y., Yun, J.-H., Ahn, H.-K., Usikov, A.S., Yakimov, E.B., Tarelkin, S.A., Smirnov, N.B., Shcherbachev, K.D., Helava, H., Makarov, Y.N., Kurin, S.Y., Papchenko, B.P., Lee, I.-H.
2. Fast neutron detector based on surface-barrier VPE GaAs structures Journal of Instrumentation, Volume 10, Issue 1, 20 January 2015, Article number C01021 Chernykh, A.V., Chernykh, S.V., Koltsov, G.I., Baryshnikov, F.M., Britvich, G.I., Kostin, M.Yu., Chubenko, A.P., Guly, V.G., Sveshnikov, Yu.N., Burtebayev, N., Burtebayeva, J.T.
3. Effects of elevating temperature and high-temperature annealing upon state-of-the-art of yttia-alumino-silicate fibers doped with Bismuth Optical Materials Express, Volume 6, Issue 2, 2016, Pages 486-508 Ramirez-Granados, D., Kir'yanov, A.V., Barmenkov, Y.O., Halder, A., Das, S., Dhar, A., Paul, M.C., Bhadra, S.K., Koltashev, V.V., Plotnichenko, V.G.
4. Effects of electron-irradiation darkening and its posterior bleaching by light in novel Cr-Mg-YAS fiber Laser Physics Letters, Volume 13, Issue 12, December 2016, Article number 125103 Kir'Yanov, A.V., Dutta, D., Barmenkov, Y.O., Das, S., Dhar, A., Paul, M.C., Legotin, S.A., Tapero, K.I.
5. Characterization and simulation of fast neutron detectors based on surface-barrier VPE GaAs structures with polyethylene converter Journal of Instrumentation, Volume 11, Issue 12, 5 December 2016, Article number C12005 Chernykh, A.V., Chernykh, S.V., Baryshnikov, F.M., Burtebayev, N., Britvich, G.I., Kostin, M.Y., Chubenko, A.P., Nassurlla, M., Nassurlla, M., Kerimkulov, Z., Zholdybayev, T., Glybin, Y.N., Sadykov, T.K.
6. Heterostructure optimization for increasing LED efficiency Japanese Journal of Applied Physics, Volume 55, Issue 5, May 2016, Article number 05FJ13 Rabinovich, O., Legotin, S., Yakimov, E., Osipov, Y., Fedorchenko, I.
7. Defects responsible for lifetime degradation in electron irradiated n-GaN grown by hydride vapor phase epitaxy Applied Physics Letters, Volume 110, Issue 11, 13 March 2017, Article number 112102 Lee, I.-H., Polyakov, A.Y., Yakimov, E.B., Smirnov, N.B., Shchemerov, I.V., Tarelkin, S.A., Tapero, K.I., Zinovyev, R.A., Pearton, S.J.
8. GaAs detectors with an ultra-thin Schottky contact for spectrometry of charged particles Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, March 25, 2016 Chernykh, S.V., Chernykh, A.V., Baryshnikov, F.M., Burtebayev, N., Britvich, G.I., Chubenko, A.P., Guly, V.G., Glybin, Y., Zholdybayev, T.K., Burtebayeva, J.T., Nassurlla, M.
9. Development of betavoltaic cell technology production based on microchannel silicon and its electrical parameters evaluation Applied Radiation and Isotopes, Volume 121, 1 March 2017, Pages 71-75 Krasnov, A.A., Starkov, V.V., Legotin, S.A., Rabinovich, O.I., Murashev, V.N., Cheverikin, V.V., Yakimov, E.B., Fedulova, N.A., Rogozev, B.I., Laryushkin, A.S.
10. Tunable organic PV parallel tandem with ionic gating Journal of Renewable and Sustainable Energy, Volume 9, Issue 2, 1 March 2017, Article number 021204 Saranin, D., Ishteev, A., Cook, A.B., Yuen, J.D., Kuznetsov, D., Orlova, M., Zakhidov, A.
11. Polarization-Dependent Photoinduced Bias-Stress Effect in Single-Crystal Organic Field-Effect Transistors ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES v. 9, i. 39, p. 34153-34161, OCT 4 2017 Choi, HH; Najafov, H; Kharlamov, N; Kaznetsov, DV; Cho, K; Briseno, AL; Podzorov, V
12. Defects responsible for lifetime degradation in electron irradiated n-GaN grown by hydride vapor phase epitaxy Applied Physics Letters, Volume 110, Issue 11, 13 March 2017, Article number 112102 Lee, I.-H., Polyakov, A.Y., Yakimov, E.B., Smirnov, N.B., Shchemerov, I.V., Tarelkin, S.A., Tapero, K.I., Zinovyev, R.A., Pearton, S.J.
13. Hafnia-yttria-alumina-silica based optical fibers with diminished mid-IR > 2 m loss Optical Materials Express, Volume 7, Issue 7, 2017, Pages 2511-2518 Kir'yanov, A.V., Siddiki, S.H., Barmenkov, Y.O., Das, S., Dutta, D., Dhar, A., Khakhalin, A.V., Sholokhov, E.M., Il'ichev, N.N., Paul, M.C.
14. Electron irradiation of near-UV GaN/InGaN light emitting diodes Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Volume 214, Issue 10, October 2017 Lee, I.-H., Polyakov, A.Y., Smirnov, N.B., Shchemerov, I.V., Shmidt, N.M., Tal'nishnih, N.A., Shabunina, E.I., Cho, H.-S., Hwang, S.-M., Zinovyev, R.A., Lagov, P.B., Pearton, S.J.
15. Nitride heterostructure optimization by simulation Journal of Crystal Growth, Volume 468, 15 June 2017, Pages 567-571 Rabinovich, O.I., Legotin, S.A., 
16. Phase diagram of the ZnSiAs2-MnAs system Journal of Crystal Growth, Volume 468, 15 June 2017, Pages 683-687 Fedorchenko, I.V., Ril, A.I., Marenkin, S.F., Rabinovich, O.I., Legotin, S.A., Skupiski, P., Kilanski, L., Dobrowolski, W.

 Публикации в материалах научных мероприятий за последнее 3 года
1. 18th International Workshop on Radiation Imaging Detectors. 3-7July 2016, Barcelona, Spain.
2. IХ International conference «Efficient use of resources and environmental protection - key issues of mining and metallurgical complex development» and ХII International science conference «Advanced technologies, equipment and analytical systems for materials and nano-materials», Ust-Kamenogorsk, Kazakhstan, Мау 20-23, 2015.
3. 8th EEIGM International Conference on Advanced Materials Research, June11-12, Valencia, Spain
4. 24TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON METASTABLE, AMORPHOUS AND NANOSTRUCTURED MATERIALS (ISMANAM 2017) 18TH-23RD JUNE, 2017 PALACIO MIRAMAR, SAN SEBASTIÁN – DONOSTIA (GUIPÚZCOA), SPAIN
5. THE 9th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED MATERIALS, ROCAM 2017 & THE 2nd INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON DIELECTRIC MATERIALS AND APPLICATIONS, ISyDMA 2017 11-14 JULY 2017, BUCHAREST, ROMANIA


Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет (Название курса, место повышения квалификации, число часов, год):

1. Сертификат семинара «Оборудование “Agilent Technologies” для High-End спектрометрии и его возможности для фундаментальных и прикладных исследований» 21.09.2016
2. Удостоверение о повышении квалификации №0008747 «Научно-образовательная деятельность МИСиС: Программа развития», 30.11.2017



Темы НИР, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последнее 3 года 
1. Слепцов Евгений Васильевич, Исследование барьеров Шоттки к структурам AlGaN/GaN, 2016 г., магистр
2. Слепцова Анастасия Алексеевна, Разработка шумового диода на GaN, 2016 г., магистр
3. Якимов Юрий Александрович, Разработка SPICE-моделей элементов МОП интегральных схем, работающих при криогенных температурах, 2016 г., магистр
4. Гостищев Павел Андреевич, Барьер Шоттки для HEMT транзисторов на основе GaN, 2016 г. бакалавр
5. Ермолаева Юлия Олеговна, Моделирование фотодиодной структуры на основе InSb, 2016 г. бакалавр
6. Петрова Мария Михайловна, Моделирование НЕМТ структур на основе GaAs-AlGaAs-InGaAs-InP, 2016 г. бакалавр
7. Попова Людмила Анатольевна, Разработка унифицированной групповой технологии изготовления мощных pin диодов. Влияние температурных режимов технологических процессов на величину накопленного заряда, 2017 г., магистр
8. Суворова Татьяна Вячеславовна, Разработка технологии получения беспористых глазурных покрытий с топографией 20 нм, 2017 г., магистр
9. Яковлева Анна Сергеевна, Разработка метода неразрушающего контроля керамики для HYCC и LTCC структур, 2017 г., магистр
10. Трифонова Екатерина Дмитриевна, Энергетическое разрешение поверхностно-барьерных детекторов заряженных частиц на основе VPE GaAs, 2017 г., бакалавр
11. Казакова Юлиана Витальевна, Разработка самосмещенного детектора быстрых нейтронов на основе VPE GaAs, 2017 г., бакалавр

 
Участие в федеральных целевых программах, научных и образовательных программах
1. Государственный контракт № 14.430.12.0001 «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (кремниевый матричный фотоприёмник в диапазоне 0,5 - 1,1 мкм на основе функционально - интегрированных структур)», ФЦП, 2013 – 2015 г. (исполнитель).
2. Государственный контракт, 14.430.12.0003 «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 - 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)», ФЦП, 2013 -2015 г. (ответственный исполнитель).
3. Хоздоговор с АО «НИИП» Разработка методов и алгоритмов тестирования функционально сложных ЭРИ, 2014-2017 гг.
4. ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям» Разработка маломощного радиационно-стимулированного источника питания на основе кремниевой p-i-n структуры, 17.06.2014-31.12.2015, (исполнитель)
5. ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям» Разработка типоразмерного ряда дискретных и многоэлементных кремниевых фотодиодов, 17.06.2014-31.12.2015, (исполнитель)
6. ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям» Разработка автономного источника питания на основе радиоизотопных материалов и кремниевой p-i-n структуры, 27.06.2014-31.12.2016, (исполнитель)
7. Проект № 3.2794.2017/ПЧ «Разработка спектрометрических и координатных полупроводниковых детекторов частиц для применения в экспериментах ядерной и ускорительной физики» в рамках Государственного задания на выполнение научных проектов, выполняемых научными коллективами исследовательских центров и (или) научных лабораторий образовательных организаций высшего образования, (руководитель), 2017-2019 гг.
8. Проект «Комплексные исследования многофункциональных материалов и приборов на их основе» в рамках Государственного задания образовательным организациям высшего образования, (руководитель), 2014-2016 гг.