Рабочий телефон: 237-21-29
E-mail: sdi13@mail.ru
 
Дата рождения: 13 мая 1974 года
 
Занимаемая должность: зам. директора ИНМиН по науке, заведующий кафедрой ППЭиФПП
 
Образование: окончил МИСиС в 1996 году
 
Специальность и квалификация: Полупроводниковые приборы и микроэлектроника
 
Ученая степень, звание: кандидат физико-математических наук, доцент
 
Область научных интересов: радиационное воздействие, детекторы, оптоэлектронные приборы, система менеджмента качества

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Физические основы электроники: Физика полупроводниковых приборов; Полевые полупроводниковые приборы
  2. Планирование научной деятельности

Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:

  1. Кольцов Г.И., Горюнов Н.Н., Диденко С.И. - Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем. Раздел: Полевые транзисторы. Часть II Лабораторный практикум, МИСиС, 2001 г., 86 с.
  2. Кольцов Г.И., Мадоян С.Г., Диденко С.И. - Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем. Методические указания по курсовому проектированию - МИСиС, 2001 г., 37 с.
  3. Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Мартынов В.Н. - Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Курс лекций - Москва, 2004 г., «Учеба», 112 с.
  4.  Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Кольцов Г.И. - Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Лабораторный практикум - Москва, 2006 г., «Учеба», 74 с.
  5. Теория и расчет полупроводниковых приборов. Твердотельная электроника: Лабораторный практикум / Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н. - М.: Изд. Дом МИСиС, 2010. - 83 с.
  6. Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н. Физика полупроводниковых приборов. Расчет параметров биполярных приборов. Сборник задач - М., МИСиС, 2012 г., 78 с.
  7. К.И. Таперо, С.И. Диденко Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники, Учебное пособие, М. МИСиС, 2013, 350 стр.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  1. Проект АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы» на тему «Создание гетероструктурных детекторов ядерного излучения на основе полупроводниковых соединений AIIIBV для регистрации слабовзаимодействующих частиц и квантов и изучение их электрофизических характеристик» - 2009-2010 гг.
  2. Государственный контракт «Разработка и создание матричных детекторов ядерного излучения с внутренним усилением на основе GaAs биполярных транзисторов» по конкурсу № НК-106П «Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению «Ядерная физика. Физика элементарных частиц и полей. Космология. Физика ускорителей и детекторов» в рамках мероприятия 1.2.2  «Проведение научных исследований научными группами под руководством кандидатов наук» 2009-2011 гг.
  3.  Государственный контракт «Разработка и создание матричных детекторов ядерного излучения с внутренним усилением на основе GaAs гетеробиполярных транзисторов» по конкурсу № НК- 20П «Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению «Ядерная физика. Физика элементарных частиц и полей. Космология. Физика ускорителей и детекторов» в рамках мероприятия 1.2.1. «Проведение научных исследований научными группами под руководством докторов наук» -2009-2011 гг.
  4. Проект с Роснанотех по разработке и апробации образовательной программы опережающей подготовки кадров и учебно-методического комплекса (УМК), ориентированных на инвестиционные проекты ГК «Роснанотех» в области производства мультикаскадных наногетероструктурных солнечных элементов и солнечных батарей космического назначения на основе полупроводниковых материалов AIIIBV.
  5. Проект с Роснанотех по разработке комплекса учебно-методических материалов, обеспечивающих опережающую подготовку специалистов реализующих инвестиционные проекты ГК «Роснанотех» в области промышленного производства поликристаллического кремния для нужд солнечной энергетики и наноэлектроники.
  6. Тема №7035201 «Влияние «быстрых» электронов на электрофизические характеристики барьеров Шоттки на основе полупроводниковых соединений АIIIBV» в рамках мероприятия 1.4 «Развитие внутрироссийской мобильности научных и научно-педагогических кадров путем выполнения научных исследований молодыми учеными и преподавателями в научно-образовательных центрах» 2010 г.
  7. Тема №7035205 «Исследование радиационной чувствительности Si и SiC диодов Шоттки при облучении гамма-квантами» в рамках мероприятия 1.4 «Развитие внутрироссийской мобильности научных и научно-педагогических кадров путем выполнения научных исследований молодыми учеными и преподавателями в научно-образовательных центрах» 2010 г.
  8. Тема №1035047 2012 г. Проведение работ по радиационной обработке полупроводниковых структур
  9. Тема  №7035212 2011-2013 гг. Разработка нового типа детекторов ядерного излучения, обладающих внутренним усилением, на основе GaAs и его твердых растворов.
  10. Тема №3035021 2012-2014 гг. Разработка специализированных полупроводниковых детекторов на основе GaAs, предназначенных для регистрации синхротронного излучения в диапазоне (6 – 60) кэВ.
  11. Тема №7035217 2013-2015 гг. Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения на основе широкозонных полупроводников.
  12. Тема №3035023 2014-2016 гг. Комплексные исследования многофункциональных материалов и приборов на их основе
  13. Тема № 1035051 2014 г. Разработка методов и алгоритмов тестирования функционально сложных ЭРИ
  14. Тема № 1035052 2015-2016 гг. Разработка методов и алгоритмов тестирования функционально сложных ЭРИ

Награды, почетные звания, другие достижения:

- Почетная грамота за творческое руководство дипломированием. Оргкомитет Российского конкурса дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения «Материаловедение 2009».

Научные публикации за последние 5 лет:

2012

1
Г.И. Кольцов, С.И. Диденко, А.В. Черных, С.В. Черных, А.П. Чубенко, Ю.Н. Свешников «Контакты Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям GaAs для детекторов частиц и квантов», Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, вып. 8, 1088-1093

2 Г.И. Кольцов, С.И. Диденко, А.В. Черных, С.В. Черных, А.П. Чубенко, Бритвич Г.И. «Детекторы ядерных излучений на основе контактов Шоттки к нелегированным эпитаксиальным слоям GaAs», Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА, 2012, в. 2, с. 89-94

3 V.N. Murashev, S.A. Legotin, D.E. Karmanov, F.M. Baryshnikov, S.I. Didenko «Monolithic Silicon Ionising Particle Detector Based on an Active Matrix of Functionally Integrated Structures» - 19th International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructures Materials, Moscov, 18-22 June 2012, PO-343, 298 p.

4 F.M. Baryshnikov, A.V. Chernykh, S.V. Chernykh, S.I. Didenko, G.I. Koltsov « Nuclear radiation detector based on a matrix of ion-implanted p-i-n diodes on undoped GaAs epilayers» - 19th International Conference on Ion Implantation Technology, Valladolid, 25-29 July 2012, P1-133, 147 p.

5 F.M. Baryshnikov, G.I. Вritvich, A.V. Chernykh, S.V. Chernykh, A.Р. Chubenko, S.I. Didenko, G.I. Koltsov «Nuclear Radiation Detectors Based on a Matrix of Ion-Implanted p-i-n Diodes on Undoped GaAs Epilayers», AIP Conference Proceedings ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2012: 19th International Conference on Ion Implantation Technology IIT 2012.– Vol. 1496, p. 50-53

6 Г.И. Кольцов, С.И. Диденко, С.В. Черных, А.В. Черных, А.В. Сиделев, Г.И. Бритвич, А.П. Чубенко «Детекторы быстрых нейтронов на основе GaAs структур» Вестник ИКСИ. Серия «с».– 2012.– Вып. № 9.– C. 79-90. Инв. № 19648. (закрытый перечень ВАК)

7 G.I. Koltsov, S.I. Didenko, A.V. Chernykh, S.V. Chernykh, A.P. Chubenko, and Yu.N. Sveshnikov «Schottky Contacts to High-Resistivity Epitaxial GaAs Layers for Detectors of Particles and X- or γ-Ray Photons» Semiconductors.– 2012.– Vol. 46 (8).– pp. 1066-1071.

8 Г.И. Кольцов, С.И. Диденко, С.В. Черных, А.В. Черных «Конструкция фотовольтаического GaAs детектора частиц и квантов» Свидетельство о регистрации Ноу-Хау №29-035-2012 от 23 октября 2012 г.

9 Г.И. Кольцов, С.И. Диденко, С.В. Черных, А.В. Черных, Г.И. Бритвич, А.П. Чубенко «Метод измерения толщины чувствительной области GaAs детектора» Свидетельство о регистрации Ноу-Хау №30-035-2012 от 23 октября 2012 г.

10 Didenko S.I., Koltsov G.I., Chernykh A.V., Chernykh S.V., Chubenko A.P., Burtebaev N., Burtebaeva J.T., Sakhiev S.K., Morzobaev A.K., Mussaev J.M. Schottky barriers at undoped epitaxial GaAs films, used for nuclear radiation detectors Book of abstracts of International ConferenceNuclear science and application”, Samarcand, Uzbekistan, September 25-28, 2012, pp. 171-172

2013 г.

11 Кольцов Г.И., Диденко С.И., Черных А.В., Черных С.В. Нелегированные эпитаксиальные слои GaAs для детекторов быстрых нейтронов - Международный симпозиум «Физика кристаллов 2013», посвященный 100-летию со дня рождения проф. М.П. Шаскольской, 28.10-2.11.2013, Москва, МИСиС, с. 117.

12 Диденко С.И., Рабинович О.И. К вопросу о повышении квантового выхода светоизлучающих диодов Сборник трудов Международной научно-технической конференции им. Леонардо да Винчи. Германия, Wissenschaftliche Welt, 2013. Т. 1. С. 173-175.

13 Мурашев В.Н., Леготин С.А., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Барышников Ф.М., Монолитный быстродействующий координатный детектор ионизирующих частиц, Заявка на патент РФ №2013122227 от 15.05.2013 г.

2014 г.

14  Orlova, M.N., Kolesnikova, L.I., Schemerov, I.V., Didenko, S.I. Formation of polymer films in organic photovoltaic systems, Journal of Nano- and Electronic Physics, 2014, Volume 6, Issue 3, 2014, Article number 03009.

15 Bazalevsky, M.A., Koltsov, G.I., Didenko, S.I., Yurchuk, S.Y., Legotin, S.A., Rabinovich, O.I., Murashev, V.N., Kazakov, I.P. Photosensitive AlGaAs/GaAs structures grown by molecular beam epitaxy, Journal of Nano- and Electronic Physics, 2014, Volume 6, Issue 3, 2014, Article number 03019.

16 Murashev, V.N., Legotin, S.A. , Karmanov, D.E., Baryshnikov, F.M., Didenko, S.I. Monolithic ionizing particle detector based on active matrix of functionally integrated structures, Journal of Alloys and Compounds, Volume 586, Issue SUPPL. 1, 2014, Pages S553-S557.

17 Legotin, S.A., Murashev, V.N., Didenko, S.I., Rabinovich, O.I., Elnikov, D.S., Krasnov, A.A., Bazalevsky, M.A., Koltsov, G.I., Kuzmina, K.A. Monolithic silicon photodetector - Detector of ionizing radiation based on functional integrated MOS structures, Journal of Nano- and Electronic Physics, 2014, Volume 6, Issue 3, 2014, Article number 03020.

18 Rabinovich, O.I., Legotin, S.A., Didenko, S.I. Impurity influence on nitride LEDs, Journal of Nano- and Electronic Physics, 2014, Volume 6, Issue 3, 2014, Article number 03002.

19 Chernykh, A.V., Chernykh, S.V., Didenko, S.I., Koltsov, G.I., Baryshnikov, F.M., Britvich, G.I., Chubenko, A.P., Burtebayev, Nassurlla - Fast neutron detector with a surface-barrier VPE GaAs sensor, International Workshop on Radiation Imaging Detectors iWoRID 2014 / Book of Abstracts, p. 43.

20 Бритвич Г.И., Черных С.А., Черных С.В., Барышников Ф.М., Кольцов Г.И., Диденко С.И., Чубенко А.П. Патент на полезную модель «Самосмещенный детектор быстрых нейтронов» № 142188 от 20.05.2014

21 Мурашев В.Н., Барышников Ф.М., Диденко С.И., Приходько П.С., Леготин С.А. патент на изобретение №22517917 от 11.04.2014 «Функционально-интегрированная ячейка фоточувствительной матрицы»

22 Патент на изобретение «Детектор быстрых нейтронов» 10.09.2014, № 2532647 Кольцов Г.И., Диденко С.И., Черных С.А., Черных С.В.

23 М.А. Базалевский, С.И. Диденко, И.П. Казаков, Е.В. Слепцов – Фотоприемник на основе наногетероструктур AlGaAs/GaAs для видимой области спектра, Материалы XIII научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», 8-10 октября 2014 г., с. 183-184.

24 М.Н. Орлова, Л.И. Колесникова, И.В. Щемеров, С.И. Диденко «Формирование полимерных пленок для органических фотоэлектрических систем». Труды XI Международной конференции. Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. 13-14 мая 2014 года. Курск. с. 83-84.

25 М.А. Базалевский, Г.И. Кольцов, С.И. Диденко, И.П. Казаков – Эпитаксиальные AlgaAs/GaAs гетероструктуры для сцинтилляционных детекторов, Труды XI Международной конференции. Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. 13-14 мая 2014 года. Курск. Часть 1, с. 70-72.

26 С.А. Леготин, В.Н. Мурашев, С.И. Диденко, О.И. Рабинович, Д.С. Ельников, А.А. Краснов, К.А. Кузьмина – Монолитный кремниевый фотоприемник-детектор ионизирующих излучений на основе функционально-интегрированных МОП структур, Труды XI Международной конференции. Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. 13-14 мая 2014 года. Курск. Часть 1, с. 76-81.

27 Орлова М.Н., Юрчук С.Ю., Диденко С.И., Таперо К.И. - ИЗУЧЕНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР А IIIВ V В УСЛОВИЯХ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2014. Т. 17. № 3 (67). С. 217-223.

28 Диденко С.И., Рабинович О.И., Леготин С.А. - РЕКОМЕНДАЦИИ К СОЗДАНИЮ SI БЕТАВОЛЬТАИЧЕСКИХ БАТАРЕЙ, В сборнике: Электротехника. Энергетика. Машиностроение сборник научных трудов I Международной научной конференции молодых ученых. Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ); Новосибирский государственный технический университет; Межвузовский центр содействия научной и инновационной деятельности студентов и молодых ученых Новосибирской области. 2014. С. 74-79.

29 Рабинович О.И., Диденко С.И., Леготин С.А. - ЗАВИСИМОСТЬ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДОВ ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ В сборнике: Электротехника. Энергетика. Машиностроение сборник научных трудов I Международной научной конференции молодых ученых. Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ); Новосибирский государственный технический университет; Межвузовский центр содействия научной и инновационной деятельности студентов и молодых ученых Новосибирской области. 2014. С. 47-49.

2015 г

30 М.Н. Кондаков, С.В. Черных, Н.Б. Гладышева, А.В. Черных, А.А. Дорофеев, С.И. Диденко, К.В. Щербачев – Исследование омических контактов на основе системы Mo/Al/Mo/Au к AlGaN/GaN гетероструктурам, Тез. докладов 10-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы» (Санкт-Петербург, 23–25 марта 2015 года.) с. 139.

31 Bazalevsky, M; Didenko, S.I., Yurchuk, S; Legotin, S; Rabinovich, O; Hrustaleva, T; Suvorova, T; Kazakov, I - AlGaAs/GaAs photodetectors for detection of luminescent light from scintillators 6TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS, Book Series: Journal of Physics Conference Series, Volume: 586, Article Number: 012018, 2015, DOI: 10.1088/1742-6596/586/1/012018

32 A.A. Krasnov, S.A. Legotin, Yu.K. Omel’chenko, S.I. Didenko, V.N. Murashev, O.I. Rabinovich, S.Yu. Yurchuk, V.P. Yaromsky - Optimization of Energy Conversion Efficiency Betavoltaic Element Based on Silicon, JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS, Vol. 7 No 4, 04004(4pp) (2015)

33 S.Yu. Yurchuk, A.A. Krasnov, S.A. Legotin, Yu.K. Omel’chenko, S.I. Didenko, V.N. Murashev, O.I. Rabinovich, Yu.V. Osipov - The Current-voltage Characteristics Simulation of the Betavoltaic Power Supply, JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS, Vol. 7 No 4, 04005(4pp) (2015)

34 S.A. Legotin, V.N. Murashev, S.Yu. Yurchuk, V.P. Yaromskiy, V.P. Astahov, K.A. Kuz’mina, O.I. Rabinovich, D.S. El’nikov, U.V. Osipov, A.A. Krasnov, S.I. Didenko - The Spectral Sensitivity Characteristics Simulation of the Silicon p-i-n-structure with High Resistance "Wells", JOURNAL OFNANO- AND ELECTRONIC PHYSICS, Vol. 7 No 4, 04017(2pp) (2015)

35 O.I. Rabinovich, S.I. Didenko, S.A. Legotin, I.V. Fedorchenko, U.V. Osipov - Heterostructure Active Area Optimization by Simulation, JOURNAL OFNANO- AND ELECTRONIC PHYSICS, Vol. 7 No 4, 04035(3pp) (2015)

36 Polyakov, A.Y., Yun, J.-H., Ahn, H.-K., Usikov, A.S., Yakimov, E.B., Tarelkin, S.A., Smirnov, N.B., Shcherbachev, K.D., Helava, H., Makarov, Y.N., Kurin, S.Y., Papchenko, S.I. Didenko, B.P., Lee, I.-H. - Photoluminescence enhancement by localized surface plasmons in AlGaN/GaN/AlGaN double heterostructures, Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Volume 9, Issue 10, October 2015, Pages 575-579

37 Chernykh, A.V., Chernykh, S.V., Koltsov, G.I., S.I. Didenko, Baryshnikov, F.M., Britvich, G.I., Kostin, M.Yu., Chubenko, A.P., Guly, V.G., Sveshnikov, Yu.N., Burtebayev, N., Burtebayeva, J.T.Fast neutron detector based on surface-barrier VPE GaAs structures            Печ.    Journal of Instrumentation, Volume 10, Issue 1, 20 January 2015, Article number C01021

38 Rabinovich, O; Legotin, S, Didenko, S. - Nitride heterostructure influence on efficiency droop LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XIX. Book Series: Proceedings of SPIE, Volume: 9383, 2015. Article Number: 938310, DOI: 10.1117/12.2078317

39 Murashev, V.N., Konovalov, M.P., Legotin, S.A., Didenko, S.I., Rabinovich, O.I., Krasnov, A.A., Kuzmina, K.A - Investigation of the irradiation influence with high-energy electrons on the electrical parameters of the IGBT-transistors, Journal of Nano- and Electronic Physics, Volume 7, Issue 1, 2015, Article number 01011

40 Murashev, V.N., Legotin, S.A., El'nikov, D.S., Didenko, S.I., Rabinovich, O.I. - Silicon photodetectors matrix coordinate bipolar functionally integrated structures, Journal of Nano- and Electronic Physics, Volume 7, Issue 1, 2015, Article number 01009

41 Murashev, V.N., Yurchuk, S.Y., Legotin, S.A., Didenko, S.I., Yaromskiy, V.P., Osipov, Y.V., Astahov, V.P., El'nikov, D.S., Rabinovich, O.I., Kuz'mina, K.A. - Analysis of the p-i-n-structures electrophysical characteristics influence on the spectral characteristics sensitivity, Journal of Nano- and Electronic Physics, Vol. 7 No 2, 02023(5pp) (2015)

42 Orlova, M.N. , Didenko, S.I., Rabinovich, O.I. , Kolesnikov, V.A., Desyatov, A.V., Saranin, D.S. - Film growth based on an organic basis for photovoltaic p-cells, Journal of Nano- and Electronic Physics, Volume 7, Issue 1, 2015, Article number 01013

43 Rabinovich, O. , Didenko, S., Legotin, S., Basalevskiy, M. - Creating AlGaAs photodetectors, PHOTOPTICS 2015 - 3rd International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology, Proceedings, Volume 2, 2015, Pages 87-89

44 V.N. Murashev, S.A. Legotin, O.I. Rabinovich, А.А. Krasnov, S.I. Didenko, S.U. Urchuk - Improvement of Si-betavoltaic batteries technology        , Advanced Materials Research Vols. 1070-1072 (2015) pp 585-588

45 Oleg Rabinovich,  Sergey Legotin, Sergey Didenko - Performance InGaN and AlGaInP LED characteristic dependence on quantum wells, Advanced Materials Research Vols. 1070-1072 (2015) pp 600-603

46 S.Yu. Yurchuk, S.A. Legotin, V.N. Murashev, S.I. Didenko, A.A. Krasnov, Yu.K. Omel’chenko, Yu.V Osipov, O.I. Rabinovich - Simulation the Beta Power Sources Characteristics, JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS, Vol. 7 No 3, 03014(5pp) (2015)

47 Мурашев В.Н., Леготин С.А., Юрчук С.Ю., Астахов В.П., Ельников Д.С., Диденко С.И., Рабинович О.И., Кузьмина К.А. - ВЛИЯНИЕ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ НА СПЕКТРАЛЬНУЮ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ PIN-СТРУКТУР ФОТОПРИЕМНИКОВ, В сборнике: Междисциплинарные исследования в области математического моделирования и информатики Материалы 5-й научно-практической internet-конференции. Ответственный редактор Ю.С. Нагорнов . Ульяновск, 2015. С. 182-187.

48 Мурашев В.Н., Леготин С.А., Юрчук С.Ю., Нагорнов Ю.С., Краснов А.А., Диденко С.И., Рабинович О.И. - МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НА СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ PIN-СТРУКТУР РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ НА ОСНОВЕ БЕТА-ИСТОЧНИКА НИКЕЛЬ-63, В сборнике: Междисциплинарные исследования в области математического моделирования и информатики Материалы 5-й научно-практической internet-конференции. Ответственный редактор Ю.С. Нагорнов . Ульяновск, 2015. С. 188-194.

49 V.N. Murashev, S.A. Legotin, S.U. Urchuk, A.A. Krasnov, S.I. Didenko, U.V Osipov, O.I. Rabinovich – Beta-power source characteristic simulation - Book of abstract, 8th EEIGM International Conference on Advanced Materials Research, June11-12, Valencia, Spain, p. 41

50 V.N. Murashev, S.A. Legotin, S.U. Urchuk, A.P. Astahov, O.I. Rabinovich, D.S. El’nikov, U.V Osipov, A.A. Krasnov, S.I. Didenko, K.A. Kuz’mina – Simulation of sensitivity spectral characteristic for silicon P-I-N structure with high resistance “well” - Book of abstract, 8th EEIGM International Conference on Advanced Materials Research, June11-12, Valencia, Spain, p. 42

51 Orlova, M.N. , Didenko, S.I., Rabinovich, A.V., Saranin – Study of heterocyclic ladder polymers optical properties for organic solar cells application, Book of abstract, 8th EEIGM International Conference on Advanced Materials Research, June11-12, Valencia, Spain, p. 44

52 М.Н. Орлова, С.И. Диденко, О.И. Рабинович, Д.С. Саранин - ГЕТЕРОЦИКЛИЧЕСКИЕ ПОЛИМЕРЫ В НАНОСЛОЯХ ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫХ ПЕРЕХОДОВ ДЛЯ ЗАДАЧ ОРГАНИЧЕСКОЙ ФОТОВОЛЬТАИКИ, Сборник научных статей 2й международной конференции «Физика и технология наноматериалов и структур», Курск, 2015, т.1, стр. 278

53 С.Ю. Юрчук, А.А. Краснов, С.А. Леготин, Ю.К. Омельченко, С.И. Диденко, В.Н.Мурашев, О.И. Рабинович, Ю.В. Осипов - МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК БЕТАВОЛЬТАИЧЕСКОГО ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ, Сборник научных статей 2й международной конференции «Физика и технология наноматериалов и структур», Курск, 2015, т.2, стр. 117

54 С.А. Леготин, В.Н. Мурашев, С.Ю. Юрчук, В.П. Яромский, В.П. Астахов, О.И. Рабинович, Д.С. Ельников, Ю.В. Осипов, А.А. Краснов, С.И. Диденко, К.А. Кузьмина «МОДЕЛИРОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ PIN-СТРУКТУРЫ С ВЫСОКООМНЫМ «КОЛОДЦЕМ», Сборник научных статей 2й международной конференции «Физика и технология наноматериалов и структур», Курск, 2015, т.2, стр. 130

55 А.А. Краснов, С.А. Леготин, С.И. Диденко, Ю.К. Омельченко, В.Н. Мурашев, О.И.Рабинович, С.Ю. Юрчук, В.П. Яромский - ОПТИМИЗАЦИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ БЕТАВОЛЬТАИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ, Сборник научных статей 2й международной конференции «Физика и технология наноматериалов и структур», Курск, 2015, т.2, стр. 134

56 Orlova M.N., Didenko S.I., Saranin D.S., Rabinovich O.I., Osipov U.V., Kryukov A.Y. PERSPECTIVES OF HETEROCYCLIC POLYMERS IN NANOLAYERS OF DONOR ACCEPTOR HETEROJUNCTION FOR ORGANIC PHOTOVOLTAIC APPLICATION. Part 1, pp. 326-332, Materials of IХ International conference «Efficient use of resources and environmental protection - key issues of mining and metallurgical complex development» and ХII International science conference «Advanced technologies, equipment and analytical systems for materials and nano-materials» , Ust-Kamenogorsk ,  Kazakhstan, Мау 20-23, 2015.

57 S.U. Urchuk, S.A. Legotin, U.V. Osipov, D.S. Elnikov, S.I. Didenko, V.P. Astahov, O.I. Rabinovich, V.P. Yaromskiy and K.A. Kuzmina - Spectral sensitivity characteristics simulation for silicon p-i-n Photodiode, Journal of Physics: Conference Series 643 (2015) 012068

58 M.N. Orlova, S.I. Didenko , O.I. Rabinovich , D.S. Saranin - Heterocyclic polymers perspectives in nanolayers of donor acceptor heterojunction for organic photovoltaic application, JOURNAL OFNANO- AND ELECTRONIC PHYSICS Vol. 7 No 4, 04083(2pp) (2015)

59 A A Krasnov,  S A Legotin, V N Murashev, S I Didenko, O I Rabinovich, S Yu Yurchuk, Yu K Omelchenko, E B Yakimov, V V Starkov - Development and investigation of silicon converter beta radiation 63Ni isotope, Journal of Physics: Conference Series, Volume 587, Issue, 2015

60 Кондаков М.Н., Черных С.В., Гладышева Н.Б., Черных А.В., Дорофеев А.А., Диденко С.И., Щербачев К.Д., Табачкова Н.Ю., Барышников Ф.М. - ИССЛЕДОВАНИЕ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ MO/AL/MO/AU В КАЧЕСТВЕ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ГЕТЕРОСТРУКТУРАМ ALGAN/GAN, Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2015. № 4 (238). с. 38-48.

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет (Название курса, место повышения квалификации, число часов, год):

  1. Оценка целей и результатов образовательных программ. Аккредитационный центр АИОР. 24-26 мая 2010 г., Москва, сертификат № 0000213.
  2. Международные стандарты, аккредитация и сертификация технического образования и инженерной профессии» 19-21 октября 2010 г., Москва, сертификат №.
  3. Управление проектами. 23-26 ноября 2009 г., Москва, сертификат № 09.300.306 УП.
  4. Требования международного стандарта ИСО 9001:2008. Внутренний аудит системы менеджмента качества. 18-20 ноября 2009 г., Москва, сертификат № 09.0372.026 ВА СМК.
  5. Управление обучением высшей школы США, Вашингтон, 19-23 октября 2011 г.
  6. Практические аспекты администрирования в системе высшего профессионального образования в США, Айова, 24-28 октября 2011 г.
  7. «Инновационное предпринимательство, управление НИОКР и трансфер технологий», 7- 15 ноября 2011 г., 72 ч.
  8. Краткосрочное обучение в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Российская академия народного хозяйства и государственной службы при Президенте Российской Федерации» по курсу «Современные подходы к разработке магистерских программ на основе учета требований общественных объединений работодателей и отдельных предприятий (организаций)», Регистрационный номер 26114У-РАНХиГС, 72 часа, 1-24 ноября 2011 г., Москва.
  9. Управление процессами разработки ООП, реализующих образовательные стандарты национального исследовательского университета, 72 ч., 2012

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2010:
Борщевский З.В. «Оптимизация наногетероструктурного каскадного фотоэлектрического преобразователя на основе InGaP/InGaAs/Ge для различных спектральных диапазонов» (инженер).
Хрусталёва Т.Ю. «Исследование влияния облучения быстрыми электронами на параметры глубоких центров в приборных структурах на основе GaAs» (инженер).
Хайретдинов Д.Х. «Исследование радиационной чувствительности полевых СВЧ транзисторов марки 3П 324 А-2» (инженер).

2011:
Пугачев А.О. «Разработка теплотводных элементов СВЧ полупроводниковых приборов из материалов на основе нитрида алюминия» (инженер).
Смирнов А.П. «Разработка системы инженерно-технической защиты в помещении» (инженер).
Емельянов И.М. «Исследование влияния нейтронного облучения на параметры диодов Шоттки на основе кремния» (инженер).
Орехов В.Ю. «Разработка СВЧ переключающего диода Шоттки на карбиде кремния для высокотемпературных применений» (инженер).
Ерастов Р.А. «Исследование влияния электрического облучения на параметры диодов Шота на основе кремния» (инженер).
Руднев С.В. «Исследование влияния радиационно-технологического процесса на температурные зависимости мощных кремниевых резисторов» (инженер).
Аксенов А.И. «Влияние атомного упорядочения в эпитаксиальных слоях на фотоэлектрические характеристики солнечных элементов на основе А3В5» (магистр).

2012: