Рабочий телефон: (495)237-21-29.
E-mail: yurchukirina@mail.ru.
 
Дата рождения: 18 января 1961 года.
 
Занимаемая должность: инженер 1-й категории.
 
Образование: окончила Московский институт стали и сплавов, кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 1983 году.
 
Специальность и квалификация: «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», инженер электронной техники.
 
Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

Учебные курсы, читаемые в университете:

Проводит лабораторные занятия по курсам:
  1. Физика полупроводниковых приборов (Курс направлен на изучения физических принципов работы биполярных полупроводниковых приборов и устройств. Рассматриваются основные полупроводниковые приборы – диоды и транзисторы. Проводится изучение их основных параметров и характеристик и влияния на эти характеристики конструкции и режимов работы).
  2. Полевые полупроводниковые приборы (Курс направлен на изучения физических принципов работы полевых полупроводниковых приборов и устройств. Рассматриваются основные полупроводниковые приборы – МДП-структуры, МДП-тразисторы, полевые транзисторы с затвором в виде p-n перехода. Проводится изучение их основных параметров и характеристик и влияния на эти характеристики конструкции и режимов работы).
  3. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы (Курс направлен на изучение современной полупрводниковой электроники, параметров оптоэлектронных приборов, устройств и систем, в которых процессы взаимодействия оптического излучения с веществом используются для генерации, передачи, обработки, хранения и отображения информации. Рассматриваются основные оптоэлектронные устройства и ситемы для отображения и передачи информации).
  4. СВЧ-полупроводниковые приборы и устройства (Курс направлен на изучение современных СВЧ-полупроводниковых приборов и устройств. Рассматриваются основные СВЧ-полупроводниковые приборы, предназначенные для генерации и преобразования СВЧ-излучения).

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

Разработка нанокомпонентов материалов и методов их получения для создания инструментов, позволяющих осуществлять локальное физическое воздействие на очаг заболевания (Госконтракт № 01.164.11нв01, 2008).

Награды, почетные звания, другие достижения:

Медаль «За безупречную службу МИСиС» III степени.

Дополнительные сведения:

Работает в МИСиС с 1981 г., принимала участие в разработке новых лабораторных практикумов по курсам «Оптоэлектронные полупроводниковые приборы», «СВЧ полупроводниковые приборы и устройства» и их последующей модернизации. При проведении лабораторных работ в лабораторных практикумах по курсам «Физика полупроводниковых приборов» и «Полевые полупроводниковые приборы» активно использует компьютерные тренажеры и обучающие программы.