непланарной полупроводниковой подложки
 
Кожитов Л. В., Кондратенко Т.Т., 
Регистрация 90-219-2005 от 20.01.05
 
В перечень подлежащих охране сведений входят:
-         Устройство ёмкости вращения полирующего травления;
-         Расположение подложек/емкости;
-         Режим травления.
Способ позволяет эффективно удалять механически нарушенный слой, образующийся после полировки поверхности цилиндрической (непланарной) подложки. Способ предназначен для подготовки поверхности цилиндрических (непланарных) подложек к проведению процесса газофазной эпитаксии, для формирования многослойных эпитаксиальных непланарных структур n+-n; n+-p; n-p-n; p-n-p типов.