Тел.8(901)511- 3946,
E-mail: apolisan@mail.ru
Дата рождения   28 августа 1945.
Занимаемая должность:    профессор
Образование:   высшее
Окончил МИСиС
Когда окончил 1967 г.
Специальность и квалификация 0604 «Полупроводники и диэлектрики», инженер электронной техники
Ученая степень, звание доктор технических наук, профессор

1. Область научных интересов.

Технология полупроводниковых приборов, солнечная энергетика.

2. Учебные курсы, читаемые в университете (название курса, аннотация).

  1. Основы радиационных технологий (Аннотация: Курс, дающий основные представления о взаимодействие излучения с твердым телом, о природе радиационных нарушений в полупроводниках, о радиационной стойкости полупроводниковых приборов, об использование радиационных воздействий в технологии полупроводников и полупроводниковых приборов).
  2. Основы космических технологий (Аннотация: Курс, дающий основные представления о воздействии факторов космического полета на полупроводниковые приборы и, в частности, на солнечные батареи; о материалах для производства солнечных батарей, о конструкциях и технологиях солнечных батарей космического и наземного базирования.)

3. Публикации

  1. А.А.Полисан, «Высокоэффективные фотоэлектрические преобразователи на основе монокристаллических полупроводниковых материалов». Сборник «Итогинаукиитехники», т.9, 1989.
  2. A.Polisan, V.Nadorov, V.Timofeyev, «Industrial Production of Amorphous Silicon Solar Batteries in Russia», 34th Annual Conference “SOLAR 96”, 1996, Darvin, Australia, 267.
  3. A.Polisan, H.Ovshinsky, M.Izu et al., «Production Start-up of 2 MW a-Si Manufacturimg Line at Sovlux Plant», 25th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1996, Washington, 319.
  4. А. Polisan, V. Timofeyev, General Assembly and science conference “Energy Related Materials”,Joint meeting of APSAM and MRS-India, 1996, Bangalore, India.
  5. A.A.Polisan at al. European Patent No.02768224.4-2104-Ru0200410 «Method For Carrying Out Homogeneous and Heterogeneous Chemical Reactions Using Plasma», 17.09.04.

4. Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель

  1. Полисан А.А., «Материалы и элементы электронной техники. Тонкопленочные многослойные структуры и солнечные элементы на основе   гидрогенизированного аморфного и нанокристаллического кремния», Учебное пособие, М., МИСиС, (№1247), 2007.
  2. Полисан А.А., Астахов В.П.,« Основы радиационных технологий. Расчёт режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовлении кремниевых солнечных элементов n+-p-p+  (p+- n- n+) типа», Методические указания, М., МИСиС, (№1248), 2007.
  3.  Полисан А.А., Астахов В.П., «Материалы и элементы электронной техники. Расчёт режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев», Практикум, М., МИСиС, (№1246), 2007.
  4. Астахов В.П., Полисан А.А., «Расчет параметров процессов термического окисления, диффузии и ионной имплантации при изготовлении фототранзисторов», Методические указания по выполнению лабораторных работ, М., Московский государственный университет приборостроения и информатики, 2007.

5. Участие в НИР, грантах, разработках и т.д. (тема, год).

–         нет

6. Награды, почетные звания, другие достижения.

–         нет

7. Все научные и учебные публикации за последние 5 лет.

№ п/п Наименование работы Вид работы   Выходные данные Объем работы, стр.   Соавторы
1.   Диэлектрические свойства кремний-углеродных пленок, синтезированных из силоксанов Тезисы доклада VI Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 2006. 1 Барун А.Ф, Додонов А.М., Малинкович М.Д.,. Пархоменко Ю.Н, Шупегин М.Л., Скрылева Е.А.
2.   Способ проведения гомогенных и гетерогенных химических реакций с использованием плазмы Патент Патент Украины на изобретение №75530, 17.04.2006г   Шарафутдинов Р.Г., Тимофеев В.Б.,. Хмель С.Я Карстен В.М., Семенова О.И.
3. Изучение процесса деградации многокаскадных преобразователей солнечной энергии на основе аморфного кремния Тезисы доклада Материалы докладов международного научно-технического семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», Москва, 2007. 1 Билалов Б.А., Кузнецов Г.Д., Осипов Ю.В.
4. Исследование поведения материалов и элементов конструкции гибких фотоэлектрических модулей на основе аморфного кремния в условиях влажного тропического климата Статья Вестник ВИЭСХ, 2007, №2 5 Стребков Д.С., Персиц И.С., Ивонин В.Н.
5. Изучение защитных свойств полимеpных покpытий для поpтативных солнечных батаpей типа БСА-P в условиях тpопического климата Статья Коррозия: материалы, защита, №4, 2007 6 Пеpсиц И. С., Ивонин В. Н., Чинь Куок Кхань, Каpпов В. А.
6. Анализ пленок нанокристаллического кремния с помощью туннельной микроскопии   Тезисы доклада XV Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, 2007 1 Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н.
7. Исследование влияния структуры подложки на свойства осаждаемых слоев нано- и микрокристаллического кремния   Тезисы доклада Четвертая Российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе – «Кремний – 2007», М.,2007 1 Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н.
8. «Материалы и элементы электронной техники» -Тонкопленочные многослойные структуры и солнечные элементы на основе   гидрогенизированного аморфного и нанокристаллического кремния Учебное пособие Учебное пособие, (№1247), М., МИСиС,2007 1,06 печ.л.               _
9. « Основы радиационных технологий» - Расчёт режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовлении кремниевых солнечных элементов n+-p-p+  (p+- n- n+) типа                                                                                Методи-ческие указания Методические указания, (№1248), М., МИСиС,2007   1,12 печ.л. Астахов В.П.
10 «Материалы и элементы электронной техники» - Расчёт режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев Практи-кум Практикум (№1246), М., МИСиС,2007 1,2 печ.л. Астахов В.П.
11 Расчет параметров процессов термического окисления, диффузии и ионной имплантации при изготовлении фототранзисторов Методи-ческие указания Методические указания по выполнению лабораторных работ, М., Московский государственный университет приборостроения и информатики, 2007. 2 печ.л. Астахов В.П.

8. Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет.

–         нет

9. Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года.


  • «Исследование влияния наноструктурированных переизлучательных покрытий на оптические и электрофизические свойства солнечных элементов», инж. Диплом, 2010.