Тел.: (495)638–4448
Занимаемая должность: доцент
Образование: высшее, Московский институт стали и сплавов
Год окончания: 1988 г.
Специальность и квалификация: «Полупроводники и диэлектрики», инженер электронной техники
Ученая степень, звание: к.ф.- м.н., доцент

1. Область научных интересов:

Изучение структурных особенностей полупроводников.

2. Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Методы  исследования структур кристалов полупроводников /вечерний факультет/,
  2. Метрология /дневной и вечерний факультет/;

3. Публикации:

Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:
  1. Методы  исследования  структур кристаллов «Фазовый анализ и прецезионные методы измерения параметра решетки» лаб. Практикум, М.-«Учеба» 2005, Мильвидский А.М., /Под.ред. Бублика В.Т./;
  2. Методы исследования  структур кристаллов «Рентгеновская дифракционная микроскопия», М.-«Учеба» 2006, Бублик В.Т., Мильвидский А.М.;

4. Все научные и учебные публикации за последние 5 лет.

  1. Структурные преобразования точечных дефектов в неравновесных твердых растворах алмазоподобных полупроводников, Научно-техническая конференция посвященная 100- летию со дня рождения Лившица Б.Г. и Я.С. Уманского Тезисы докладов 2005 стр.44-45 Москва МИСиС, Бублик В.Т., ЩербачевК.Д., Воронова М.И., Мильвидский А.М.;
  2. Современное состояние технологии выращивания кристаллов твердых растворов Ge-Si, «Материалы электронной техники» №4, 2005, Мильвидский М.Г., Мильвидский А.М.;
  3. Современное состояние технологии полупроводникового кремния часть 1, «Материаловедение» 2006. - № 11, - стр. 15-27. №12. – стр. 17-24., Мильвидский М.Г., Мильвидский А.М.;
  4. Современное состояние технологии полупроводникового кремния часть 2, «Материаловедение» 2007. - № 1, - стр.19-31., Мильвидский М.Г., Мильвидский А.М.;

5. Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

  • В 2007 г. прошел обучение по программе повышения квалификации: „ Технологии использования и разработки учебного курса с применением средств мультимедиа” и успешно защитил выпускную работу.