Рабочий телефон: (495)237-21-29.
E-mail: borzih_irina@mail.ru.
 
Дата рождения: 20 апреля 1965 года.
 
Занимаемая должность: старший преподаватель.
 
Образование: окончила Московский институт стали и сплавов, каф. Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 1988 году.
 
Специальность и квалификация: инженер электронной техники, специализация микроэлектроника.
 
Область научных интересов: микроэлектроника.

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Микроэлектроника (Рассматриваются основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем (ИС) и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Рассчитываются основные параметры и характеристики элементов аналоговых и цифровых микросхем. Проводится с помощью ЭВМ расчет основных статических и динамических параметров микросхем).
  2. Метрология, стандартизация и сертификация (Рассматриваются основы метрологии и измерительной техники для изделий электронной техники: формулирование представления о принципах сертификации и стандартизации на этапах обеспечения качества изделий микроэлектроники и радиоэлектронной аппаратуры. Изучение методов обеспечения качества и надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем (ППП и ИС).Измерение электрических и теплофизических параметров ППП и ИС, с пользованием диагностической и измерительной аппаратурой для диагностики качества изделий электронной техники. Рассчитываются основные показатели надежности и качества дискретных полупроводниковых приборов и микроэлектронных устройств. Рассматриваются физические причины и виды отказов, ограничивающие ресурсные возможности и качество изделий микроэлектроники).

Публикации:

  1. Распределение удельного электрического сопротивления в монокристаллах кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки.
  2. Энергия активации отжига радиационных дефектов в БЗП МК, облученного высокоэнергетичными электронами.
  3. Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. Распределение удельного электрического сопротивления в монокристаллах кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки.
  2. Энергия активации отжига радиационных дефектов в БЗП МК, облученного высокоэнергетичными электронами.
  3. Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2009:
Богушевская В.А. «Исследование электрофизических характеристик в многослойных структурах фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs/Ge» (инженер).
Якушев А.А. «Сравнительный анализ наноструктур» (бакалавр).
 
2010:
Каргапольцева М.Ю. «Особенности формирования геометрического рельефа и защита поверхности «Меза»- структуры в технологии изготовления крем» (инженер).
Шарончиков С.М. «Методы защиты СБИС от космического гамма-излучения» (инженер).
Брылев Е.А. «Защита бескорпусных сверх больших интегральных схем от ионизирующего излучения, атмосферы и влаги методом заливки» (инженер).