Рабочий телефон: (495)955-01-50.

E-mail: vnmurashev@mail.ru

 

Дата рождения: 24 июля 1947 года.

 

Занимаемая должность: профессор.

 

Образование: окончил Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА) в 1970 году.

 

Специальность и квалификация: полупроводниковые приборы, инженер электронной техники.

 

Ученая степень: доктор технических наук.

 

Область научных интересов: координатно-чувствительные детекторы радиационных частиц, управление параметрами полупроводниковых и микроэлектронных приборов при помощи радиационно-технологических процессов (РТП), микросхемотехника, кремниевые многопереходные преобразователи солнечной энергии, элементы памяти, нанотехнологии в электронике.

 

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Проектирование СБИС.
  2. Микросхемотехника (Рассматриваются особенности цифровой и аналоговой схемотехники микроэлектронных приборов и ИС. Изучаются цифровые и аналоговые элементные средства, рассматриваются их принципы работы, достоинства, недостатки и области применения. Рассчитываются основные параметры цифровых и аналоговых элементов и схем как вручную, так и с помощью ЭВМ).
  3. Процессы микро-наноэлектроники.

Публикации: 

  1. И.М. Анфимов, В.С. Бердников, Е.А. Выговская, С.П. Кобелева, В.Н. Мурашев «Однородность распределения удельного сопротивления в монокристаллическом кремнии выращенном методом Чохральского» «Материалы электронной техники» № 4, 2007 г.
  2. Ammosov V.V., Britvich G.I., Chubenko A.P., Murashev V.N. et al. «On potenti-alities of a multipurpose astrophysical orbital observatory in studies of high-energy cosmic rays», Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.) 166 (2007) С. 140-144.
  3. Ammosov V.V., Britvich G.I., Chubenko A.P., Murashev V.N. et al. «High-energy cosmic-ray physics study by multipurpose astrophysical orbital observatory», Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.) 175-176 (2008) 190-193.
  4. Мурашев В.Н., Леготин С.А. Кремний-2008. «Прецизионный кремниевый датчик температуры». Журнал проблем физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Чер-ноголовка, 2008 г.
  5. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Приходько П.С.. «Пиксельный квантовый ко-ординатный детектор с внутренним усилением» Микроэлектроника и наноин-женерия - 2008. Международная научно-техническая конференция, С. 160-161.
  6. S.A. Legotin, A.P. Chubenko, D.E. Karmanov, R.A. Mukhamedshin, V.N. Murashev «Silicon bipolar-pixel coordinate detector with internal amplification», Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 196 (2009) pp. 466–469.
  7. S.A. Legotin, D.L Volkov, D.E. Karmanov, V.N. Murashev, R.A. Mukhamedshin A. P. Chubenko «A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors», INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No. 52, pp. 655–664.
  8. V. N. Murashev, S. A. Legotin, O. M. Orlov, A. S. Korol’chenko, and P. A. Ivshin «A silicon position–sensitive detector of charged particles and radiations on the basis of functionally integrated structures with nano–micron active regions» INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2010, No. 53, 657–662.
  9. S.A. Legotin, P.A. Ivshin, A.S. Korol’chenko V.N. Murashev, «A High Precision Silicon Temperature Sensor» INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2010, No. 53, 788–789.
  10. А.С. Корольченко, С.А. Леготин, С.И. Диденко, С.П. Кобелева, М.Н. Орлова, В.Н. Мурашев «Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей» Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2010, № 2, с. 48-52.
  11. S.A. Legotin, A.S. Korol'chenko, S.I. Didenko, S.P. Kobeleva, M.N. Orlova, V.N. Murashev «Spectral and Photoelectric Parameters of High-Voltage Multi-Junction Solar Batteries» Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 8, pp. 78-82.

Основная учебная литература:

  1. Основы радиационной технологии микроэлектроники
  2. Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
  3. Моделирование полупроводниковых приборов, курс лекций
  4. Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и СБИС
  5. Проектирование СБИС, курс лекций

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

1. Теоретическое и экспериментальное исследование с целью повышения величины коэффициента полезного действия кремниевых высоковольтных, многопереходных преобразователей до 20-22%, 2007 – 2008 гг. 2. Управляемые магниточувствительные сенсоры для работы в экстремальных физических полях, 2005-2008 гг. 3. Проектирование и разработка топологии и конструкции тестовых структур координатных детекторов, 2006 г. 4. Проектирование, изготовление и исследование макетных образцов Би-МОП ФД приборов, 2006 г. 5. Полупроводниковые координатно–чувствительные детекторы радиационных частиц на основе функционально-интегрированных пиксельных структур, 2006-2009 гг.

Членство в российских и зарубежных академиях, других общественных организациях:

  1. Академик Российский Академии Инженерных Наук им. Прохорова А.М.
  2. Работа по контракту: с компанией Motorola и Токийским университетом в области разработки Флеш памяти.
  3. Трижды лауреат Соровского гранта в области образования.

Награды, почетные звания, другие достижения:

  1. Академик Российский Академии Инженерных Наук им. Прохорова А.М.
  2. Обладатель Серебряной и бронзовой медали на международной выставке изобретений в Женеве.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. Murashev V.N., Chubenko A.P., Karmanov D.E., Legotin S.A., Mukhamedshin R.A. «Silicon bipolar-pixel coordinate detector with internal amplification» (to be published in Nucl. Phys. B (Proc. Suppl.) 2009.
  2. Мурашев В.Н., Волков Д.Л., Карманов Д.Е., Леготин С.А., Мухамедшин Р.А., Чубенко А.П. - Новый координатно-чувствительный кремниевый пиксельный детектор на основе биполярных транзисторов. Приборы и техника эксперимента. № 5. 2009. С. 47–57.
  3. Мурашев В.Н., Орлова М.Н., Леготин С.А., Волков Д.Л. - Полупроводниковые радиационно-чувствительные детекторы на основе функционально интегрированных структур. - Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники.№3. 2009. С. 47-51.
  4. Леготин С.А., Волков Д.Л., Мурашев В.Н. – Пиксельный квантовый координатный детектор // Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): Материалы докладов научно-методического семинара, М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2009, С. 215-220.
  5. D. L. Volkov, D. E. Karmanov, V. N. Murashev, S. A. Legotin, R. A. Mukhamedshin, and A. P. Chubenko – A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors // INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No 52, pp. 655-664.
  6. Леготин С.А., Волков. Д. Л., Мурашев В.Н. – Двухкоординатная интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой // 16-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Микроэлектроника и информатика – 2009. Тезисы докладов, с. 88.
  7. S.A. Legotin, A.P. Chubenko, D.E. Karmanov, R.A. Mukhamedshin, V.N. Murashev «Silicon bipolar-pixel coordinate detector with internal amplification», Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 196 (2009) pp. 466–469.
  8. Леготин С.А., Волков Д.Л. Мурашев В.Н. «Пиксельный квантовый координатный детектор» Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): Материалы докладов научно-методического семинара М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2009, с. 215–220.
  9. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Волков Д.Л., Орлова М.Н. «Полупроводниковые радиационно-чувствительные детекторы на основе функционально интегрированных структур» Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2009, № 3, с. 47–51.
  10. S.A. Legotin, D.L Volkov, D.E. Karmanov, V.N. Murashev, R.A. Mukhamedshin A. P. Chubenko «A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors», INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No. 52, pp. 655–664.
  11. S.A. Legotin, P.A. Ivshin, A.S. Korol’chenko V.N. Murashev, «A High Precision Silicon Temperature Sensor» INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2010, No. 53, 788–789
  12. Legotin S.A., Korolchenko A.S. Murashev V.N., Orlova M.N. «The New Generation of solar Battery – Hybrid solar battery with nanoclusters» Metallurgist Volume 54, Pages 328-331, Published 2010
  13.  Мурашев В.Н., Ившин П.А. Леготин С.А. «Базовые троичные логические элементы. Снижение энергопотребления» ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, № 4, 2010, стр. 56-60
  14. А.С. Корольченко, С.А. Леготин, С.И. Диденко, С.П. Кобелева, М.Н. Орлова,В.Н. Мурашев «Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей» Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2010, № 2, с. 48-52
  15. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Корольченко А.С. «Кремниевый датчик температуры с многоячеечной структурой» Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции, Нальчик–2010, с. 256- 258
  16. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Корольченко А.С. «Оптимизация структуры мультикаскадного СЭ на основе InGaP/InGaAs/Ge космического направления» Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции, Нальчик–2010, с. 191- 195
  17. Леготин С.А., Мурашев В.Н.. Юрчук С.Ю. «Координатный полупроводниковый детектор рентгеновского излучения на основе пиксельных матриц» Датчики и системы, 2011, №1, с. 31–36.
  18. S.A. Legotin, A.S. Korol'chenko, S.I. Didenko, S.P. Kobeleva, M.N. Orlova, V.N. Murashev «Spectral and Photoelectric Parameters of High-Voltage Multi-Junction Solar Batteries» Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 8, pp. 78-82

Патенты, заявки на патенты:

  1. Мурашев В. Н., «Интегральная Би-МОП ячейка детектора излучений» Заявка на патент № 2006108414 от 20.03.06.
  2. Мурашев В.Н. «Динамическое последовательное функциональное устройство». РСТ/RU 2005/000309 18.12.07.
  3. Мурашев В.Н, Лагов П.Б. и др. «Полупроводниковый фотопреобразователь и способ его изготовления». Заявка на патент № 2008 131147 от 28.07.08 \ от МИСиСа и ВЭИ.
  4. Мурашев В.Н. Ячейка памяти для быстродействующих ЭСППЗУ и способ её программирования РСТ/RU 2009/000149 30.03.09.
  5. Мурашев В.Н., Ившин П.А., Леготин С.А. и др. «Устройство «НЕ» трехуровневой логики» заявка на патент № 2009 117423 от 08.05.2009.
  6. Мурашев В.Н., Ившин П.А. и др. «Устройство «ИЛИ-НЕ» трехуровневой логики заявка на па-тент № 2009 117425 от 08.05.2009.
  7. Мурашев В.Н., Ившин П.А. и др. «Устройство «ИЛИ» трехуровневой логики» заявка на патент № 2009 117427 от 08.05.2009.
  8. Мурашев В.Н., Ившин П.А. и др. «Устройство «И-НЕ» трехуровневой логики заявка на патент № 2009 117429 от 08.05.2009.
  9. Мурашев В.Н. и др. «Способ обработки алмазов» Зарегистрировано в Государственном реест-ре изобретений Российской Федерации 10 февраля 2007 г.
  10. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Диденко С.И., Кобелева С.П., Волков Д.Л., Коновалов М.П., Корольченко А.С., Орлов О.М. – Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой // Заявка на патент № 2010113592 от 08.04.2010 г.

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

Компьютерные курсы. МИСиС, 50 часов, 2007 г.

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2008:

Иванчиков А.А. «Термодетектирующее последовательное динамическое функциональное устройство» (бакалавр).

Маландина Н.И. «Трехуровневая элементарная база микросхем для компьютеров нового поколения» (бакалавр).

Петров Д.Г. «Прецизионный сенсор магнитного поля» (бакалавр)

 

2009:

Чечель И.А. «Исследование и разработка кремневого и координатного детектора высокоэнергетичных электронов» (бакалавр).

Садыков Р.И. «Исследование радиационной чувствительности к гамма-излучению структур с 2-х эмиттерным транзистором» (инженер).

Третьяков Е.В. «Исследование радиационной чувствительности к облучению высокоэнергетическими электронами структур с 2-х эмиттерным транзистором» (инженер).

Корольченко А.С. «Оптимизация структуры мультикаскадного СЭ на основе InGaP/ InGaAs/Ge космического применения» (инженер).

Дюкин Р.З. «Излучение структуры и свойств полупроводниковых солнечных элементов на основе InGaAs/Ge, полученных методом газофазной эпитаксии» (инженер).

Ковальковский И.В. «Разработка, исследование и макетирование элементов тройчной логики» (инженер).

 

2010:

Маракин П.В. «Разработка установки для исследования характеристик солнечных ячеек на основе органических полупроводниках» (инженер).

 Пужаев А.М. «Исследование фотофизических свойств тонких полимерных пленок» (инженер).

 Чернов Н.И. «Исследование влияния электронного излучения на параметры кремниевого детектора с сетчатой базой» (инженер).

 Польщиков Д.П. «Исследование энергодинамических характеристик троичных элементов» (инженер).

 Сениченков Д. Н. «Моделирование базовых логических элементов троичной логики» (бакалавр).

 Оленин А.В. «Разработка и исследование базовых логических элементов троичной логики» (инженер).

Гранты, выигранные студентами под руководством преподавателя, за последние 3 года:

Леготин Сергей Александрович, аспирант, Программа УМНИК (фонд Бортника) «Разработка принципиально нового устройства, состоящего из отдельных транзисторных пикселов, каждый из которых является сенсором, реагирующим на определенный тип внешнего воздействия, обладающего чувствительностью на порядок выше, чем у существующих аналогов» Проект № 8692»