Рабочий телефон: (499) 237-21-29

E-mail: serlego@mail.ru

Занимаемая должность: ассистент

Образование: окончил Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов» в 2007 г.  

Специальность и квалификация: инженер по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника»  

Ученая степень, звание: кандидат технических наук  

Область научных интересов: нанотехнологии в электронике, детекторы радиационных частиц и излучений, кремниевые преобразователи солнечной энергии, микроэлектроника, разработка электронной компонентной базы

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Проектирование и конструирование СБИС.
  2. Микросхемотехника
  3. Процессы микро-наноэлектроники.

Основные публикации:

  1. S.A. Legotin, A.P. Chubenko, D.E. Karmanov, R.A. Mukhamedshin, V.N. Murashev «Silicon bipolar-pixel coordinate detector with internal amplification», Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 196 (2009) pp. 466–469.
  2. S.A. Legotin, D.L Volkov, D.E. Karmanov, V.N. Murashev, R.A. Mukhamedshin A. P. Chubenko «A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors», INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No. 52, pp. 655–664
  3. V. N. Murashev, S. A. Legotin, O. M. Orlov, A. S. Korol’chenko, and P. A. Ivshin «A silicon position–sensitive detector of charged particles and radiations on the basis of functionally integrated structures with nano–micron active regions» INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2010, No. 53, 657–662
  4. S.A. Legotin, P.A. Ivshin, A.S. Korol’chenko V.N. Murashev, «A High Precision Silicon Temperature Sensor» INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2010, No. 53, 788–789
  5. А.С. Корольченко, С.А. Леготин, С.И. Диденко, С.П. Кобелева, М.Н. Орлова,                           В.Н. Мурашев «Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей» Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2010, № 2, с. 48-52
  6. S.A. Legotin, A.S. Korol'chenko, S.I. Didenko, S.P. Kobeleva, M.N. Orlova, V.N. Murashev «Spectral and Photoelectric Parameters of High-Voltage Multi-Junction Solar Batteries» Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 8, pp. 78-82.

Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:

  1. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Корольченко А.С., Орлова М.Н. – Физика фотопреобразователей Курс лекций, пособие № 111, МИСиС, 2011, 120 с.
  2.  Мурашев В.Н., Леготин С.А., Орлова М.Н., Мельников А.Л. – Микросхемотехника Курс лекций, пособие № 1929, МИСиС, 2011, 220 с.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. S.A. Legotin, A.P. Chubenko, D.E. Karmanov, R.A. Mukhamedshin, V.N. Murashev «Silicon bipolar-pixel coordinate detector with internal amplification», Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 196 (2009) pp. 466–469.
  2. Леготин С.А., Волков Д.Л. Мурашев В.Н. «Пиксельный квантовый координатный детектор» Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): Материалы докладов научно-методического семинара М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2009, с. 215–220.
  3. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Волков Д.Л., Орлова М.Н. «Полупроводниковые радиационно-чувствительные детекторы на основе функционально интегрированных структур» Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2009, № 3, с. 47–51.
  4. S.A. Legotin, D.L Volkov, D.E. Karmanov, V.N. Murashev, R.A. Mukhamedshin A. P. Chubenko «A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors», INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No. 52, pp. 655–664.
  5. Леготин С.А. «Функционально-интегрированная ячейка детектора радиационных частиц и излучений на основе транзистора с сетчатой базой» IV международная конференция «Кристаллофизика XXI века» посвященная памяти М.П. Шаскольской. НКРК- 2010, Москва, ИК РАН, 2010, с. 312–313.
  6. S.A. Legotin, P.A. Ivshin, A.S. Korol’chenko V.N. Murashev, «A High Precision Silicon Temperature Sensor» INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2010, No. 53, 788–789
  7. Legotin S.A., Korolchenko A.S. Murashev V.N., Orlova M.N. «The New Generation of solar Battery – Hybrid solar battery with nanoclusters» Metallurgist Volume 54, Pages 328-331, Published 2010
  8. Мурашев В.Н., Ившин П.А. Леготин С.А. «Базовые троичные логические элементы. Снижение энергопотребления» ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, № 4, 2010, стр. 56-60
  9. А.С. Корольченко, С.А. Леготин, С.И. Диденко, С.П. Кобелева, М.Н. Орлова, В.Н. Мурашев «Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей» Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2010, № 2, с. 48-52
  10. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Корольченко А.С. «Кремниевый датчик температуры с многоячеечной структурой» Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции, Нальчик–2010, с. 256- 258
  11. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Корольченко А.С. «Оптимизация структуры мультикаскадного СЭ на основе InGaP/InGaAs/Ge космического направления» Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции, Нальчик–2010, с. 191- 195
  12. Леготин С.А., Мурашев В.Н.. Юрчук С.Ю. «Координатный полупроводниковый детектор рентгеновского излучения на основе пиксельных матриц» Датчики и системы, 2011, №1, с. 31–36.
  13. S.A. Legotin, A.S. Korol'chenko, S.I. Didenko, S.P. Kobeleva, M.N. Orlova, V.N. Murashev «Spectral and Photoelectric Parameters of High-Voltage Multi-Junction Solar Batteries» Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 8, pp. 78-82.

Патенты, заявки на патенты:

  1. Мурашев В.Н., Леготин С.А.,Ившин П.А. «Устройство «НЕ» трехуровневой логики» Заявка на патент № 2009117423 от 08.05.2009 г.
  2. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Диденко С.И., Кобелева С.П., Волков Д.Л., Коновалов М.П., Корольченко А.С., Орлов О.М. «Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой» Положительное решение о выдачи патента по заявке № 2010113592 от 27.10.2010 г.
  3. Мурашев В.Н., Леготин С.А. «Динамическое последовательное функциональное устройство» Патент на изобретение № 2392672 от 20.06.2010 г.
  4. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Орлов О.М., Шелепин Н.А. «Ячейка памяти для быстродействующего ЭСППЗУ с управляемым потенциалом подзатворной области» Заявка на патент № 2011133289 от 09.08.2011 г.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д. (тема, год):

  1. Грант МНТЦ № 3024 «Полупроводниковые координатно-чувствительные детекторы радиационных частиц на основе функционально-интегрированных пиксельных структур» 2006-2009
  2. Грант программы УМНИК, Государственный контракт № 8692 от 5 апреля 2008 г. «Разработка принципиально нового устройства, состоящего из отдельных транзисторных пикселов, каждый из которых является сенсором, реагирующим на определенный тип внешнего воздействия, обладающего чувствительностью на порядок выше, чем у существующих аналогов», 2008-2009 гг.
  3. Государственный контракт П527 от 5 августа 2009 г. «Исследование возможности создания квантового координатного детектора для высокоточной регистрации координат (не хуже 20 мкм), времени прихода (10 нс), и спектра радиационных частиц (не хуже 3%)», 2009-2010 гг.
  4. Государственный контракт П758 от 12 августа 2009 г. «Создания радиационно-стойких высоковольтных многопереходных преобразователей для применения в аппаратуре военного и космического назначения», 2009-2010 гг.
  5. Государственный контракт П1056 от 20 августа 2009 г. «Создания нового поколения компьютеров на основе трехзначной логики», 2009-2010 гг.
  6. Государственный контракт П505 от 5 августа 2009 г. «Создание функционально-интегрированной элементной базы (ФИЭБ) микро-наноэлектроники топологического диапазона до 24 нм», 2009-2011 гг.
  7. Государственный контракт П691 от 12 августа 2009 г. «Создания многоцелевого квантового биполярного координатного детектора радиационных частиц и излучений для приборов медицинского назначения таможенного контроля и радиационной физики», 2009-2011 гг.
  8. Государственный контракт П1501 от 3 сентября 2009 г. «Создание радиационно-стойких кремниевых высоковольтных преобразователей солнечной энергии для аппаратуры космического и наземного применения», 2009-2011 гг.
  9. Государственный контракт П23 от 25 марта 2010 г. «Исследование и создание кремниевого зарядово-чувствительного детектора с внутренним усилением», 2010-2011 гг.
  10. Грант программы СТАРТ, Государственному контракту №9134р/14918 от 6 мая 2011 «Разработка полупроводникового высокоточного координатно-чувствительного сенсора температурного поля на основе функционально - интегрированных пиксельных структур», 2011-2013
  11. Государственный контракт 16.740.11.0575 от 30 мая 2011 г. «Создание и исследование кремниевого активного пиксельного координатного детектора ионизирующих частиц», 2011-2013 гг.
  12. Государственный контракт 16.740.11.0575 от 07 июня 2011 г. «Исследование и разработка элементной базы микро- и наноэлектроники на основе функционально-интегрированных структур», 2011-2013 гг.

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет (Название курса, место повышения квалификации, число часов, год):

  1. Обучающий курс «Управление временем», 23-24 июня 2011 г., Москва