Рабочий телефон
: (499) 237-21-29

E-mail: legotin@misis.ru

Занимаемая должность: доцент

Образование: окончил Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов» в 2007 г.  

Специальность и квалификация: инженер по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника»  

Ученая степень, звание: кандидат технических наук  

Область научных интересов: нанотехнологии в электронике, детекторы радиационных частиц и излучений, кремниевые преобразователи солнечной энергии, микроэлектроника, разработка электронной компонентной базы

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. бакалавр (Основы технологии электронной компонентной базы, Основы проектирования электронной компонентной базы. Пакеты прикладных программ)
  2. магистр (Компьютерные технологии в научных исследованиях)

Публикации за последнее 3 года

1. Fedorchenko, I.V., Kushkov, A.R., Gaev, D.S., Orlova, M.N., Krasnov, A.A., Growth method for AIIIBVand AIVBVIheterostructures,, Journal of Crystal Growth, 483, с. 245-250, 2018 
2. Rabinovich, O.I., Legotin, S.A., Didenko, S.I., Nitride heterostructure optimization by simulation, Journal of Crystal Growth, 468, с. 567-571,  2017 
3. Fedorchenko, I.V., Ril, A.I., Marenkin, S.F., Kilanski, L., Dobrowolski, W., Phase diagram of the ZnSiAs2–MnAs system, Journal of Crystal Growth, 468, с. 683-687,  2017 
 4. Krasnov, A.A., Starkov, V.V., Legotin, S.A., Rogozev, B.I., Laryushkin, A.S., Development of betavoltaic cell technology production based on microchannel silicon and its electrical parameters evaluation, Applied Radiation and Isotopes, 121, с. 71-75,  2017 
 5. Rabinovich, O.I., Legotin, S.A., Didenko, S.I., Kovalev, A.N., Podgornaya, S.V. Investigation of radiation influence on LED, IOP Conference Series: Materials Science and Engineering  168(1),012047,  2017 
 6. Kir'Yanov, A.V., Dutta, D., Barmenkov, Y.O., Legotin, S.A., Tapero, K.I., Effects of electron-irradiation darkening and its posterior bleaching by light in novel Cr-Mg-YAS fiber,  Laser Physics Letters 13(12),125103, 2016
 7. Urchuk, S.U., Murashev, V.N., Legotin, S.A., Osipov, U.V., Didenko, S.I., Betavoltaic p--n+-structure simulation, Journal of Physics: Conference Series, 741(1),012094, 2016 
8. Rabinovich, O., Legotin, S., Didenko, S.,  Osipov, Y., Fedorchenko, I., Heterostructure optimization for increasing LED efficiency, Japanese Journal of Applied Physics, 55(5),05FJ13, 2016 
9. Krasnov, A.A., Legotin, S.A., Murashev, V.N., (...), Yakimov, E.B., Starkov, V.V., Development and investigation of silicon converter beta radiation63Ni isotope, IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 110(1),012029, 2016 
10. Didenko, S., Rabinovich, O., Legotin, S., Fedorchenko, I., Krasnov, A., InAlGaP heterostructures and LEDs optimization, Materials Science Forum, 845, с. 30-33, 2016 
 10. Tokareva, E., Koltsov, G., Burtebaev, N., Legotin, S., Rabinovich, O.,Matrix nuclear radiation GaAs detectors simulation, Materials Science Forum, 845, с. 154-157, 2016 
11. Didenko, S.I., Rabinovich, O.I., Legotin, S.A., Melnik, M.S., Sergeev, K.A., AlGaN heterostructure optimization for photodetectors, Journal of Nano- and Electronic Physics, 8(3),03036, 2016

 Публикации в материалах научных мероприятий за последнее 3 года
 1. 8th EEIGM International Conference on Advanced materials research, Spain, Valecia 11-12 June 2015, докладчик: Леготин С.А., тема доклада - Beta-power source characteristic simulation 
2. XI Международная научная конференция «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (РТЭП-2015), 31.08.-10.09.2015 г., г. Ялта, Россия, тема доклада -  Бетавольтаические источники питания с использованием радиоизотопа 63Ni.
3. Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики 23 – 25 ноября 2015 года г. Санкт-Петербург, Россия, тема доклада «Планарные и макропористые бетавольтаические элементы на основе монокристаллического кремния».
4. 7я Международная конференция «КОСМИЧЕСКИЙ ВЫЗОВ ХХI ВЕКА. Новые материалы, технологии и приборы для космической техники» (Крым, СЕВАСТОПОЛЬ, 22 - 26 июня 2015 г.), тема доклада: Микроканальные кремниевые структуры для бета-вольтаических и фотоэлектрических преобразователей с повышенной радиационной стойкостью.
5. II Международная научно-практическая конференция «Физика и технология наноматериалов и структур», 24-26 ноября 2015 г. в Юго-Западный государственный университет (Курск, Россия), тема доклада: Микроканальные структуры бетавольтаических преобразователей на кремнии.
6. Третья национальная выставка технических и технологических достижений науки ВУЗПРОМЭКСПО-2015, 2-4 декабря г. Москва, тема доклада - Разработка маломощного радиационно-стимулированного источника питания на основе кремниевой p-i-n структуры.
7. Международной научно-практической конференции «Медицинские импланты» 18-19 марта 2016, Курск, Россия, тема доклада - Возможности применения бетавольтаического источника питания для питания имплантируемых устройств.
8. XXVI Российская  конференция  по  электронной  микроскопии (РКЭМ-2016). - г. Москва, Зеленоград, Россия, 30.05.-03.06.2016 г., тема доклада -  Микроканальные структуры бетавольтаических преобразователей на основе кремния.


S.A. Legotin, A.P. Chubenko, D.E. Karmanov, R.A. Mukhamedshin, V.N. Murashev «Silicon bipolar-pixel coordinate detector with internal amplification», Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 196 (2009) pp. 466–469.

 

Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:

  1. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Корольченко А.С., Орлова М.Н. – Физика фотопреобразователей Курс лекций, пособие № 111, МИСиС, 2011, 120 с.
  2.  Мурашев В.Н., Леготин С.А., Орлова М.Н., Мельников А.Л. – Микросхемотехника Курс лекций, пособие № 1929, МИСиС, 2011, 220 с.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. S.A. Legotin, A.P. Chubenko, D.E. Karmanov, R.A. Mukhamedshin, V.N. Murashev «Silicon bipolar-pixel coordinate detector with internal amplification», Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 196 (2009) pp. 466–469.
  2. Леготин С.А., Волков Д.Л. Мурашев В.Н. «Пиксельный квантовый координатный детектор» Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): Материалы докладов научно-методического семинара М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2009, с. 215–220.
  3. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Волков Д.Л., Орлова М.Н. «Полупроводниковые радиационно-чувствительные детекторы на основе функционально интегрированных структур» Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2009, № 3, с. 47–51.
  4. S.A. Legotin, D.L Volkov, D.E. Karmanov, V.N. Murashev, R.A. Mukhamedshin A. P. Chubenko «A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors», INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No. 52, pp. 655–664.
  5. Леготин С.А. «Функционально-интегрированная ячейка детектора радиационных частиц и излучений на основе транзистора с сетчатой базой» IV международная конференция «Кристаллофизика XXI века» посвященная памяти М.П. Шаскольской. НКРК- 2010, Москва, ИК РАН, 2010, с. 312–313.
  6. S.A. Legotin, P.A. Ivshin, A.S. Korol’chenko V.N. Murashev, «A High Precision Silicon Temperature Sensor» INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2010, No. 53, 788–789
  7. Legotin S.A., Korolchenko A.S. Murashev V.N., Orlova M.N. «The New Generation of solar Battery – Hybrid solar battery with nanoclusters» Metallurgist Volume 54, Pages 328-331, Published 2010
  8. Мурашев В.Н., Ившин П.А. Леготин С.А. «Базовые троичные логические элементы. Снижение энергопотребления» ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес, № 4, 2010, стр. 56-60
  9. А.С. Корольченко, С.А. Леготин, С.И. Диденко, С.П. Кобелева, М.Н. Орлова, В.Н. Мурашев «Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей» Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2010, № 2, с. 48-52
  10. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Корольченко А.С. «Кремниевый датчик температуры с многоячеечной структурой» Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции, Нальчик–2010, с. 256- 258
  11. Леготин С.А., Мурашев В.Н., Корольченко А.С. «Оптимизация структуры мультикаскадного СЭ на основе InGaP/InGaAs/Ge космического направления» Микро- нанотехнологии в электроники. Материалы III международной научно-технической конференции, Нальчик–2010, с. 191- 195
  12. Леготин С.А., Мурашев В.Н.. Юрчук С.Ю. «Координатный полупроводниковый детектор рентгеновского излучения на основе пиксельных матриц» Датчики и системы, 2011, №1, с. 31–36.
  13. S.A. Legotin, A.S. Korol'chenko, S.I. Didenko, S.P. Kobeleva, M.N. Orlova, V.N. Murashev «Spectral and Photoelectric Parameters of High-Voltage Multi-Junction Solar Batteries» Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 8, pp. 78-82.

Патенты, заявки на патенты:

  1. Мурашев В.Н., Леготин С.А.,Ившин П.А. «Устройство «НЕ» трехуровневой логики» Заявка на патент № 2009117423 от 08.05.2009 г.
  2. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Диденко С.И., Кобелева С.П., Волков Д.Л., Коновалов М.П., Корольченко А.С., Орлов О.М. «Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой» Положительное решение о выдачи патента по заявке № 2010113592 от 27.10.2010 г.
  3. Мурашев В.Н., Леготин С.А. «Динамическое последовательное функциональное устройство» Патент на изобретение № 2392672 от 20.06.2010 г.
  4. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Орлов О.М., Шелепин Н.А. «Ячейка памяти для быстродействующего ЭСППЗУ с управляемым потенциалом подзатворной области» Заявка на патент № 2011133289 от 09.08.2011 г.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д. (тема, год):

1. Грант МНТЦ № 3024 «Полупроводниковые координатно-чувствительные детекторы радиационных частиц на основе функционально-интегрированных пиксельных структур» 2006-2009 г. (руководитель)
2. Грант программы УМНИК, Государственный контракт № 8692 от 5 апреля 2008 г. «Разработка принципиально нового устройства, состоящего из отдельных транзисторных пикселов, каждый из которых является сенсором, реагирующим на определенный тип внешнего воздействия, обладающего чувствительностью на порядок выше, чем у существующих аналогов», 2008-2009 гг. (руководитель)
3.Государственный контракт П527 от 5 августа 2009 г. «Исследование возможности создания квантового координатного детектора для высокоточной регистрации координат (не хуже 20 мкм), времени прихода (10 нс), и спектра радиационных частиц (не хуже 3%)», 2009-2010 гг. (руководитель)
4. Государственный контракт П758 от 12 августа 2009 г. «Создания радиационно-стойких высоковольтных многопереходных преобразователей дляприменения в аппаратуре военного и космического назначения», 2009-2010 гг. (руководитель)
5. Государственный контракт П1056 от 20 августа 2009 г. «Создания нового поколения компьютеров на основе трехзначной логики», 2009-2010 гг. (руководитель)
6. Государственный контракт П505 от 5 августа 2009 г. «Создание функционально-интегрированной элементной базы (ФИЭБ) микро-наноэлектроники топологического диапазона до 24 нм», 2009-2011 гг. (руководитель )
7. Государственный контракт П691 от 12 августа 2009 г. «Создания многоцелевого квантового биполярного координатного детектора радиационных частиц и излучений для приборов медицинского назначения таможенного контроля и радиационной физики», 2009-2011 гг. (руководитель)
8. Государственный контракт П1501 от 3 сентября 2009 г. «Создание радиационно-стойких кремниевых высоковольтных преобразователей солнечной энергии для аппаратуры космического и наземного применения», 2009-2011 гг. (руководитель)
9. Государственный контракт П23 от 25 марта 2010 г. «Исследование и создание кремниевого зарядово-чувствительного детектора с внутренним усилением», 2010-2011 гг. (руководитель)
10. Грант программы СТАРТ, Государственному контракту №9134р/14918 от 6 мая 2011 «Разработка полупроводникового высокоточного координатно-чувствительного сенсора температурного поля на основе функционально - интегрированных пиксельных структур», 2011-2013 г. (руководитель)
11. Государственный контракт 16.740.11.0575 от 30 мая 2011 г. «Создание и исследование кремниевого активного пиксельного координатного детектора ионизирующих частиц», 2011-2013 гг. (руководитель)
12. Соглашение № 14.575.21.0010 от 17 июня 2014 г. «Разработка маломощного радиационно-стимулированного источника питания на основе кремниевой p-i-n структуры» (руководитель)
13. Соглашение № 14.575.21.0018 от 17 июня 2014 г. «Разработка типоразмерного ряда дискретных и многоэлементных кремниевых фотодиодов фотовольтаического применения для сканирующих, акселерометрических и гироскопических систем» (руководитель)

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет (Название курса, место повышения квалификации, число часов, год):

1. Обучающий курс «Управление временем», 2011 г., Москва
2. Управление обучением высшей школы США, Вашингтон, 2012 г.
3. Практические аспекты администрирования в системе высшего профессионального образования в США, Айова, 2012 г.
4. Надежность оптоэлектронных устройств, НИТУ «МИСиС», 2013 г.


Оборудование, которое использует в работе



1. Анализатор полупроводниковых приборов Keysight B1500A
2. Генераторы сигналов произвольной формы и стандартных функций серии AFG3250C
3. 34420A Нановольтметр/микроомметр
4. TDS3054C, Осциллограф цифровой