Барышников Федор Михайлович

Мобильный телефон: +79067186116

Рабочий телефон: +74953665683

e-mail: baryshnikovfm@pulsarnpp.ru,  baryshnikovfm@mail.ru

Дата рождения: 9 апреля 1986

Занимаемая должность: ассистент

Образование: окончил с отличием Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», кафедру полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 2008 году. Окончил Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет), кафедру иностранных языков в 2009 году.

Специальность и квалификация: инженер по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника»; переводчик в сфере профессиональной коммуникации.

Область научных интересов: моделирование, разработка, технология и надежность изделий СВЧ-электроники на основе широкозонных полупроводников; детекторы ядерных излучений на основе широкозонных полупроводников.

Учебные курсы, читаемые в университете: физика полупроводниковых приборов; полевые полупроводниковые приборы.

Публикации: 

  • Nuclear Radiation Detectors Based on a Matrix of Ion-Implanted p-i-n Diodes on Undoped GaAs Epilayers. F.M. Baryshnikov, G.I. Вritvich, A.V. Chernykh, S.V. Chernykh, A.Р. Chubenko, S.I. Didenko, G.I. Koltsov. Ion Implantation Technology 2012 AIP Conf. Proc. 1496, 50-53 (2012)
  • Monolithic ionizing particle detector based on active matrix of functionally integrated structures. V.N. Murashev, S.A. Legotin, D.E. Karmanov, F.M. Baryshnikov, S.I. Didenko. Journal of Alloys and Compounds, Volume 586, Supplement 1, Pages S553-S557 (2014)
  • Применение растровой микроскопии для контроля полупроводниковых структур. Барышников Ф.М., Зайцев А.А., Концевой Ю.А.Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 2 (225),  2010.  стр. 8 – 12
  • Перспективная технология изготовления пиксельного детектора ионизирующих частиц и излучений. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Барышников Ф.М., Кузьмина К.А. Вестник ИКСИ. Вестник ИКСИ Серия "С" Выпуск № 13 Инв. №19696, стр. 110-117
  • Транзисторный кремниевый пиксельный детектор. В.Н. Мурашев, С.А. Леготин, Барышников Ф.М. Вестник ИКСИ. Вестник ИКСИ Серия "С" Выпуск № 13 Инв. №19696, стр. 117-124.
  • Детектор быстрых нейтронов. Бритвич Г.И., Кольцов Г.И., Диденко С.И., Чубенко А.П., Черных А.В., Черных С.В., Барышников Ф.М., Свешников Ю.Н., Мурашев В.Н. Заявка на патент РФ № 2013129494 от 28.06.2013
  • Самосмещенный детектор быстрых нейтронов. Бритвич Г.И., Черных А.В., Черных С.В., Барышников Ф.М., Диденко С.И., Кольцов Г.И., Чубенко А.П. Заявка на патент РФ № 2013158524 от 30.12.2013
  • Применение микроспектрального рентгеновского анализа для контроля полупроводниковой технологии. Барышников Ф.М., Зайцев А.А., Концевой Ю.А. Материалы IX научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», Звенигород, 2010, стр. 214 – 215
  • Применение сканирующей электронной микроскопии для контроля гетероэпитаксиальных структур и технологических процессов изготовления транзисторов на их основе. Барышников Ф.М., Зайцев А.А., Концевой Ю.А. Материалы IX научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», Звенигород, 2010, стр. 221 - 223
  • • Nuclear Radiation Detector Based on a Matrix of Ion-Implanted p-i-n Diodes on Undoped GaAs Epilayers. F.M. Baryshnikov, A.V. Chernykh S.V. Chernykh S.I. Didenko G.I. Koltsov. 19th International Conference on Ion Implantation Technology. Program and Abstracts. Valladolid, Spain, 2012.– P1-33.
  • Monolithic Silicon Ionizing Particle Detector Based on an Active Matrix of Functionally Integrated Structures. V.N. Murashev, S.A. Legotin, D.E. Karmanov, F.M. Baryshnikov, S.I. Didenko. 19th International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructures Materials, Moscow, 18-22 June 2012, PO-343, 298 p.
  • Эффекты дисперсии ВАХ HEMT на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Ф.М. Барышников. Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 2012, стр. 195-196

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет (Название курса, место повышения квалификации, число часов, год):

  •  «Формирование национально-исторических особенностей современного Китая и российско-китайских деловых и научно-образовательных контактов», ФГОУ ВПО «Государственный технологический университет «Московский институт стали и сплавов», 144 ч., 2008г.
  •  «Надежность оптоэлектронных устройств», ФГАОУ ВПО Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», 72 ч., 2013 г.

Дополнительные сведения:

  • Работает в ОАО «НПП«Пульсар» в должности ведущего инженера-технолога.