Тел.
:+7 (916) 605 75 63, e-mailmarenkin@rambler.ru

Дата рождения    16 октября 1948 г.

Занимаемая должность - профессор

Образование:  высшее, окончил МХТИ им. Д.И. Менделеева в 1965 г. Специальность и квалификация «Материалы квантовой электронки», инженер-технолог.

Ученая степень, звание: доктор химических наук, профессор.

Область научных интересов: Магнитные материалы и устройства спинтроники.

Учебные курсы, читаемые в университете (название курса, аннотация):

1. Технология материалов электронной техники

Аннотация: Курс дающий представление об основах получении матреиалов дл электронной.

2. Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозиций (спецкурс)

Аннотация: Специальный курс,  формирующий представление о микро и нано технология создания устройств электроники.

3. Материалы и основы спинтроники (спецкурс для магистров)

Аннотация: Специальный курс,  формирующий представление о принципах создания материалов  и устройств.

 

Основная учебная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:

Маренкин, С.Ф. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия / С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан – Минск :Изд-во ИП А.Н. Вараксин, 2010.: с.223-241 экз., ISBN 978-985-6986-05-8


Гранты:

РФФИ: 02-03-33280-а, 05-02-17666-а, 05-03-33068-а, 08-03-90006-Бел_а, 08-03-90706-моб_ст, 09-03-90743-моб_ст, 09-03-90903-моб_снг_ст

Награды, почетные звания, другие достижения:

  • Лауреат государственной премии Совета Министров СССР 1986 г.
  • Академик РАИН им. А.М. Прохорова,
  • медаль «850 лет Москвы»,
  • медаль «С.П. Королева»,
  • медаль «В.Е. Грум-Гржимайло»,
  • медаль «Э.К. Циолковского»,
  • медаль «Н.С. Курнакова»,
  • медаль «Н.Н. Семенова».

Научные публикации за последние 5 лет:

  1.       Optical properties and plasmon – Two different phonons coupling in ZnGeAs2 + Mn / M. Romcevic, N. Romcevic, W. Dobrowolski, L. Kilanski, J. Trajic, D.V. Timotijevic,E. Dynowska, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin, // Journal of Alloys and Compounds 548 (2013) 33–37. - ISSN: 0925-8388 
  2.        Магнитные и электрические свойства образцов Zn3P2+MnP /С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан, И.В. Федорченко, С.В. Труханов, Т.В. Шелковая // Неогранические материалы, 2013, Т.49, №6, СС. 580-584. ISSN 0002-337X. 
  3.        Магнетизм полупроводников Cd(Zn)GeAs2, допированных 3-d  металлами / Кочура А.В., Иваненко С.В., Маренкин С.Ф., Федорченко И.В. // Известия ЮЗГУ. Серия Физика и химия. 2012. № 2, С.13, ISSN2223-1544
  4.        Влияние преципитатов MnP на свойства композитных магнитных полупроводников на основе Zn3P2 и ZnGeP2 / Маренкин С.Ф., Кочура А.В., Иваненко С.В., Федорченко И.В. // Известия ЮЗГУ. Серия Физика и химия. 2012. № 2, С.95, ISSN2223-1544
  5.        Advanced materials for spintronic based on Zn(Si,Ge)As2 chalcopyrites / I.V. Fedorchenko, A.V. Kochura, S.F. Marenkin, A.N. Aronov et al, // IEEE transactions on magnetics. – 2012. - Vol.48, № 4. April 2012. - P. 1581-1584. – ISSN 0018-9464.
  6.        Электрические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-XMnXGeP2 и Cd1-XMnXGeAs2 при высоком давлении // А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин, В. М. Трухан, Т. Р. Арсланов, У. З. Залибеков, И. В. Федорченко // Неорганические материалы. - 2012. - Т.48. - №9. С.990-994. ISSN 0002-337X.
  7.        Электрические свойства n Cd1–ХCoХGeAs2 (x = 0.05–0.15) при высоких давлениях / А. Ю. Моллаев, Р. К. Арсланов, И. К. Камилов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин, Р. Г. Джамамедов, П. П. Хохлачев, И. В. Федорченко.// Неогранические Материалы. - 2012. - Т.48. - № 11. - С. 1200–1204. ISSN 0002-337X. 
  8.        Электро- и магнетоперенос в разбавленном магнитном полупроводнике Cd0.81Mn0.19GeP2 при высоком давлении. / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан, Т.Р. Арсланов, У.З. Залибеков, И.В. Федорченко //Журнал неорганической химии. – 2012. – Т.57. - №7.- С. 1062-1065. - ISSN 0044-457X.
  9.        Manganese-doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: A new materials for spintronic / L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, A.I. Morozov, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, R.Szymczak // Journal of magnetism and magnetic materials 323 (2011) 2923-2928. - ISSN: 0304-8853 
  10.     Paramagnetic regime in Zn1-XMnXGeAs2 diluted magnetic semiconductor / L. Kilanski, I. V. Fedorchenko, M. Górska, E. Dynowska, M. Wójcik, B. J. Kowalski, J. R. Anderson, C. R. Rotundu, S. A. Varnavskiy, W. Dobrowolski, S. F. Marenkin, // Physica status solidi (b), V.248> Issue7, p.1601-1604, 2011. - ISSN: 1521-3951 
  11.     Синтез и магнитные свойства эвтектики системы InSb-MnSb / В.М. Новоторцев, А.В. Кочура, С.Ф. Маренкин, И.В. Федорченко, С.В. Дрогунов, A. Lashkul, E. Lahderanta // ЖНХ 2011, Т56, №12, СС. 1-7. - ISSN 0044-457X.
  12.     Влияние высоких давлений на электрические и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Cd0,82Mn0,18GeAs2 / Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Маренкин С.Ф., Арсланов Р.К., Залибеков У.З., Арсланов Т.Р., Федорченко И.В. // Журнал неорганической химии. 2011. Т. 56. № 6. С. 980-983. 
  13.     Colossal linear magnetoresistance in a CdGeAs2:MnAs micro-composite ferromagnet / L. Kilanski, W. Dobrowolski, E. Dynowska, M. Wуjcik, B.J. Kowalski, N. Nedelko, A. Ślawska-Waniewska, D.K. Maude, S.A. Varnavskiy, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin, // Solid State Communications 151 (2011) 870–873
  14.     Объемная магнитострикция в разбавленном магнитном полупроводнике Cd1-XMnXGeAs2 (x=0,06-0,3) при высоких давлениях / Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Трухан В.М., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З., Федорченко И.В. //Неорганические материалы. 2011. Т. 47. № 11. С. 1285-1288. 
  15.     Магнитные свойства ориентированных монокристаллов p-Cd0,947Mn0,053GeAs2   при давлении ниже 7 ГПа / Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Залибеков У.З., Арсланов Т.Р., Федорченко И.В. //Неорганические материалы. 2011. Т. 47. № 12. С. 1422. 
  16.     Магнитные свойства эвтектического сплава системы InSb-MnSb / Изотов А.Д., Маренкин С.Ф., Федорченко И.В., Румянцев А.С., Кочура А.В., Трухан В.М., Шелковая Т.В.// Перспективные материалы. 2011. № 11. С. 228-231. 
  17.     Manganese-doped CdGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: new advanced materials for spintronics / A.S. Morozov, L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, R.Szymczak, B.Krzumanska // Solid State Phenomena, 2011, Vols.168-169, 2011, pp.31-34. - ISSN: 1662-9779 
  18.     Making ferromagnetic heterostructures Si/Zn(1-X)MnXSiAs2 and Ge/Zn(1-X)MnXGeAs2 / I.V. Fedorchenko, A.Rumiantsev, T. Kuprijanova, L.Kilanski, R.A.Szymczak, W.Dobrowolski, L.I.Koroleva // Solid State Phenomena, 2011, Vols.168-169, 2011, pp.313-316. - ISSN: 1662-9779 
  19.     Magnetism and magnetotransport of strongly disordered Zn1-XMnXGeAs2 semiconductor: The role of nanoscale magnetic clusters / L.Kilanski, R. Gorska, W. Dobrowolski, E. Dynowska , M. Wojcik, B.J. Kowalski, J.R. Anderson, C.R. Rotundu, D.K. Maude, S.A. Varnavskiy, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin// Journal of Applied Physics 108, 073925 (2010) . - ISSN 1089-7550
  20.     Physicochemical foundations of synthesis of the new ferromagnets form chalcopyrites AIIBIVCV2 / V.M. Novotortsev, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, A.V. Kochura // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2010, Vol.55, No.11, pp.1762-1773
  21.     Complex study of high temperature ferromagnetic semiconductor Cd0.82Mn0.18GeAs2 / A.Yu.Mollaev, I.K. Kamilov, R.K.Arslanov, T.R. Arslanov, U.Z.Zalibekov, V.M.Novotortsev, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko // Azerbaijan Journal of Physics, “Fizika”, Volume XVI, Number 2, June, 2010, pp.304. - ISSN 1028-8546
  22.     Electrical properties of p-Zn1-XCdXGeAs2<Mn> / A.Yu. Mollaev, L.A. Saipulaeva, S.F. Marenkin, A.G. Alibekov, A.A. Abdullaev, I.V. Fedorchenko // Inorganic materials, V.46, No 4, pp.449-451
  23.     Manganese doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: New materials for spintronics /L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, S.A. Varnavskii, R.Szymczak, B.Krzumanska //Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2010, Vol.74, No.10, pp.1348-1351
  24.     High-pressure magnetic phase transition and galvanomagnetic effects in the high-temperature ferromagnet p- Cd0.7Mn0.3GeAs2 / A.Yu.Mollaev, I.K. Kamilov, S.F. Marenkin, R.K.Arslanov, U.Z.Zalibekov, T.R. Arslanov, A.A. Abdullaev, I.V. Fedorchenko //Inorganic materials, 2010, Vol.46, no.9, pp.919-923
  25.     Room-temperature ferromagnetism in novel Mn-doped ZnSiAs2 chalcopyrite / S.F .Marenkin, V.M. Novotortsev, I.V. Fedorchenko, S.A. Varnavskiy, L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, R. Szymczak, B. Krzymanska, W. Dobrowolski, L. Kilanski // Journal of Physics: Conference Series 153, 2009, 012058
  26.     Novel ferromagnetic Mn-doped ZnSiAs2 chalpopyrite with Curie point exceeded room temperature / Marenkin S.F., Novotortsev V.M., Fedorchenko I.V., Varnavskiy S.A., Koroleva L.I., Zashchirinskii D.M., Khapaeva T.M., Szymczak R., Krzymanska B., Dobrowolski V., Kilanski L. // Solid State Phenomena, Vol. 152-153 (2009), pp. 311-314
  27.     Growth and magnetic properties of Mn-doped ZnSiAs2/Si heterostructures / Kochura A., Fedorchenko I., Laiho R., Lashkul A., Lahderanta E., Marenkin S., Zakharov I. // Physica Status Solidi C 6, №5, pp.1336-1338
  28.     Manganese-doped ZnSiAs2 chalcopyrite: A new advanced material for spintronic / L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, R. Szymczak, B. Krzumanska, V.Dobrovolski, L. Kilanski // Physics of the solid state, Vol.51, No.2, pp.303-308
  29.     Phase relations in the Si-ZnAs2 system in the range 45-100 mol.% ZnAs2 / S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, G.G. Shabunina, T.A. Kupriyanova // Inorganic Materials, 2009, Vol.45, No.12, pp.1321-1325
  30.     Magnetic and electrical properties of manganese-doped ZnSiAs2 / V.M. Novotortsev, S.F. Marenkin, L.I. Koroleva, T.A. Kupriyanova, I.V. Fedorchenko, R. Szymczak, L. Kilanski, V. Domuchowski, A.V. Kochura // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2009, Vol.54, No.9, pp.919-923

 

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

  • получение эвтектических сплавов на основе антимонида индия как перспективных материалов для спинтроники, диплом инженер, 2008;
  • разбавленный полупроводник на основе халькопирита ZnSiAs2, диплом инженер, 2008;
  • синтез фосфидов цинка и кадмия, бакалавр, 2009;
  • синтез эвтектической композиции CdSb-MnSb, диплом, инженер, 2009.