тел. (495) 955-00-31; (495) 951-23-82

 E-mail: prof-kuznetsov@yandex.ru

Дата рождения: 21 апреля 1940 г.

Занимаемая должность: профессор

Образование: Окончил Московский Институт Стали и Сплавов, физико-химический факультет, кафедра высокотемпературных материалов в 1963 г. по специальности физико-химические исследования металлургических процессов, квалификация – инженер металлург.

Ученая степень, звание - д.т.н., профессор.

Область научных интересов: Физико-химия взаимодействия энергетических ускоренных частиц (ионов, атомов, электронов) с твердым телом и разработка физико-технологических основ элионных процессов получения тонких пленок, наноразмерных гетерокомпозиций и покрытий для устройств нетрадиционного преобразования энергии и информации.

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Физика взаимодействия частиц и излучений с веществом (для бакалавров и инженеров). Аннотация: Энергетика взаимодействия частиц и излучений с твердым телом; физико-химия процессов нетермической активации и плазмохимии получения тонких, микро- и наноразмерных слоев; атомно-молекулярные процессы получения эпитаксиальных слоев; причины и механизм возникновения дефектов при ионном и электронном воздействии на материалы.
  2. Ионно-плазменная обработка материалов (для бакалавров). Аннотация: Практические эффекты использования эффектов ионного воздействия и применения низкотемпературной плазмы для получения и травления микро- и наноразмерных пленочных гетерокомпозиций.
  3. Вакуумная и плазменная электроника (для бакалавров). Аннотация: Рассматриваются физические основы вакуумной и плазменной электроники. Анализируются возможности создания, управления и транспортировки электронных потоков. Рассматриваются физические основы эмиссионной электроники и явления в газоразрядном промежутке, примеры преобразования потоков ионизированных частиц и режимы работы плазменных дисплеев.
  4. Современные проблемы электроники (для магистров). Аннотация: Рассматривается история развития электроники, принципы построения и законы развития микро- и наноразмерных гетероструктур, нанотехнологии в электронике, полимерная электроника, молекулярная электроника, квантовая электроника и оптоэлектроника, спинтроника, микросистемная техника.
  5. Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций (для магистров).  Аннотация: Рассматриваются технологические принципы организации и функционирования микро- и наноразмерных слоистых гетерокомпозиций. Анализируются физико-химические основы и применения метода Ленгмюра-Блоджетт, плазмохимического и вакуум-плазменного осаждения и обработки микро- и наноразмерных гетерокомпозиций. Рассматриваются особенности формирования топологии микрохем с применением неразрушающих методов контроля. Обсуждаются и анализируются особенности технологии молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых соединений. Измеряются основы синтеза сверхрешеток алмазоподобных широкозонных тонкопленочных материалов и структурно ориентированного изоморфизма. Рассматриваются особенности литографических методов и примеры создания микро- и наноразмерных приборов.
  6. Элионная технология в микро- и наноиндустрии (для инженеров). Аннотация: Рассматриваются закономерности изменения параметров тонкопленочных гетерокомпозиций материалов электронной техники при воздействии электронных, ионных потоков и низкотемпературной плазмы для микро- и наноразмерных устройств с улучшенными характеристиками. Анализируются особенности технологии ионной имплантации и литографии.

Публикации:

  1. С.Н. Маркин, С.Н. Ермолов, Г.Д. Кузнецов, В.Г. Глебовский, Е.Д. Сазаки, Х.Х. Бронгерсма. Применение метода рассеяния медленных ионов для исследования свойств поверхности монокристаллов // Изв. РАН, Серия Физическая. 2004. т. 68, № 3. С. 344-347.
  2. Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, В.А. Филиков, Ю.В. Осипов. Особенности структурных превращений и диффузионных процессов в перекристализирующихся  аморфного гидрогенизированного кремния // Вестник МЭИ. 2006. № 2. С. 57-66.
  3. Б.А. Билалов, Г.Д. Кузнецов, В.П. Сушков, Г.К. Сафаралиев, И.В. Лобачев. Устройство охлаждения светодиодной матрицы // Патент на полезную модель. 2006. № 56558.
  4. Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, Б.А. Билалов. Особенности структурных, фазовых и морфологических изменений в поверхностных слоях электронной техники при низкоэнергетических внешних воздействиях // Вакуумная техника и технология. 2008. т.18, №1. С.17-22.
  5. Г.Д. Кузнецов, В.П. Сушков, А.Р. Кушхов, И.В. Ермошин. Омический контакт к GaN // Изв. Вузов, Материалы электронной техники. 2009. №3. С.4-12.
  6. Г.Д. Кузнецов. Возможности формирования пленок нитридов тугоплавких металлов на арсениде галлия ионно-лучевым распылением // Изв. Вузов, Материалы электронной техники. 2001. №1.
Полный список публикаций

Основная литература, автором или соавтором которой является преподаватель:

  1. В.В. Крапухин, И.А. Соколов, Г.Д. Кузнецов. «Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии». М.: МГИСиС. 1995 г.
  2. В.А. Никоненко. «Математическое моделирование технологических процессов» под редакцией Г.Д. Кузнецова. М,: МИСиС. 2001 г.
  3. Г.Д. Кузнецов, А.А. Образцов, В.П. Сушков, Г.П. Фурманов. «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». М,: МИСиС. 2001 г.
  4. Г.Д. Кузнецов, С.Л. Григорович, С.П. Курочка, И.В. Лобачев, В.А. Никоненко. «Методики определения параметров вакуумных систем». М.: МИСиС. 2002 г.
  5. Г.Д. Кузнецов, В.П. Сушков, А.Е. Ованесов. «Определение параметров гетероструктур,  используемых в оптоэлектронике». М,: МИСиС. 2002 г.
  6. Г.Д. Кузнецов, С.П. Курочка, И.В. Лобачев. «Вакуумная и плазменная электроника». М,: МИСиС. 2005 г.
  7. Г.Д. Кузнецов, В.П. Сушков, О.И. Рабинович. «Микроэлектроника: компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники». М,: МИСиС. 2005 г.
  8. Г.Д. Кузнецов. «Расчеты параметров взаимодействия ускоренных ионов с твердым телом». М,: МИСиС. 2005 г.
  9. Г.Д. Кузнецов. «Технология материалов электронной техники. Атомно-молекулярные процессы кристаллизации». М.: МИСиС. 2006 г.
  10. Процессы микро- нанотехнологии. Ионно-плазменные процессы / Г.Д. Кузнецов, С.П. Курочка, А.Р. Кушхов, Д.Н. Демченкова, А.С. Курочка, лабор. практикум, М,: МИСиС, Изд. «Учеба», 2007
  11. Г.Д. Кузнецов, С.Б. Симакин, Д.Н. Демченкова, Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций, курс лекций, М,: МИСиС, Изд. «Учеба», 2008
  12. Г.Д. Кузнецов, А.Р. Кушхов, Ионно-плазменная обработка материалов, курс лекций, М,: МИСиС, 2008
  13. Г.Д. Кузнецов, А.Р. Кушхов, Б.А. Билалов, Элионная технология в микро- и наноиндустрии, М,: МИСиС, Изд. «Учеба», 2008
  14. Г.Д. Кузнецов, С.П. Курочка, А.С. Курочка, Вакуумная и плазменная электроника, курс лекций, М,: МИСиС, Изд. дом МИСиС, 2009

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  • «Взаимосвязь свойств и структурной неоднородности тонкопленочных аморфных, микро- и нанокристаллических полупроводниковых материалов», программа МО РФ «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники», 2001 – 2004 годы (140 стр);
  • «Электро-искровое формирование многофазных покрытий с повышенной электропроводностью», грант по разделу «Энергетика и электротехника»,               ТОО-1.5.-890, 2002 – 2003 годы;
  • «Разработка методики измерения температуры p-n перехода светодиодов на основе твердых растворов InGaN», проект ОАО «Оптрон», 2002-2004 годы;
  • «Анализ процессов взаимодействия низкоэнергетических ионов с материалами на основе системы SiC-Me (C, N) при получении многослойных гетероструктур магнитным распылением», проект с ДГТУ, г. Махачкала, 2004 – 2005 годы;
  • «Разработка модели многокомпонентного низкотемпературного формирования эпитаксиального слоя твердого раствора на основе карбида кремния», проект с ДГУ, г. Махачкала, 2006 – 2007 годы;

Членство в российских и зарубежных академиях, других общественных организациях:

  • Член-корреспондент РАЕН, секция Горно-металлургическая, диплом № 08-04.
  • Член диссертационного совета Д 212.132.06
  • Член диссертационного совета при МИ ТХТ Д 212.120.06.
  • Член диссертационного соверта при Северо-Кавказском Госуниверситете (г. Ставрополь) Д 212.245.03.
  • Член секции «Микросистемная техника» НМС по направлению «Автоматика, электроника, микроэлектроника и радиотехника».
  • Член редколлегии журнала Изв. Вузов, «Материалы электронной техники».
  • Председатель  НМСН «Электроника и микроэлектроника», МИСиС.
  • Член секции научного совета по комплексной проблеме «Методы прямого преобразования энергии» РАН.

Награды, почетные звания, другие достижения:

  • Нагрудный знак МВО СССР «За отличные успехи в работе».
  • Нагрудный знак МВО РФ «Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации».
  • Медаль «В память 850-летия Москвы».
  • Серебряный памятный знак МИСиС.
  • Ветеран труда, серия Т, №54667 от 21.04.97.

8. Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

  • Технология использования и разработки учебного курса с применением средств мультимедиа, МИСиС, 72 часа, 2007, удоств. №556.
  • Проектирование материалов для электронных учебных курсов, МИСиС, 72 часа, 2006, удоств. №43-06/347.

9. Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

  • Получение омического контакта к широкозонным полупроводникам. Квалификационная выпускная работа бакалавра, Латынин Д.О., 2009 год.
  • Карбид кремния и твердые растворы на его основе для твердотельной электроники. Квалификационная выпускная работа бакалавра, Крюков Е.В., 2009 год.
  • Получение омического контакта на карбиде кремния. Квалификационная выпускная работа бакалавра, Харламов Н.А., 2008 год.
  • Получение и свойства пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для экстремальной электроники. Квалификационная выпускная работа бакалавра, Привалов А.В. (заочное отделение), 2008 год.
  • Молекулярно-лучевая эпитаксия и нанотехнология. Квалификационная выпускная работа бакалавра, Добровольский В.Н. (заочное отделение), 2008 год.
  • Получение и анализ свойств пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Квалификационная выпускная работа бакалавра, Стеблин А.Р., 2007 год.
  • Политипы карбида кремния и их применение. Квалификационная выпускная работа бакалавра, Малахов С.С., 2007 год.
  • Влияние интенсивности потока молекулярного пучка на параметры пленок CdTe. Инжен. диплом, Грачев Е.В.,  2009 год.
  • Определение свойств ветвей термоэлементов для охлаждающих устройств. Инжен. диплом, Некмодов Д.Н., 2009 год.
  • Получение пленок пермаллоя ионным распылением. Инжен. диплом, Миличников А.В.,  2009 год.
  • Электрофизические параметры эпитаксиальных структур на основе карбида кремния. Инжен. диплом, Акимов А.В.,  2009 год.
  • Возможность создание светодиодной матрицы с термоэлектрическим охлаждением. Инжен. диплом, Фалалеев Д.С.,  2008 год.
  • Получение защитных покрытий на основе никеля электродуговым методом. Инжен. диплом, Пинчук Д.Н., 2007 год.
  • Формирование слоев поликристаллического кремния при пониженном давлении. Инжен. диплом, Татарникова В.А., 2007 год.
  • Получение наноразмерных металлических пленок термическим испарением в вакууме. Инжен. диплом, Липский А.Н., 2007 год.
  • Получение электропроводящих покрытий электроискровым методом. Инжен. диплом, Вятский А.А., 2007 год.
  • Получение пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x магнетронным распылением.  Магистерская дисс., Ованесов Н.Е., 2007 год.
  • Исследование электрофизических параметров гетероструктур на основе твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Магистерская дисс., Абрамов А.В., 2007 год.
  • Получение высокотеплопроводной электроизолирующей подложки на основе карбида кремния. Магистерская дисс., Мишакин П.Н., 2008 год.
  • Получение и исследование свойств монокристаллов арсенида галлия полуизолирующего типа методом вертикально направленной кристаллизации. Магистерская дисс., Стеблин А.Р., 2009 год.
  • Получение и исследование свойств монокристаллических пленок нитрида галлия. Магистерская дисс., Малахов С.С., 2009 год.
  • Моделирование плазмохимического процесса формирования пленок гидрогенизированного аморфного кремния в условиях электронного и ионного воздействия. Магистерская дисс., Мин Тайк Со, 2008 год.
  • Повышение эффективности светоотдачи матриц светодиодов белого света свечения. Магистерская дисс., Со За Ни, 2008 год.
  • Эффективность солнечных фотоэлементов на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Магистерская дисс., Пьян Тун Зо, 2008 год.
  • Особенности получения углеродных нанотрубок. Магистерская дисс., Зо тун Лвин, 2009 год.
  • Создание тензодатчиков на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Магистерская дисс., Сан У, 2009 год.

14. Дополнительные сведения:

Приглашался для чтения для чтения курсов по технологии материалов электроники в Кабардино-Балкарский государственный университет  в 2004-2005 гг. и Северо-Кавказский государственный технический университет в 2003-2005 гг; число часов по 36 часов.