Рабочий телефон: (495)638-44-57.
E-mail: lagov2000@mail.ru
 
Дата рождения: 27 июня 1973 года.
 
Занимаемая должность: доцент.
 
Образование: окончил Московский институт стали и сплавов, кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 1995 году.
 
Специальность и квалификация: Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, инженер электронной техники.
 
Ученая степень, звание: кандидат технических наук, доцент.
 
Область научных интересов: радиационные эффекты в полупроводниковых материалах и приборах, детекторы излучений, полупроводниковые преобразователи солнечной энергии, нанотехнологии в электронике, радиометрические методы обогащения твердых полезных ископаемых.

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Технология полупроводниковых приборов и интегральных схем
  2. Процессы микро- и нанотехнологии
  3. Основы лучевой технологии
  4. Основы физики радиационного воздействия на полупроводниковые материалы и структуры

Публикации:

  1. Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Осипов Г.А.Улучшение усилительных, импульсных и температурных характеристик кремниевых маломощных транзисторов при обработке быстрыми электронами и отжиге. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА. 1996. Вып. 1–3. С. 95–100
  2. Лагов П.Б., Ладыгин Е.А. Повышение радиационной стойкости кремниевых биполярных n-p-n и p-n-p транзисторов к импульсному и статическому излучению при радиационно-термической обработке // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА. 1999. Вып. 1–2.
  3. Лагов П.Б., Ладыгин Е.А. Преимущества высокотемпературного технологического облучения диодных матричных структур, применяемых в бортовой аппаратуре. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА. 1999. Вып. 1–2.
  4. Лагов П.Б., Ладыгин Е.А. Кинетика накопления глубоких радиационных центров в неоднородных кремниевых структурах // Известия вузов. Материалы электронной техники. 1999. № 1.
  5. Лагов Б.С., Башлыкова Т.В., Лагов П.Б., Ракаев А.И., Кулаков А.Н., Пузырев В.А. Комбинированная технология обогащения хромитовых руд на основе сочетания радиометрических и гравитационных методов // Горный журнал. – 2002. - № 9.

Основная учебная литература:

  1. Ладыгин Е.А., Мурашев В.Н., Лагов П.Б. Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Раздел: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом. Учебное пособие (№1534). Москва, Издательство «Учеба», МИСиС, 2000г. 56 с.
  2. Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н. Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет. Учебно-методическое пособие по курсу «Основы лучевой технологии микроэлектроники». (№1648). Москва, Издательство «Учеба», МИСиС, 2001г. 47 с.
  3. Лагов Б.С., Лагов П.Б. Радиометрическая сортировка и сепарация твердых полезных ископаемых. Учебное пособие (№649). Москва, Издательство «Учеба», МИСиС, 2007г. 155 с.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  1. НИР: «Исследование физических закономерностей и механизмов повреждения полупроводниковых приборов и микросхем при воздействии излучений СВВФ». Шифр темы «Юпитер-1». 1996 г.
  2. НИР: Исследование физических основ электронно-ионных процессов при создании приборов микро- и оптоэлектроники и физики деградации структур при лучевых воздействиях. Шифр темы 3035042, 1999 г.
  3. НИР: «Исследование доминирующих физических эффектов, определяющих радиационную стойкость элементной базы на КНС структурах». Шифр темы 1035043. 2003-2004 гг.
  4. НИР: «Теоретические и экспериментальные исследования с целью повышения величины коэффициента полезного действия кремниевых высоковольтных многопереходных преобразователей до (20-22)%». Шифр темы 9035101. 2007-2008 гг.
  5. Грант МНТЦ № 3024: «Полупроводниковые координатно-чувствительные детекторы радиационных частиц на основе функционально-интегрированных пиксельных структур»
  6. 2007-2008 гг.
  7. НК-94П/8. Проведение поисковых научно-исследовательских работ по направлению Создание электронной компонентной базы в рамках мероприятия 1.2.1 Программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013гг. Тема: Создание функционально-интегрированной элементной базы (ФИЭБ) микро-наноэлектроники топологического диапазона до 24 нм. 2009-2011гг.

Награды, почетные звания, другие достижения:

Почетная грамота СТАРТ-05 “Разработка фоточувствительных Би-МОП фотодиодных матриц на основе функционально-интегрированных структур”

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. Перевозчиков М.В., Лагов П.Б., Мусалитин А.М. Исследование технологических дефектов в активной области гетероструктур на основе AlGaAs/GaAs при производстве СЛД // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2009. № 3.

Сведения о повышении квалификации за последние 5 лет:

Психология

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2008:
Дьяконов А.В. «Исследование воздействия быстрых электронов на коэффициент передачи тока биполярных транзисторов» (инженер).
Сергеев П.Б. «Исследование электрических характеристик р-п переходов, содержащих дефекты с глубокими уровнями» (инженер).
Зацерклярный С.А. «Оптимизация характеристик быстровосстанавливающихся диодов – БВД» (бакалавр).
Бачериков К.А. «Исследование радиационной стойкости биполярных p-n-p транзисторов и возможности ее повышения с применением обработки быстрыми электронами» (инженер).
Гамаюнов Д.С. «Экспериментальное исследование радиационной стойкости
биполярных транзисторов» (инженер).
Граур Р.В. «Исследование влияния радиационной обработки на параметры кремниевых СВЧ диодов с p-i-n структурой» (инженер).
Кутепов П.В. «Эффективность обработки быстрыми электронами в технологии изготовления быстродействующих диодов» (бакалавр).
Чигвинцев А.С. «Исследование воздействия быстрых электронов на основные параметры транзисторов на основе гетероструктуры AlGaN/GaN» (инженер).
 
2009:
Прохоров А.С. «Влияние проникающей радиации на характеристики диодов» (бакалавр).
Кукушкина А.И. «Исследование влияния обработки быстрыми с электронами на электрические параметры диода Шоттки различной траекторией» (инженер).
Кольницкий А.О. «Функционирование солнечных батарей в космической среде» (бакалавр).
Кучеров И.С. «Исследование воздействия быстрых электронов на вольт-амперные характеристики полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе арсенида галлия» (инженер).
Лепехин Е.В. «Создание термоэлектрического модуля и контроль основных параметров ТЭМО» (инженер).
Радченко А.В. «Исследование электрофизических параметров радиационных центров рекомбинации примесей платины в кремневых диодах методом РСГУ» (инженер).
Антонов И.В. «Разработка радиационного технологического процесса для повышения быстродействия кремневого высоко-частотного p-i-n диода» (инженер).
Манаков Д.С. «Исследование влияния обработки быстрыми электронами на вольт-амперную характеристику кремневых диодов Шоттки» (инженер).
Серикова Е.Ю. «Исследование влияния обработки быстрыми электронами на электрофизические параметры кремневых диодов» (инженер).
Андросов С.А. «Исследование электрофизических параметров радиационных центров с глубокими уровнями в кремневых диодах при облучении быстрыми электронами и изотермическом отжиме методом РСГУ» (инженер).
 
2010:
Скворцова М.А. «Разработка режимов ионного легирования подбарьерной области кремниевых диодов Шоттки, обеспечивающих повышение пробивного напряжения» (инженер).
Таравко О.В. «Влияние радиационной обработки на параметры кремниевых солнечных элементов» (инженер).
Мартиняхин В.Г. «Разработка технологии изготовления PIN диода с применением плазмохимического травления» (инженер).
Шапкин В.Б. «Разработка радиационного технологического процесса для уменьшения температурного коэффициента напряжения стабилизации прецизионных стабилизаторов» (инженер).
Малышев Д.Н. «Управление электрическими параметрами кремниевых PIN диодов с применением радиационного технологического процесса» (инженер).
Романенков Д.А. «Влияние облучения быстрыми электронами на характеристики маломощных биполярных транзисторов» (инженер).
Мороз Т.Ф. «Разработка конструкции и технологии изготовления высокотемпературного диода Шоттки на диэлектрической подложке» (инженер).
 
Гранты, выигранные студентами под руководством преподавателя, за последние 3 года:
Соискатель каф. ППЭ и ФПП Дренин А.С. Программа «Участник молодежного научно-инновационного конкурса 2009» Мероприятия Студенческие дни науки. 64-я студенческая научно-техническая конференция (14-21 апреля 2009 г.) Название гранта: «За разработку новой технологии создания кремниевых высокочастотных p-i-n диодов, превосходящих по комплексу электрических параметров известные мировые аналоги, и внедрение операции облучения в технологический маршрут производства приборов данного класса».

Дополнительные сведения:

В стадии подготовки:
  • УМКД по дисциплине «Основы физики радиационного воздействия на полупроводниковые материалы и структуры».
  • Курс лекций «Процессы микро- и нанотехнологий».
  • Курс лекций «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем»