на внешней поверхности цилиндрической полой подложки.
 
Кожитов Л.В., Митин В.В., Кондратенко Т.Т.,
 Чинаров В.В., Август С.Е., Гришко А.С. 
Регистрация 100-219-2005 от 10.03.05
 
В перечень подлежащих охране сведений входят:
-         Расположение полой подложки относительно набегающего потока газовой смеси в корпусе реактора;
-         Скорость движения газовой смеси в реакторе;
-         Состав газовой смеси;
-         Расположение нагревателя.
Способ позволяет выращивать эпитаксиальный слой кремния методом парофазной эпитаксии химическим осаждением на внешнюю поверхность монокристаллической подложки из газовой фазы.. Способ предназначен для применения в промышленном производстве профильных монокристаллических многослойных эпитаксиальных структур, к для изготовления силовых полупроводниковых приборов непланарной конфигурации.