Метод получения высокоомного монокристаллического кремния с улучшенными характеристиками с использованием радиационных технологий

Кобелева С.П., Мусалитин А.М., Анфимов И.М.,
Регистрация 14-035-2012 ОИС от 18.06.2012

В перечень подлежащих охране сведений входят:
- Доза облучения,
- Температурные режимы отжига. 

Управление величиной удельного электросопротивления в интервале 10-100 кОм*см при температурах 30-350 °С, что позволяет проводить обработки на готовых детекторных структурах с целью увеличения электросопротивления при сохранении или улучшении времени жизни неравновесных носителей заряда. 
Предложена методика обработки полупроводникового монокристаллического кремния с помощью радиционных методик, позволяющая за счет изменения удельного сопротивления при сохранении других характеристик улучшать потребительские свойства как монокристаллического материала, так и приборов на его основе, в частности детекторов радиационных излучений.