Рабочий телефон: (495)955-01-50.
 
Дата рождения: 21 февраля 1955 года.
 
Занимаемая должность: доцент.
 
Образование: окончила Московский институт стали и сплавов кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 1977 году.
 
Специальность и квалификация: инженер электронной техники.
 
Ученая степень, звание: кандидат физико-математичких наук, старший научный сотрудник.
 
Область научных интересов: метрология полупроводников и нанокомпозитов, радиационные дефекты в кремнии.

Учебные курсы, читаемые в университете:

  1. Физика твердого тела, часть 1-я (Электронные свойства твердых тел. Даются основы зонной теории твердых тел, статистика свободных носителей заряда, генерация, рекомбинация, диффузия и дрейф свободных носителей заряда в полупроводниках, контактные явления.
  2. Физика твердого тела, часть 2-я (Электрические и оптические свойства твердых тел. Рассматриваются кинетические и оптические эффекты в полупроводниках.
  3. Квантовая и оптическая электроника. В курсе рассмотрены физические принципы работы и особенности конструкции полупроводниковых приемников и источников оптического излучения, в том числе и на основе наноструктур).
  4. СВЧ полупроводниковые приборы (В курсе рассматриваются физические принципы получения и преобразования электромагнитных колебаний СВЧ диапазона на базе полупроводниковых структур).

Публикации:

  1. И.М. Анфимов, В.С. Бердников, С.П.Кобелева, Е.А. Выговская, В.В. Калинин, И.В.Борзых, О.В. Торопова, Ю.В. Осипов. Распределение удельного электрического сопротивления в монокристаллах кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки . «Известия ВУЗоВ, серия Материалы электронной техники», № 1, 2008 , с.9-13  
  2. И.М.Анфимов, С.П.Кобелева, Ю.В.Осипов, О.В.Торопова, В.Е.Хабазин, В.В.Калинин.Пространственная неоднородность энергии активации отжига радиационных дефектов в кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки. «Известия ВУЗоВ, серия Материалы электронной техники», № 3, 2009 , с.20-22.
  3. С.П. Кобелева, С.Ю.Юрчук, В.В.Калинин, М.В.Ярынчак Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни в слитках монокристаллического кремния. «Известия ВУЗоВ, серия Материалы электронной техники», № 4, 2006 , с.17-20.
  4. С.П.Кобелева. Методы измерения электрофизических параметров монокристаллического кремния. «Заводская лаборатория. Диагностика материалов», №1, 2007, с. 60-67.

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

  1. ФЦП «Исследования в области нанотехнологии и физики высоких энергий», НИР «Разработка нанокомпозитных материалов и методов их получения для создания инструментария, позволяющего осуществлять локальное физическое воздействие на очаг заболевания» Государственный контракт от «29» августа 2008 г. № 01.164.11.НВ01
  2. НИОКР «Разработка перспективной элементной базы наноэлектроники на основе кремний-углеродных пленок». Государственный контракт от 4 декабря 2008 г. № 8/3-596и –08

Темы НИР и дипломных, квалификационных выпускных работ бакалавров и диссертаций магистров за последние 3 года:

2008:
Игнатов.Е.В. «Энергия активизации отжига радиационных дефектов в монокристаллах кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки, облученных высокоэнергетическими электронами» (инженер).
Пригодский Д.М. «Свойства эпитаксиальных слоев солнечных элементов на основе Ge/GaAs” (инженер).
 
2009:
Куликов Д.О. «Свойства естественного окисла на подложке монокристаллического кремния, обработанного низкоэнергетичной водородной плазмой» (инженер).
Хабазин В.С. «Влияние исходных параметров на энергию активации отжима радиационных дефектов в монокристаллах кремния, выращенных методом бестигельной зонной плавки» (инженер).
Королев С.Э. «Влияние режимов выращивания монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки на однородность электрофизических параметров материала» (инженер).
 
2010:
Лемешко «Изучение механизма электропроводности кремний-углеродных нанокомпозитных пленок» (инженер).
 Костюкевич К.Э. «Оптимизация режимов РТП монокристаллического БЗП кремния с целью получения высоомного материала для детекторов радиационного излучения» (инженер).
 Кузьмин Д.А. «Влияние распределения фосфора в германии на характеристики ФЭП на основе структуры In GaP/In GaAs/Ge» (инженер).
 
Дополнительные сведения:
Здесь можно скачать программки, имитирующие некоторые лабораторные работы по курсу "Физика твердого тела"