Способ изготовления кремниевого многопереходного фотоэлектрического преобразователя с гребенчатой конструкцией

Мурашев В.Н., Леготин С.А.,
Регистрация 31-035-2012 ОИС от 23.10.2012

В перечень подлежащих охране сведений входят:
- Оригинальная конструкция устройства, способ изготовления;
- Технология изготовления устройства.

– Технологичность, поскольку он может быть выполнен на базе стандартной полупроводниковой технологии;
–Возможность достижения КПД до 32% в данном типе фотоэлектрического преобразователя. 
По сравнению с традиционными планарными батареями, многопереходный фотоэлектрический преобразователь с гребенчатой конструкцией обладает высокой термостойкость ФЭП и соответственно возможность их работы с концентраторами излучения и позволяет получать КПД до 32%.