Рабочий телефон: (495) 955-01-50
E-mail: vdl2002@inbox.ru
 
Дата рождения: 03 декабря 1981 года.
 
Занимаемая должность: инженер 1-й категории.
 
Образование: окончил Московский институт стали и сплавов, кафедру Полупроводниковой электроники и физики полупроводников в 2005 году. Обучался в аспирантуре МИСиС.
 
Специальность и квалификация: «Микроэлектроника и твердотельная электроника», инженер электронной техники.
 
Область научных интересов: координатно-чувствительные детекторы радиационных частиц, управление параметрами полупроводниковых и микроэлектронных приборов при помощи радиационно-технологического процесса (РТП), микросхемотехника.

Учебные курсы, читаемые в университете:

Проводит лабораторные занятия по курсам:
 
  1. Метрология, стандартизация и сертификация (Рассматриваются основы метрологии и измерительной техники для изделий электронной техники: формулирование представления о принципах сертификации и стандартизации на этапах обеспечения качества изделий микроэлектроники и радиоэлектронной аппаратуры. Изучение методов обеспечения качества и надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем (ППП и ИС).Измерение электрических и теплофизических параметров ППП и ИС, с пользованием диагностической и измерительной аппаратурой для диагностики качества изделий электронной техники. Рассчитываются основные показатели надежности и качества дискретных полупроводниковых приборов и микроэлектронных устройств. Рассматриваются физические причины и виды отказов, ограничивающие ресурсные возможности и качество изделий микроэлектроники).
  2. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы (Курс направлен на изучение современной полупрводниковой электроники, параметров оптоэлектронных приборов, устройств и систем, в которых процессы взаимодействия оптического излучения с веществом используются для генерации, передачи, обработки, хранения и отображения информации. Рассматриваются основные оптоэлектронные устройства и ситемы для отображения и передачи информации).

Участие в НИР, грантах, разработках и т.д.:

Разработка нанокомпонентов материалов и методов их получения для создания инструментов, позволяющих осуществлять локальное физическое воздействие на очаг заболевания (Госконтракт № 01.164.11нв01, 2008).

Публикации:

  1. Ладыгин Е.А., Орлова М.Н., Волков Д.Л. - Основные типы радиационных центров и их влияние на электрофизические параметры кремниевых диодных структур при обработке быстрыми электронами. - Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. №2. 2007.  С. 22−27.
  2. Мурашев В.Н., Волков Д.Л., Леготин С.А., Орлова М.Н. - Полупроводниковые радиационно-чувствительные детекторы на основе функционально интегрированных структур. - Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники.№3. 2009. С. 50-51.
  3. Мурашев В.Н., Волков Д.Л., Карманов Д.Е., Леготин С.А., Мухамедшин Р.А., Чубенко А.П. - Новый координатно-чувствительный кремниевый пиксельный детектор на основе биполярных транзисторов. Приборы и техника эксперимента. № 5. 2009. С. 47–57.
  4. D. L. Volkov, D. E. Karmanov, V. N. Murashev, S. A. Legotin, R. A. Mukhamedshin, and A. P. Chubenko – A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors // INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No 52, pp. 655-664.
  5. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Диденко С.И., Кобелева С.П., Волков Д.Л., Коновалов М.П., Корольченко А.С., Орлов О.М. – Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой // Заявка на патент № 2010113592 от 08.04.2010 г.

Научные и учебные публикации за последние 5 лет:

  1. Орлова М.Н., Диденко С.И., Мусалитин А.М., Волков Д.Л. - Изучение влияния облучения «быстрыми» электронами на электрические параметры кремниевых стабилитронов. - Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. №2. 2009.  С. 17-19.
  2. Мурашев В.Н., Орлова М.Н.,  Леготин С.А., Волков Д.Л. - Полупроводниковые радиационно-чувствительные детекторы на основе функционально интегрированных структур. - Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники.№3. 2009. С. 47-51.
  3. Мурашев В.Н., Волков Д.Л., Карманов Д.Е., Леготин С.А., Мухамедшин Р.А., Чубенко А.П. - Новый координатно-чувствительный кремниевый пиксельный детектор на основе биполярных транзисторов. Приборы и техника эксперимента. № 5. 2009. С. 47–57.
  4. Леготин С.А., Волков Д.Л., Мурашев В.Н. – Пиксельный квантовый координатный детектор // Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): Материалы докладов научно-методического семинара, М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2009, с. 215-220.
  5. D. L. Volkov, D. E. Karmanov, V. N. Murashev, S. A. Legotin, R. A. Mukhamedshin, and A. P. Chubenko – A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors // INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No 52, pp. 655-664.
  6. Леготин С.А., Волков. Д. Л., Мурашев В.Н. – Двухкоординатная интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой // 16-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Микроэлектроника и информатика – 2009. Тезисы докладов, с. 88.
  7. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Диденко С.И., Кобелева С.П., Волков Д.Л., Коновалов М.П., Корольченко А.С., Орлов О.М. – Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой // Заявка на патент № 2010113592 от 08.04.2010 г

Патенты, заявки на патенты:

  1. Мурашев В.Н., Леготин С.А., Диденко С.И., Кобелева С.П., Волков Д.Л., Коновалов М.П., Корольченко А.С., Орлов О.М. – Интегральная ячейка детектора излучения на основе биполярного транзистора с сетчатой базой // Заявка на патент № 2010113592 от 08.04.2010 г.
Дополнительные сведения: В свободное время занимается конструированием и сборкой самодельных акустических систем и аудиоусилителей.