Адрес кафедры
119049, г. Москва, ул. Крымский Вал, д. 3, стр. 1, корпус К, каб. К-500
+7 495 237-21-29
Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников (ППЭиФПП) основана в 1970 г. на базе двух кафедр: кафедры физики полупроводников и кафедры полупроводниковых приборов.
В организации и становлении кафедры приняли участие видные специалисты в области полупроводниковой электроники профессора П.С. Киреев, Я.А. Федотов, Г.А. Кубецкий, С.А. Медведев, Е.А. Ладыгин. Первым заведующим кафедрой был профессор Яков Андреевич Федотов (1970-1972гг). С 1972 по 1977 год кафедрой руководил профессор Сергей Александрович Медведев.
С 1977 года по 2002 год кафедру возглавлял профессор, доктор технических наук Евгений Александрович Ладыгин. С конца 2002 года по декабрь 2015 года заведующим кафедры являлся Осипов Юрий Васильевич, а в настоящее время руководит кафедрой Диденко Сергей Иванович.
Кафедра готовит бакалавров и магистров по направлению «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов по направлению «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».
Студенты кафедры специализируются в области схемотехники, конструирования, технологии и исследования приборов полупроводниковой микроэлектроники, интегральных микросхем, приборов оптоэлектроники, микропроцессоров на основе больших интегральных схем, а также в области сертификации и обеспечения качества изделий электронной техники.
Наряду с фундаментальными и общетехническими дисциплинами студенты изучают специальные учебные курсы: физику полупроводниковых и оптоэлектронных приборов, теорию и расчет активных элементов микросхем, микросхемотехника, радиационно-технологические процессы микроэлектроники, проектирование больших и сверхбольших интегральных схем, сверхвысокочастотных приборов, метрологию и сертификацию изделий электронной техники.
Преподавательский состав кафедры
5
профессоров
9
доцентов
4
старших преподавателя
4
ассистента
4
доктора наук
16
кандидатов наук
5
без степени
| Индекс Хирша по базе Scopus на 21.01.2026 | |
| А. Я. Поляков | 48 |
| С. И. Диденко | 57 |
| И. В. Щемеров | 44 |
| Е. Б. Якимов | 31 |
| Д. С. Саранин | 41 |
| С. А. Леготин | 37 |
| А. В. Черных | 20 |
| А. А. Васильев | 18 |
Выпускники кафедры работают на предприятиях, занятых изготовлением полупроводниковых приборов и интегральных схем, в академических и отраслевых НИИ и КБ, в компаниях, работающих в области радиоэлектроники, современных средств связи и телекоммуникаций, космической и военной электроники.
Направления исследований сотрудников кафедры связаны с разработкой элементной базы электроники со сверхбольшой степенью интеграции, детекторов ионизирующего излучения, оптических излучателей, фотопреобразователей, а также фотоприемных устройств для информационных систем нового типа и т.д.
Основные научные направления деятельности кафедры
- Радиационно-стойкие фотоприемники для калориметрических детекторов эксперимента LHCb, ЦЕРН;
- Технология и анализ приборных структур на основе широкозонных соединений;
- Источники питания на основе преобразования ядерной энергии;
- Детекторы ядерных частиц на основе высокочистых эпитаксиальных слоев алмаза;
- Матричные детекторы ядерных частиц на основе кремния;
- Оптоэлектронные приборы на основе перовскитных материалов;
- Радиационная отбраковка и исследование радиационной стойкости полупроводниковых структур.
Подробнее о научной работе на кафедре
Презентация кафедры (2025) (14,1 МБ)
Презентация кафедры (2022) (3 МБ)
Презентация кафедры (2017) (2,3 МБ)
Фотогалерея
