Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов

Магистерская программа подойдет выпускникам бакалавриата направлений в области электроники и микросистемной техники, а также специалистам, работающим на профильных предприятиях и желающим углубить свои профессиональные знания в узкоспециализированной области создания и применения полупроводниковых электронных приборов на широкозонных материалах.

Отечественные производители полупроводниковых электронных приборов специального назначения отстают от западных предприятий и особо нуждаются в специалистах нового поколения, которые смогут создавать мощные и супермощные транзисторы, силовые выпрямители, структурированные и неструктурированные светодиоды для нового поколения дисплеев, солнечно-слепые фотоприемники, приборы, связанные с электромобилями, электропоездами, распределительными системами и коммутирующими сетями высокого и низкого напряжения. Одна из основных задач, стоящих перед ученым в области разработки, — уменьшение размеров устройств без потери их эффективности. Миниатюризация светодиодов позволит создавать дисплеи высокой плотности и энергоэффективности. Например, для повышения разрешение экранов, применяемых в VR технологиях. Уменьшение транзисторов, в свою очередь, позволит разместить большее количество компонент на подложке, что позволит снизить удельную стоимость устройства.

У студентов есть возможность получать знания по программе без отрыва от работы. Обучение проводится в вечернее время (с 18:00 до 21:00). С первого курса студенты трудоустраиваются на предприятия бизнес-партнеров программы или в лаборатории университета, где имеют возможность проводить научно-исследовательскую работу под руководством наставников. Во время учебы у каждого магистранта есть возможность опубликовать статью или тезисы в научных журналах и сборниках. А также принять участие в конкурсах на получение дополнительной стипендии или гранта.

Преподавательский состав программы сформирован из сотрудников-практиков профильных предприятий и ведущих ученых с мировым именем, что позволяет быть в курсе всех актуальных направлений развития современных исследований в области изучения полупроводниковой электроники на основе широкозонных материалов. Студенты участвуют в разработке новых методов исследования, решения фундаментальных и прикладных задач, в том числе, связанных с созданием новых приборов и материалов.

Студенты занимаются разработками:

• радиационно-стойких фотоприемников для калориметрических детекторов эксперимента LHCb, ЦЕРН;

• технологий и анализом приборных структур на основе широкозонных соединений;

• детекторов ядерных частиц на основе высокочистых эпитаксиальных слоев GaAs и алмаза;

• источников питания на основе преобразования ядерной энергии;

• оптоэлектронных приборов на основе перовскитных материалов;

• радиационных отбраковок и исследованием радиационной стойкости полупроводниковых структур;

• оптоволоконных сенсоров.

Студенты имеют возможность пройти стажировку и принять участие в проектах институтов-партнеров:

• MegaScience, в рамках коллаборации LHCb, ЦЕРН;

• Исследования оптоэлектронных приборов на основе широкозонных материалов GaN и Ga2O3 совместно с учеными из Korea University и University of Florida, USA;

• Перовскитные оптоэлектронные приборы совместно с учеными из Университет Тор Вергата (Рим, Италия), Университет Техас в Далласе (США);

• Институт структуры материи Национального исследовательского совета (ISM-CNR, Италия), Prime Institute — Университет Пуатье (Франция).

Для каждого магистранта с первых дней обучения формируется индивидуальная научно-образовательная траектория в соответствии с его интересами, исследовательской проблематикой, текущими проектами и грантами. Это позволяет студентам максимально сфокусироваться на научной работе и получить необходимые знания по конкретным дисциплинам.