Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов

Глобальный спрос на инженеров в области полупроводниковой электроники увеличивается в связи с созданием нового поколения приборов специального назначения, таких как: супербыстрые зарядки для телефонов и электромобилей, двигатели прямого действия, дисплеи с высоким разрешением, фотоприемники чувствительные к искусственному свету, супермощные транзисторы и светодиоды. Магистерская программа готовит специалистов в области разработки, интеграции и сопровождения технологических процессов производства полупроводниковых приборов и устройств на широкозонных материалах: GaN, Ga2O3, синтетическом алмазе, перовскитах. Уже во время обучения студенты трудоустраиваются на предприятия бизнес-партнеров или в лаборатории университета. Удобный формат занятий в вечернее время позволяет совмещать рабочие и учебные проекты.

2 года обучения

Очная форма обучения на русском языке

Институт новых материалов

Код направления 11.04.04
Электроника и наноэлектроника

88

Проходной балл в 2023

Вступительные испытания и минимальные баллы:

Вступительное испытание по направлению подготовки — 40

Программа вступительного испытания

50+
видов стипендий для «бюджетников» и «платников»
30+
наименований в списке индивидуальных достижений

Приемная комиссия

Мария Александровна Баранова

Руководитель приемной комиссии

+7 495 638-46-78

+7 495 638-30-78

Адрес: г. Москва, Ленинский проспект, д. 4

vopros@misis.ru

Преимущества программы

Для кого программа?
Актуальность программы
Дополнительные возможности
Обучение у ведущих ученых и практиков индустрии
Актуальные направления исследований
Участие в международных коллаборациях
Индивидуальная траектория обучения

Дисциплины программы

18
дисциплин в области полупроводниковой электроники и перспективных материалов

Методы математического моделирования

Перспективные технологии и материалы для поиска новых физических эффектов

Методы характеризации полупроводниковых материалов и структур

Далее

Преподаватели

Александр Яковлевич Поляков

К.т.н., профессор кафедры ППЭ и ФПП, заведующий лабораторией «Ультраширокозонные полупроводники»

Окончил МИСиС в 1973 году, работал в НИИПФ (1973-1982 гг.), Гиредмет (1982-2014 гг.), к.т.н. с 1983 г. Стажировки в Университете Карнеги-Меллон (США) в 1990-1992, 1995-1997, 2003-2005 гг., Бостонском университете в 2000 г., в Университете Чонбук (Корея) — в 2011-2012 гг. и 2013-2014 гг. В НИТУ МИСиС с 2014 г. Направление исследований — широкозонные материалы и приборы на их основе.

+7 495 237-21-29
poliakov.ai@misis.ru

Сергей Иванович Диденко

К.ф.-м.н., доцент, заведующий кафедрой полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Разработка и исследование детекторов частиц и фотонов, солнечных элементов на широкозонных материалах (GaAs, алмаз, перовскит).

+7 499 237-21-29
didenko@misis.ru

Константин Иванович Таперо

Д.т.н., профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников, ген. директор АО «НИИП»

Проекты, связанные с исследованиями и моделированием надежности электронной компонентной базы в условиях ионизирующего излучения космического пространства.

tapero.ki@misis.ru

Евгений Борисович Якимов

Д.ф.-м.н., профессор кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Область научных интересов: полупроводники, физика дефектов, растровая электронная микроскопия.

+7 499 237-21-29
yakimov.eb@misis.ru

Алексей Владимирович Черных

Старший преподаватель кафедры полупроводниковой электроники и физики полупроводников, начальник лаборатории АО «НПП Пульсар»

av.chernykh@misis.ru

Данила Сергеевич Саранин

К.т.н., ст. преподаватель, заместитель заведующего лабораторией перспективной солнечной энергетики, действующей в рамках стратегического проекта «Материалы будущего» программы «Приоритет 2030»

Проекты, связанные с перовскитной оптоэлектроникой.

saranin.ds@misis.ru

Андрей Игоревич Голутвин

Д. ф.-м. н., профессор, главный научный сотрудник Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience

Область научных интересов: физика элементарных частиц, физика детекторов, В-физика, физика высоких энергий.

golutvin.ai@misis.ru

Иван Васильевич Щемеров

К.т.н., доцент кафедры полупровод­никовой электроники и физики полупровод­ников

Область научных интересов: полупроводники; математическое моделирование физических процессов; измерительные системы.

+7 495 955-01-50
schemerov.iv@misis.ru

Показать всех преподавателей Скрыть

Возможности для студентов и трудоустройство

Студенты трудоустраиваются на производственные предприятия и в организации по производству приборов микро- и наноэлектроники, научно-исследовательские институты: АО «НПП „Исток“ им. Шокина», АО «Пьезо», ОАО «Московский Завод «САПФИР», АО «Оптрон», ИОНХ РАН им. Н.С. Курнакова, Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова РАН, Корпорация РОСЭЛЕКТРОНИКА, Госкорпорация «Росатом», Госкорпорация «Роскосмос».

Возможно обучение в аспирантуре по программе «Приборы твердотельной электроники и микроэлектроники».

Осваиваемые профессии

  • Инженер-разработчик интегральных схем
  • Проектировщик инфраструктуры «умного дома»
  • Инженер-электроник
  • Инженер-разработчик изделий электронной техники
  • R&D-менеджер технологических компаний и стартапов
  • Инженер-испытатель полупроводников
  • Инженер-технолог по производству изделий микроэлектроники
  • Инженер-конструктор интегральных схем
  • Инженер микроэлектроники

Фотогалерея

Отзывы студентов

Садыков Жакыпбек, инженер-исследователь Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience

Данная программа была выбрана мной по причине актуальности полупроводниковой промышленности и технологии в целом в наше время. На основе них производятся практически все современные цифровые устройства. Во время учебы было принято участие в конференциях Дни науки МИСИС, международной конференции «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» 2020. Благодаря обучению на данной программе удалось стать участником эксперимента SND@LHC на большом адронном коллайдере, эксперимента NEWS в лаборатории Гран-Сассо (Италия).

Другие программы подготовки

Материалы и технологии магнитоэлектроники

Программа направлена на подготовку высококвалифицированных специалистов в области магнитоэлектроники, которые занимаются созданием, диагностикой и применением современных перспективных магнитных материалов и приборов на их основе. Студенты изучают основные классы магнитных материалов в макро- микро- и наноразмерном исполнении и технологии получения этих материалов. Среди объектов изучения — материалы, применяемые для магнитной записи информации, радиопоглощения и радиоэкранирования, гипертермии и адресной доставки лекарств, активных сред СВЧ-электроники, автоматики и телевизионной техники, IoT. Выпускники программы востребованы как в научно-исследовательских организациях, так и в высокотехнологичных компаниях в качестве инженеров-технологов и специалистов R&D департаментов.

Технологии микро- и наноэлектроники

Специалист в области микро- и наноэлектроники должен обладать глубокими знаниями в таких направлениях, как материаловедение и физика полупроводников, понимать физические основы технологических процессов создания новых материалов, обладать способностью к саморазвитию и быстрой адаптации. Магистранты участвуют в выполнении научно-исследовательских работ по математическому моделированию технологий получения новых материалов, оптимизации режимов технологических процессов производства изделий микро- и наноэлектроники, в разработке способов модифицирования компонентов твердотельной электроники и интегральных микросхем, а также методов технического контроля и испытания изделий. В рамках программы ведется подготовка специалистов для отраслевых и академических НИИ, производственных предприятий электронной отрасли, включая предприятия ВПК.

Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы

Магистерская программа готовит инженеров-разработчиков, технологов и аналитиков, востребованных на отечественном и мировом рынке производства оптоэлектронных приборов, таких как солнечные элементы, детекторы, светодиоды и фотоприемники, созданные на новых широкозонных материалах (GaN, Ga2O3, синтетический алмаз, перовскиты). Они используются в производстве солнечных панелей нового поколения, используемых в системах умного дома и космоса, VR-технологий, устройств «интернета вещей». Во время учебы студенты разрабатывают и интегрируют технологические процессы производства оптоэлектронных полупроводниковых приборов в научных лабораториях университета и центрах индустриального партнера АО «НПП «Квант», успешно совмещая учебные и рабочие проекты благодаря занятиям в вечернее время.

Полупроводниковые преобразователи энергии

Программа ориентирована на получение знаний и навыков в области разработки и производства компонентов и материалов для оптоэлектроники и нанофотоники. Студенты магистратуры изучают полупроводниковые преобразователи электроэнергии, разрабатывают технологии zero-energy домов, работают над исследованиями в области космической фотоэнергетики, созданием светоизлучающих диодов, солнечных батарей, детекторов ядерных частиц и предлагают новые решения для преобразования энергии. Выпускники программы «Полупроводниковые преобразователи энергии» становятся учеными-исследователями, которые продолжают карьеру в науке на программах аспирантуры, занимаются внедрением приборов на основе полупроводниковых преобразователей энергии, работают с инновационными продуктами энергетической отрасли в ведущих российских и международных лабораториях бизнес-компаний.