Лекция ведущего ученого Инербаева Талгата Муратовича по теме: «Безызлучательная релаксационная динамика в функционализированных полупроводниках»

ru

Эта лекция представляет собой обзор наших последних достижений в области применения и дальнейшего развития теории описания неравновесной динамики электронов в полупроводниках, включая как объемные, так и наноразмерные системы.

За последние три года мы добились значительного прогресса в разработке метода приведенной матрицы плотности для описания этих процессов. Результатом усилий является возможность описания безызлучательной релаксации с учетом спиновой поляризации электронов, спин-орбитального взаимодействия, а также рассмотрение периодических систем с непрямыми оптическими переходами.

Конечной мотивацией для этой работы является необходимость разработки недорогих, высокоэффективных материалов для сбора солнечной энергии и оптоэлектронных приложений. Для теоретического описания процессов, происходящих в материалах, используемых для таких целей, необходимо учитывать взаимодействие электронов и ионов, в том числе и тех, в которых происходит безызлучательная релаксация электронных возбуждений. Этот вид описания выходит за рамки адиабатического приближения, и в этом случае следует применять специальные методы моделирования. Это дальнейшее развитие одного из этих теоретических подходов, а именно метода приведенной матрицы плотности.