Лекция ведущего ученого Кодихалли Нагараджа Киреети «Свойства и возможности наноструктур на основе GaBiAs»

ru

GaBiAs, сравнительно новый полупроводниковый материал группы III-V, привлекает большой интерес исследователей по всему миру, благодаря перспективам его приложений в оптоэлектронике, солнечных элементах и т. д. Большой параметр изгиба зон, быстрое уменьшение ширины запрещенной зоны с увеличением процентного содержания Bi при меньших вредных эффектах и большая величина спин-орбитального расщепления в GaBiAs открывают широкие возможности для увеличения эффективности устройств. Кроме того, возможность изменения только максимума валентной зоны в этом материале может быть использована для относительно легкого извлечения фотогенерированных дырок в солнечных элементах с квантовыми ямами. В данном докладе будут обсуждаться некоторые основные свойства этого материала, а также будет представлена часть результатов нашей работы.

Данная лекция будет также проходить онлайн.