Непрерывно возрастающий интерес к магнитомягким микропроводам обловлен простотой их изготовления и уникальными магнитными свойствами, такими как ультрамагнитная мягкость, магнитная бистабильность, гигантсткий магнитоимпеданс (ГМИ). Эффект ГМИ — электродинамический эффект связанный со скин эффектом магнитомягкого проводника по которому протекает электрический ток достаточно высокой частоты. Глубина скин слоя при этом, согласно классической электродинамике, зависит от магнитного поля. Последнее время все большее внимание привлекает эффект ГМИ при высоких частотах (ГГц диапазон) благодаря развитию тонких магнитомягких материалов и последним тенденциям в миниатюризации магнитных датчиков. С другой стороны перемагничивание магнитно-бистабильных аморфных микропроводов осуществляется сверхскоростным движением доменных границ со скоростью превышающей 1 км/сек, что на порядок превышает скорость доменных границ в нанопроводах при тех же полях.
Таким образом целью данной работы является изучение эффекта ГМИ в аморфных магнитно мягком микропроводе при высоких частотах и динамики движения доменных границ магнитно-бистабильных аморфных микропроводов.
