язык: английский
CAE Автономная энергетика и энергоэффективность
Шико Али Сехпар
Название лекции: «Подслой InAlN и его влияние на глубокие ловушки в светодиодах ближнего УФ InGaN/GaN с одной квантовой ямой» / «InAlN underlayer and its effects on deep traps present in near-UV InGaN/GaN single quantum well LEDs»
Краткое содержание: было исследовано два типа светодиодов ближнего ультрафиолетового (УФ) диапазона InGaN/GaN c одной квантовой ямой, светодиоды отличались только наличием или отсутствием подслоя, состоящего из сверхрешётки InAlN/GaN. Ранее было показано, что подслой InAlN значительно улучшает внутреннюю квантовую эффективность ближних ультрафиолетовых светодиодов за счет уменьшения плотности глубоких ловушек, ответственных за безызлучательную рекомбинацию в области квантовых ям. Основное различие между образцами с подслоем и без подслоя заключалось: а) в более высокой компенсации акцепторов Mg в контактном слое p-GaN:Mg в образце без подслоя, что коррелирует с присутствием в области квантовой ямы ловушек с энергией активации 0,06 эВ; b) наличие глубоких электронных ловушек с уровнем 0,6 эВ ниже края зоны проводимости (EC) (ET1) и 0,77 эВ (ET2) в спейсерном слое n-GaN под квантовой ямой и наличие дырочных ловушек в квантовой яме с энергией 0,73 эВ выше края валентной зоны (EV) (HT1) в образцах без подслоя (ловушки не могут быть обнаружены в образцах с подслем); с) высокая плотность глубоких ловушек с энергией оптической ионизации близкой к 1,5 эВ в светодиодах без подслоя. Облучение электронами с энергией 5 МэВ привело к сильному снижению интенсивности электролюминесценции в светодиодах без подслоя, при этом на образцы с подслоем такое излучение оказало небольшое влияние на сигнал электролюминесценции при высоком управляющем токе, хотя уровень тока для получения сигнала был увеличен примерно на порядок. Несмотря на то, что начальный сигнал электролюминесценции в образцах с подслоем был в пять раз выше. Облучение также привело к появлению в светодиодах с подслоем глубоких ловушек ET1 и HT1, но с значительно меньшими концентрациями, чем без образцах без подслоя, и к значительному увеличению коэффициента компенсации Mg.
Канюков Егор Юрьевич
Название лекции: «Влияние параметров шаблонного синтеза на состав, микроструктуру и морфологическиеособенности металлических наноструктур» / «The influence of template synthesis parameters on the composition, microstructure and morphological features of metal nanostructures»
Краткое содержание: обсуждается взаимосвязь условий синтеза со структурой и морфологическими особенностями металлических наноструктур, выращиваемых в порах шаблонов (пористых матриц). На основании экспериментальных данных устанавливается влияние как режимов синтеза (температура, потенциал и время осаждения), так и параметров шаблона (диаметры пор) на морфологию и структурные параметры синтезируемых наноструктур. Демонстрируется потенциал применения металлических наноструктур с различной морфологией в микроэлектронике, сенсорике и биомедицине.