В НИТУ «МИСиС» проходят открытые лекции профессора кафедры Электрической Инженерии Университета Нотр-Дам, Индиана, США Алексея Орлова. 24 июня приглашаем всех желающих на лекцию «Кремниевый век заканчивается — что на горизонте?»
В НИТУ «МИСиС» проходят открытые лекции профессора кафедры Электрической Инженерии Университета Нотр-Дам, Индиана, США Алексея Орлова.
24 июня приглашаем всех желающих на лекцию «Кремниевый век заканчивается — что на горизонте?»
Анонс лекции:
Кремний является тем материалом, который как никакой другой радикально изменил современный нам мир. Информационные технологии и технологии средств связи развивались бы совершенно по-другому, если бы кремния не существовало. Таким образом, мы можем говорить о «кремниевом веке», так же, как и о предшествующих каменном и железном веках. Этот век характеризуется множеством отдельных технологических достижений, которые в конечном счете превратили этот элемент таблицы Менделеева, ранее в сознании общества по большей части ассоциировавшийся с солнечными пляжами, в тот фантастический технологический материал для наноэлектроники, каким мы знаем его сегодня. Интересно отметить, что кремний не существует в природе как свободный элемент — он может быть получен только путем химического восстановления. Полупроводниковые кремниевые технологии легли в основу развития информационного общества, общества, которое характеризуется небывалыми достижениями человечества в интеллектуальной сфере. Однако, и этот весьма короткий век подходит к концу. Существуют ли какие-то другие технологии, которые могут либо заместить кремний, либо целиком поменять парадигму технологического прогресса?
Место проведения: НИТУ «МИСиС» Ленинский пр-т, д. 4, аудитория Б-607
Время проведения: 12:00
Справка:
Алексей Орлов, Профессор-исследователь кафедры Электрической Инженерии Университета Нотр-Дам, Индиана, США. Получил степень магистра по специальности Физика в Московском Государственном Университете им. Ломоносова в 1983 г. С 1983 по 1993 работал в Институте Радиотехники и Электроники РАН в Москве. Во время работы в ИРЭ проводил исследования по теме мезоскопического переноса и квантовых баллистических эффектов электронных перемещений в GaAs транзисторах. Защитил кандидатскую диссертацию в области физики полупроводников и диэлектриков в 1990 году. С 1994 года начал работать в Университете Нотр-Дам на кафедре Электрической Инженерии. Алексей Орлов является автором и соавтором более чем 150 публикаций в области физики мезоскопических устройств, одноэлектронных и молекулярных устройств и сенсоров, низкоэнергетических устройств, инфракрасных наноразмерных детекторов, нанотермоэлектроники, наномагнетизма и квантовой ячеистой автоматики.
Кремний является тем материалом, который как никакой другой радикально изменил современный нам мир. Информационные технологии и технологии средств связи развивались бы совершенно по-другому, если бы кремния не существовало. Таким образом, мы можем говорить о «кремниевом веке», так же, как и о предшествующих каменном и железном веках. Этот век характеризуется множеством отдельных технологических достижений, которые в конечном счете превратили этот элемент таблицы Менделеева, ранее в сознании общества по большей части ассоциировавшийся с солнечными пляжами, в тот фантастический технологический материал для наноэлектроники, каким мы знаем его сегодня. Интересно отметить, что кремний не существует в природе как свободный элемент — он может быть получен только путем химического восстановления. Полупроводниковые кремниевые технологии легли в основу развития информационного общества, общества, которое характеризуется небывалыми достижениями человечества в интеллектуальной сфере. Однако, и этот весьма короткий век подходит к концу. Существуют ли какие-то другие технологии, которые могут либо заместить кремний, либо целиком поменять парадигму технологического прогресса?
Место проведения: НИТУ «МИСиС» Ленинский пр-т, д. 4, аудитория Б-607
Время проведения: 12:00
Справка:
Алексей Орлов, Профессор-исследователь кафедры Электрической Инженерии Университета Нотр-Дам, Индиана, США. Получил степень магистра по специальности Физика в Московском Государственном Университете им. Ломоносова в 1983 г. С 1983 по 1993 работал в Институте Радиотехники и Электроники РАН в Москве. Во время работы в ИРЭ проводил исследования по теме мезоскопического переноса и квантовых баллистических эффектов электронных перемещений в GaAs транзисторах. Защитил кандидатскую диссертацию в области физики полупроводников и диэлектриков в 1990 году. С 1994 года начал работать в Университете Нотр-Дам на кафедре Электрической Инженерии. Алексей Орлов является автором и соавтором более чем 150 публикаций в области физики мезоскопических устройств, одноэлектронных и молекулярных устройств и сенсоров, низкоэнергетических устройств, инфракрасных наноразмерных детекторов, нанотермоэлектроники, наномагнетизма и квантовой ячеистой автоматики.
