Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Один провод — множество устройств: учёные создали ультратонкие нанопровода для электроники нового поколения
В НИТУ МИСИС открылась первая в России магистратура по сертификации изделий аддитивных технологий
От атомов до цифрового двойника: в НИТУ МИСИС стартовала новая магистратура по материаловедению