Поляков Александр Яковлевич

2014 г.-н.в. Профессор, заведующий лабораторией широкозонных полупроводников и приборов НИТУ МИСИС.

2013-2014 гг. Чонбукский Университет (Республика Корея).

2011-2012 гг. Чонбукский Университет (Республика Корея).

2003-2005 гг. Стажировка в Университете Карнеги-Меллон (США).

2000 г. Стажировка в Бостонском университете (США).

1990-1992 гг. Стажировка в Университете Карнеги-Меллон (США).

1982-2014 гг. Гиредмет.

1982 г. Кандидат технических наук.

1973-1982 гг. НИИПФ.

1973 г. Окончил МИСиС.

Дипломная работа А.Я. Полякова была посвящена изучению эффектов упорядочения в твёрдых растворах Ge-Si. Степень кандидата наук присвоена МИСиС в 1982 году за исследования радиационного дефектообразования в фотоприёмниках на основе InSb.

Долгое время работал в институте «Гиредмет», занимаясь изучением вопросов дефектообразования, созданием новых методов исследования электрических характеристик, свойств гетеропереходов, спектров глубоких центров и их влияния на свойства приборов на основе полупроводников групп III-V и II-VI.

В 1990–1992, 1995–1997, и 2003–2005 гг. работал в качестве исследователя и приглашённого профессора в ECE Department и MSE Department Университета Carnegie Mellon University в США, где занимался вопросами получения методом MBE и исследования свойств четверных твёрдых растворов в системе AlGaInSb вместе с проф. A.G. Milnes, работал над ростом методом MOCVD и изучением свойств GaN, AlGaN, GaBN, AlBN (вместе с проф. M. Skowronsky и проф. D. Greve), участвовал в разработке метода HCVD для выращивания кристаллов и плёнок SiC и проводил исследования их свойств (вместе с проф. M. Skowronsky).

В 2010–2011, 2013-2014 гг. работал приглашённым профессором в Chonbuk National University (Korea, лаборатория проф. In-Hwan Lee), где занимался изучением возможности улучшения эффективности светодиодов GaN в результате взаимодействия с локализованными поверхностными плазмонами, свойств неполярных полевых транзисторов на гетеропереходах AlGaN/GaN HEMTs, и свойств неполярных светодиодов с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN.

С 2014 преподает на кафедре ФПП и ПЭ НИТУ МИСИС, руководит лабораторией «Широкозонные материалы и приборы», созданной в рамках Проекта 5-100. Работы лаборатории сосредоточены на изучении влияния дефектов в кристаллах, плёнках, гетеропереходах, структурах с квантовыми ямами, в наноразмерных структурах на поведение приборов на основе современных широкозонных материалов (GaN, SiC, Ga2O3, перовскиты), эффектов взаимодействия с поверхностными плазмонами, влияния облучения высокоэнергетическими частицами, эффектов водородной пассивации, поведения микро- и наносветодиодов.

Опубликовал более 350 работ по различным вопросам материаловедения и физики полупроводников, автор многочисленных обзоров, монографий и докладов.

Индекс Хирша по Scopus — 40.

Количество статей по Scopus — 392.

SPIN РИНЦ: 6644-1942

ORCID: 0000-0001- 6898-6126

ResearcherID: С-2667-2014

Scopus AuthorID: 7201781048

• К2-2014-055 «Широкозонные полупроводники — В100 — 2014-2015». Создание лаборатории «Широкозонные полупроводники», опубликовано 33 статьи, участие в 12 международных конференциях. Разработан и составлен технологический маршрут изготовления гетероструктур на основе GaAs, предназначенных для изготовления макета матричного фотоприемника.
• К2-2015-074 «Широкозонные полупроводники и приборы на их основе — В100 — 2016». Опубликовано 16 статей, 7 выступлений на международных конференциях. Разработаны автоматизированные методы определения дрейфа порогового напряжения в транзисторах и изучения импульсных ВАХ и спектров токового и ёмкостного РСГУ. Разработаны методы исследования спектров глубоких ловушек в светодиодных структурах.
• К2-2016-068 «Широкозонные полупроводники и приборы на их основе — В100 — 2017». Опубликовано 19 статей, 4 выступления на международных конференциях. Исследование причин деградации различных светодиодных структур на нитриде галлия и их связи с измеряемыми спектрами глубоких уровней и спектрами шума
• К2-2017-086 «Широкозонные полупроводниковые материалы в электронике — 2018-2020». Опубликовано 34 статей. Исследование влияния облучения на спектры глубоких центров, электрические и рекомбинационные характеристики эпитаксиальных структур β-Ga2O3. Исследование влияния дизайна зелёных МКЯ GaN/InGaN и их облучения на эффективность.
• Исследование электрически активных точечных и протяженных дефектов в новом широкозонном полупроводнике альфа- и бета-Ga2O3, гетероструктурах и мембранах на их основе — РНФ — 2019–2022. Опубликовано 8 статей, 3 выступления на международных конференциях. Проведены успешные эксперименты по хлоридной (галоидной) газофазной гетероэпитаксии слоёв a-Ga2O3, a-(AlGa)2O3 достаточно высокого структурного качества, сравнимого с результатами MIST эпитаксии a-Ga2O3, a-(AlGa)2O3.
• К2-2020-011 «Исследование дефектных состояний, влияющих на характеристики приборов в оксиде галлия, нитриде галлия, перовскитах — 2020». Опубликовано 8 статей, исследование влияния подвижных ионов в солнечных элементах на основе перовскитов на кинетику ёмкости, напряжения и тока солнечных элементов, исследованы спектры глубоких уровней в МКЯ GaN структурах с наностолбиками, изучены связи спектров глубоких центров в кристаллах и плёнках β-Ga2O3 с измеряемыми значениями диффузионных длин и фоточувствительности

• Polyakov A.Y., Lee I.-H. Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices // Materials Science and Engineering R: Reports, 2015, volume 94, 28, IF =27,24.
• Lee I.-H., Jang L.-W., Polyakov A.Y. Performance enhancement of GaN-based light emitting diodes by the interaction with localized surface plasmons // Nano Energy, 2015, volume 13, IF=15, 46.
• Jang. L.-W., Jeon D.-Q., Kim M., Jeon J.-W., Polyakov A.Y., Ju J.-W., Lee S.-J., Baek J.-H., Yamg J.-K., Lee I.-H. Investigation of optical and structural stability of localized surface plasmon mediated light-emitting diodes by Ag and Ag/SiO2 nanoparticles // Advanced Functional Materials, 2012, Volume 22, issue 13, IF=14,58.
• Jang L.-W., Jeon D.-W., Chung T.-H., Polyakov A.Y., Cho H.-S., Yun J.-H., Ju I.-W., Baek J.-H., Choi J.-W., Lee I.-H. Facile fabrication of free-standing light emitting diode by combination of wet chemical etching // ACS Applied Materials and Interfaces, 2014, volume 6, issue 2, IF=8,69.
• Polyakov A.Y., Pearton S.J., Frenzer P., Ren F., Liu L., Kim J. Radiation effects in GaN materials and devices // Journal of Materials Chemistry C, 2013, volume 1, issue 5, IF=6,28.
• Kim J., Pearton S.J., Fares C., Yang J., Ren F., Kim S., Polyakov A.Y. Radiation Damage effects in Ga2O3 materials and devices // Journal of Materials Chemistry C, 2019, volume 7, issue 1, IF=6,28.
• Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Pearton S.J., Ren F., Chernykh A.V., Lagov P.B., Kulevoy T.V. Hole traps and persistent photocapacitance in proton irradiated β-Ga2O3 films doped with Si // APL Materials, 2018, volume 6, issue 9, IF=4,12.
• Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Yakimov E.B., Nikolaev V.I., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Chernykh A.V., Shcherbachev K.D., Shikih A.S.., Kochkova A., Deep trap spectra of Sn-doped alpha-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire // APL Materials, 2019, volume 7, issue 5, IF=4,12.
• Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Saranin D.S., Le T.S., Didenko S.I., Kuxnetsov D.V., Agresti A., Pescetelli S., Matteocci F., Di Carlo A. Trap states in multication mesoscopic perovskite solar cells: A deep levels transient spectroscopy investigation // Applied Physics Letters, 2018, volume 113, issue 26, IF=3,58.
• Polyakov A.Y., Lee I.-H., Smirnov N.B., Yakimov E.B., Shchemerov I.V., Chernykh A.V., Kochkova A.I., Vasilev A.A., Carey P.H., Ren F., Smith D.J., Pearton S.J. Defects at the surface of β-Ga2O3 produced by Ar plasma exposure // Applied Physics Letters, 2018, volume 113, issue 26, IF=3,58.

ORCID: 0000-0001-6898-6126.​​​​​​​

Web of Science ResearcherID: С-2667-2014.

Scopus AuthorID: 7201781040.

SPIN-код: 6644-1942.

• Зиновьев Р.А., «Исследование дефектов в GaN светодиодах», к.ф.-м.н. 2020 г.
• Кочкова А.И., «Исследование электрических характеристик и спектров глубоких центров в кристаллах и эпитаксиальных пленках Ga2O3», аспирантка 3 года обучения.
• Алексанян Л.А., «Изучение спектров глубоких центров в синих и зеленых светодиодах на основе III-Nitrides, их влияния на характеристики, эффектов наноструктурирования», аспирантка 1 года обучения.

Преподавание

Кафедра ППЭиФПП НИТУ МИСИС, направление подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», профиль «Полупроводниковые преобразователи энергии», курс «Приборные структуры на широкозонных полупроводниках», 144 ч. Осенний семестр 2020/2021 уч. года.

Рецензирование статей для ведущих журналов, приглашенный редактор тематических выпусков ECS JSST по проблемам широкозонных полупроводников.

The 31st International Conference on Defects in Semiconductors, программный комитет.