Поляков Александр Яковлевич

к.т.н., профессор кафедры ППЭиФПП, руководитель лаборатории широкозонных полупроводников
Направление
11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи».
Профиль

«Проектирование и технология электронной компонентной базы».

Планируемый набор:
  • 2 аспиранта (бюджет).
Область научных интересов (supervisor’s research interests)

Изучение электронной структуры гетеропереходов, структур с квантовыми ямами и сверхрешётками, нанослоев широкозонных полупроводников, исследование природы дефектов в широкозонных полупроводниках и связи этих дефектов с характеристиками приборов (светодиодов, транзисторов).

Сильные стороны

Руководит лабораторией широкозонных материалов и приборов, созданной в НИТУ МИСиС в рамках реализации программы 5-100.

Основные исследовательские проекты:
  • «Широкозонные полупроводники и приборы на их основе» (грант № К2-2015-074);
  • «Широкозонные полупроводники и приборы на их основе » (грант № К2-2016-068);
  • «Широкозонные полупроводниковые материалы в электронике» (грант № К2-2017-068).
Научное признание:
  • Является одним из ведущих специалистов в мире по проблемам изучения электронных свойств широкозонных материалов и приборов и влияния на их поведение дефектов структуры. Автор многочисленных монографий, обзоров и оригинальных статей в ведущих международных журналах и приглашённых докладов на престижных международных конференциях (более 300 публикаций в международных журналах, более 5000 ссылок на его работы).
  • In-Hwan Lee, Lee-Woon Jang, and AlexanderY.Polyakov, Performance enhancement of GaN-based light emitting diodes by the interaction with localized surface plasmons, Nano Energy (a review) 13, 140–173 (2015).
  • A.Y. Polyakov and In-Hwan Lee, Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices (a review), Mat. Sci& Eng, 94, 1-56 (2015).
  • Jihyun Kim, Stephen J. Pearton, Chaker Fares, Jiancheng Yang, Fan Ren, Suhyun Kima and Alexander Y. Polyakov , Radiation damage effects in Ga2O3 materials and devices, J. Mater. Chem. C, 7, 10 (2019).
  • Индекс Хирша 38
Научная экспертиза

Постоянный эксперт ведущих международных журналов, приглашённый редактор тематических выпусков в ведущих журналах.

Научное руководство

ФИО

Контакты

Научный руководитель /

Научный консультант

Срок окон.

1

Зиновьев Роман Александрович

+7 925 678-84-75

Roman__Z@mail.ru

Поляков Александр Яковлевич

2020

2

Кочкова Анастасия Ильинична

+7 915 377-95-60

NAS-TA-SY@mail.ru

Поляков Александр Яковлевич

2022

Supervisor’s specific requirements:
  • You are interested in electronic structure of heterojunctions, structures with quantum wells and superlattices, nanolayers of wide-gap semiconductors. Having research background and publications in these areas is an advantage. You must have MSc in physics.
  • Fluent English, both oral and writing skills.
Main publications:
  • A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, D. S. Saranin, T. S. Le, S. I. Didenko, D. V.Kuznetsov, A. Agresti, S. Pescetelli, F. Matteocci, and A. Di Carlo, Trap states in multication mesoscopicperovskite solar cells: A deep levels transient spectroscopy investigation, Appl. Phys. Lett. 113, 263501(2018); doi: 10.1063/1.5053845.
  • A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. B. Yakimov, Jiancheng Yang, F. Ren,Gwangseok Yang, Jihyun Kim, A. Kuramata, and S. J. Pearton, Point defect induced degradation ofelectrical properties of Ga2O3 by 10 MeV proton damage, Appl. Phys. Lett. 112, 032107 (2018);https://doi.org/10.1063/1.5012993
  • Dae-Woo Jeon , Hoki Son, Jonghee Hwang, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov,A. V. Chernykh , A. I. Kochkova, S. J. Pearton , and In-Hwan Lee, Electrical properties, structuralproperties, and deep trap spectra of thin -Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on basalplane sapphire substrates, APL Mater. 6, 121110 (2018); https://doi.org/10.1063/1.5075718
  • P.S. Vergeles, V.I. Orlov, b, A.Y. Polyakov, E.B. Yakimov, Taehwan Kim, In-Hwan Lee,Recombination and optical properties of dislocations gliding at room temperature in GaN under appliedstress, Journal of Alloys and Compounds 776 (2019) 181-186.
  • A. Y. Polyakov, In-Hwan Lee, N. B. Smirnov, E. B. Yakimov, I. V. Shchemerov, A. V.Chernykh, A. I. Kochkova, A. A. Vasilev, P. H. Carey, F. Ren, David J. Smith, and S. J. Pearton, Defectsat the surface of β-Ga2O3 produced by Ar plasma exposure, APL Mater. 7, 061102 (2019);https://doi.org/10.1063/1.5109025
  • A. Y. Polyakov, N. M. Shmidt, N. B. Smirnov, I. V. Shchemerov, E. I. Shabunina, N. A.Tal’nishnih, In-Hwan Lee, L. A. Alexanyan, S. A. Tarelkin, and S. J. Pearton, Deep trap analysis in greenlight emitting diodes: Problems and solutions, J. Appl. Phys. 125, 215701 (2019);https://doi.org/10.1063/1.5093723
  • Jihyun Kim, Stephen J. Pearton, Chaker Fares, Jiancheng Yang, Fan Ren, Suhyun Kima andAlexander Y. Polyakov, Radiation damage effects in Ga2O3 materials and devices, J. Mater. Chem. C, 7,10 (2019).
  • A.Y. Polyakov, C. Haller, R. Butte, N.B. Smirnov, L.A. Alexanyan, A.I. Kochkova, S.A. Shikoh,I.V. Shchemerov, Deep traps in InGaN/GaN single quantum well structures grown with and withoutInGaN underlayers, Journal of Alloys and Compounds 845 (2020) 156269